【求助】求助 硅片做XRD 多出的两个峰包是什么

1、这两个峰包并非来自Si本征的衍射，可能与你的Si基体质量不高有关，我见过的其他(100)Si基体上未发现这两个峰。
2、一次实验的强弱对比不能说明什么，因为你的晶体在粉末XRD上的衍射的可重复性很差。
3、这一般由K alpha1的孪生小弟alpha2的衍射引起的，这对兄弟峰的差别随着角度增加愈加明显。
4、(004)是表示特征原子面之间的间隔周期(电子云密度分布或调制)，并非一定在c/4的地方存在原子面。

太感谢了，那如果Si基体质量不高，在文章上应该怎么解释呢，或者如果把这两个包去掉，算不算伪造数据

应助达人

所以想请教大家几个问题：
1. 图2里，22.48和33.5处两个矮峰包是怎么回事，大家有测到过没，有没有可能是硅片为了掺杂导电而形成的，但好像记得杂质要超过15%才能被测到
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半导体n型或者p型的Ge P掺杂的话, 就算是重掺杂也只是在ppm级. XRD 完全看不出来.

4.更低级的问题，请大家帮我扫盲。CdS六角结构的（200）和（400），（200）好理解，因为纵轴的1/2处有原子形成的晶面。但我觉得不应该存在（400）这个面啊，因为纵轴的在1/4处没有原子面。
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你问的是(002) 和(004)吧?

不好意思 是（002）和（004），我改过来了，这个实在不明白

1、这两个峰包并非来自Si本征的衍射，可能与你的Si基体质量不高有关，我见过的其他(100)Si基体上未发现这两个峰。
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有没有可能是掺杂使某些地方形成微晶，使某些峰变宽啊

2、一次实验的强弱对比不能说明什么，因为你的晶体在粉末XRD上的衍射的可重复性很差。
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好像要用10mm*10mm的样品，如果样品做得小，是不是会有很多干扰，我有几片样品干扰多，印象中好像是样品比较小。我想做个试验去证实一下，无奈老板不批准

4、(004)是表示特征原子面之间的间隔周期(电子云密度分布或调制)，并非一定在c/4的地方存在原子面。
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那其他的高指数面会不会有这种情况，还是只有c轴会这样

谢谢啊，请多帮忙

1、掺杂不均匀形成微晶，这个很有可能。
2、不是样品大小的问题，测量晶体样品织构峰可重现性差是粉末XRD固有的问题，即使你使用1厘米见方的样品，测量结果仍然和你放置样品的方式影响很大。
4、不仅限c轴，只要结构上存在电子云周期分布又不完全消光的，衍射就会发生。

应助达人

既然是测薄膜的话, 楼主用的是掠入射几何吗?

不是小角度掠射，我记得好像仪器网哪个手册说，测量膜的厚度在20nm左右，我这个膜有500nm，不知道是不是这么回事

我的多晶薄膜有500nm厚。
好像看这个论坛上某个手册上说，XRD测量膜厚为20nm，但我觉得奇怪，因为XRD的穿透能力好像很强。
所以也不知道是不是这个意思。