【序号】：1 【作者】： E. H. Park, J. Jang, S. Gupta, I. Ferguson, C. H. Kim, S. K. Jeon, and J. S. Park 【题名】：Air-voids embedded high efficiency InGaN-light emitting diode 【期刊】：Angewandte Chemie International Edition in English, 【年、卷、期、起止页码】：Appl. Phys. Lett., vol. 93, 2008, Article 191103 【全文链接】：http://apl.aip.org/resource/1/applab/v93/i19/p191103_s1?isAuthorized=no
【序号】：2 【作者】： M. H. Lo, P. M. Tu, C. H.Wang, C. W. Hung, S. C. Hsu, Y. J. Cheng, H. C. Kuo, H. W. Zan, S. C. Wang, C. Y. Chang, and S. C. Huang 【题名】：High efficiency light emitting diode with anisotropically etched GaN sapphire interface 【期刊】：Angewandte Chemie International Edition in English, 【年、卷、期、起止页码】：Appl. Phys. Lett., vol. 95, p. 041109, 2009. 【全文链接】：http://apl.aip.org/resource/1/applab/v95/i4/p041109_s1?isAuthorized=no
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