新手请教探测器分辨率问题！谢谢！

这好象有数学模型吧

说得更具体点嘛……

1，没有探测器面积越小，分辨率越好的说法，在探测器里Si-pin的探测器是这样，应该是面积大了工艺上的问题，在SDD探测器分辨率就和面积没有关系了，只能说探测器面积越大，需要制冷的面积就越大，需要的制冷电流就大，本身的发热量也比较高。
2，X荧光测试结果的波动大小和测试的记数率有关，记数率越高测试波动就越小，因为X荧光是单位时间内的随机触发时间，测试时间越长，统计涨落越小，测试结果更稳定，但是和分辨率没有关系。分辨率只和探头的种类和电路的参数设计有关。

不知道楼主看的那本书，能否介绍下。

针对能量Si-PIN探测器，探测器面积越小，谱峰成型时间越长，线形范围窄，分辨率越高。
能量分辨率与脉冲成型时间常数呈一种极小值曲线分布，故有时适当
选择稍大的脉冲成型时间常数，可有较高的能量分辨率。

个人理解时间常数增加，则指数衰减越平缓，对于模拟多道来说更容易精确的找到峰值，而对于数字多道检测技术来说，梯形成型后，梯形的平顶部分更平滑，从而提高了检测精度，自然分辨率也会更好。当然为了得到更好的分辨率，在数字多道检测技术中可以选择增加梯形成型时间来实现，这样造成的后果就是死时间会急剧上升。

检测精度好，分辨率就好，可以这样理解不/？

影响分辨率的因素有很多，诸如探测器本身的理想分辨率，目前SSD探测器理论上能达到125ev，而Si-PIN只能达到145ev。
检测技术本身，抛开检测技术本身，其它相同条件下，数字多道相比模拟多道分辨率会好10%以上。
之前说到的检测精度仅仅是为了说明，梯形的平顶越光滑（平滑），则自然精度越高，相对来说分辨率也会稍好

其实这俩没有太多必然联系？（精密度和分辨率）

能不能是说得更详细点？