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  • 【序号】:1
    【作者】:M. Wolf
    【书名】:The influence of heavydoping effects on silicon solarcell performance
    【期刊】:Solar Cells
    【年、卷、期、起止页码】:Volume 17, Issue 1, March 1986, Pages 53–63
    【全文链接】:http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/037967878690058X

    【序号】:2
    【作者】:David Redfield
    【书名】:Heavy-doping effects in silicon: The role of Auger processes
    【期刊】:Solar Cells
    【年、卷、期、起止页码】:Volume 3, Issue 4, July 1981, Pages 313–326
    【全文链接】:http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/0379678781900223

    【序号】:3
    【作者】:M. Ayman Shibib
    【书名】:Inclusion of degeneracy in the analysis of heavily doped regions in silicon solarcells and other semiconductor
    devices
    【期刊】:Solar Cells
    【年、卷、期、起止页码】:Volume 3, Issue 1, February 1981, Pages 81–85
    【全文链接】:http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/0379678781900855

    【序号】:4
    【作者】:H.P.D. Lanyon
    【书名】:The physics of heavily doped n+-p junction solar cells
    【期刊】:Solar Cells
    【年、卷、期、起止页码】:Volume 3, Issue 4, July 1981, Pages 289–311
    【全文链接】:http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/0379678781900211

    【序号】:5
    【作者】:D.H.J. Totterdell
    【题名】:Application of open circuit voltage decay to the characterisation of heavydoping parameters in a p+ emitter of a junction diode
    【期刊】:Solid-State Electronics
    【年、卷、期、起止页码】: Volume 33, Issue 7, July 1990, Pages 793–798
    【全文链接】:http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/003811019090057L
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