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Sn-Bi/Cu interface 样品制备

透射电镜(TEM)

  • 共晶Sn-Bi属于低温材料,熔点在137度,以Cu为基体焊接后经热处理界面上会生长出两层化合物Cu3Sn和Cu6Sn5。最开始的时候我是用这个材料直接按正常的程序去制备透射样品,但减薄用液氮冷却低温减薄,但结果不是很理想,因为共晶Sn-Bi和界面处的Cu3Sn、Cu6Sn5以及Cu熔点温度梯度太大,减薄的时候在共晶Sn-Bi区很快就形成一个大洞,小角度扩的话基本没有薄区。后来想办法把共晶Sn-Bi腐蚀掉,然后再在化合物上电镀上一层Cr和Cu,这样减出来薄区道是有了,但基本都不在我想要看的IMC上。想请问高手这样的样品有什么好的方法去做??谢谢谢谢!!!!!
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  • 天黑请闭眼

    第1楼2006/04/20

    没有做过块样,问一下:如果低角度做了多长时间还没有薄区?会不会时间长一点会好些。
    Bi的化合物多为低熔点物质,既然液氮冷冻都不行,看来的确比较困难。

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  • 第2楼2006/04/30

    我想问题的关键不在于减薄多长时间有薄区,而是在我所说的系统中,界面处会出现好几层化合物,它们的减薄速率不一样。我现在正在尝试把 Sn-Bi腐蚀掉,只留基体Cu和界面出的化合物然后对粘,如果有好结果再告诉大家,也希望大家帮我出出点子,想想办法,这个样品实在做的我头痛了。

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  • gamexxp

    第3楼2006/05/05

    搂主是用双喷法么

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  • 第4楼2006/05/18

    不是,用的是离子减薄

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  • gamexxp

    第5楼2006/05/19

    建议用化学双喷试验一下

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  • 第6楼2006/05/23

    界面化合物物性差别较大,而且不是单层。用双喷恐怕会比较困难。不过具体到我的这个样品制备,目前我采用一种方法。效果还算理想,提供给大家近供参考,以后谁遇到这样的样品可以尝试。样品相当与在Cu基体上生长出来的一层6-8微米厚的膜,所以可以把两层化合物膜对粘起来,然后再进行减薄,但存在的问题是样品不能磨到太薄,我一般到40微米左右就开始做dipping,然后减薄。

    斑竹,我这个帖子基本可以结贴了,麻烦斑竹!

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