[求助]求透射电镜 截面样品的制作

建议把你原来写的那个问题贴出来，并把图上传。

我的样品 是 蓝宝石上外延生长的GaN 发光二极管芯片，我想做透射
电镜获得样品 的剖面像，即观察各个外延层。

我只知道制作透射电镜样品时要先对样品进行减薄，然后要进行钉薄，之后还要进行离子束减薄，最后在减薄的区域用电镜观察。

我不知道 减薄的方向 应该是 如附件中 图2所示还是 应该如图3所示？两种方向减薄后，似乎都能 暴露出 样品的截面。

希望 做过 类似 样品的 高手 指点 一下，不胜感激！

上传不了 附件

你说的就是要做cross- section？
你的问题解决了么？我也要做这方面的式样，发愁阿，以前从来也没做过电镜
而且我的试样很薄，厚度只有100微米

你可以参考附件中所说的方法,其中tripod polishing,据说不错
TEM试样准备

谢谢你了！

sma 发表:你可以参考附件中所说的方法,其中tripod polishing,据说不错
TEM试样准备

上传的资料不错，

我做过硅基底的，透明薄膜的截面TEM分析，具体的步骤是：先用一种不怕丙酮的胶把两片约1.5mm*4.5mm大小的膜对粘起来，用小夹子夹紧在加热炉上放两个小时。然后把它粘在一个刚托上，两边站上玻璃配片，然后开始磨，磨到一定的程度再抛光，另一面也作同样的工作，最后整个对结膜约几十个微米厚。做完后把它粘到合适的铜环上，再用离子减薄机减薄。减薄到用放大镜看有大面积的透光即可拿到电镜上作分析了。