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  • 【序号】:1

    【作者】:F. Bugge, G. Erbert, I. Rechenberg, U. Zeimer, M. Weyers, M. Procop

    【题名】:Effect of growth temperature on performance of AIGaAs/lnGaAs/GaAs QWlaser diodes

    【刊名】:Journal of Electronic Materials

    【年、卷、期、起止页码】:February 1996, Volume 25, Issue 2, pp 309-312

    【全文链接】:http://rd.springer.com/article/10.1007/BF02666262#

    【序号】:2

    【作者】:K. Xie, C. R. Wie, J. A. Varriano, G. W. Wicks

    【题名】:Improvement of GaAs/AlGaAs quantum well laser diodes by rapidthermal annealing

    【刊名】:Journal of Electronic Materials

    【年、卷、期、起止页码】:January 1994,Volume 23, Issue 1, pp 1-6

    【全文链接】:http://rd.springer.com/article/10.1007/BF02651259

    【序号】:3

    【作者】:R. G. Waters, D. S. Hill

    【题名】:Influence of V/III variation on AlxGa1-xAs quantum well lasers grownby metalorganic chemical vapor deposition

    【刊名】:Journal of Electronic Materials

    【年、卷、期、起止页码】:May 1988, Volume 17, Issue 3, pp 239-241

    【全文链接】:http://rd.springer.com/article/10.1007/BF02652184#

    【序号】:4

    【作者】:A. C. Crook, D. V. Forbes, C. M. Herzinger

    【题名】:Optical properties of annealed, single GaAs quantum wells: Capdoping and mask width dependence

    【刊名】:Journal of Electronic Materials

    【年、卷、期、起止页码】:October 1995,Volume 24, Issue 10, pp 1363-1368

    【全文链接】:http://rd.springer.com/article/10.1007/BF02655449#
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