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请问能否用扩展电阻法测半绝缘砷化镓(SI-GaAs)的微区(微区限度为微米级)电阻率?测量时对片子有什么要求?

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  • 请问能否用扩展电阻法测半绝缘砷化镓(SI-GaAs)的微区(微区限度为微米级)电阻率?测量时对片子有什么要求?
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  • 第1楼2003/10/11

    单探针扩展电阻法可以确定体积为10-10厘米3区域的电阻率,分辨率可以达到1微米。这种方法是利用一根金属锇(或钨钴合金)尖的探针来测量样品表面的电阻率。要求探针材料具有硬度大和耐磨的性能。(详情请见《半导体测试技术》孙以材 冶金工业出版社)




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