氧化物和双电荷究竟是接口还是在接口之前形成的呢

你当了一年多版主，还不知道这个？
是在接口形成的——所以雾化气流量、RF 功率、采样深度决定了双电荷和氧化物产率。

应助达人

等离子体和接口处产生的，而且双电荷在后续的离子通道中似乎更难消除！

应助达人

等离子体处，我也认为这里肯定产生；至于接口处是如何产生呢？ 我看到有的文章说，在尾焰处产生，对不呢？

双电荷离子在后续通道中也许仪器分辨率不是足够的高，就消除不掉。

应助达人

请问：接口处是如何产生的？

应助达人

在一定界限内，等离子体功率越低氧化物产率越高，在接口处因为碰到了“冷”的采样锥会让氧化物产率上升；

双电荷因为是二次电离造成，所以那些第二电离能低的在功率越高的等离子体中，其产率就越高！

应助达人

如何降低双电荷和氧化物呢？
我用A的7700的时候当灵敏度比较好的时候，这两个指标都比较高。有的时候为了降低这两个指标，就牺牲了灵敏度……
而用A的7500的时候这两个指标就比较好。
不懂什么原因，求指教
如何降低这个指标，动那些参数会比较有效降低这两个参数呢？

应助达人

在其它条件都不变的情况下，选择合适的流量、RF功率、采样啊深度。

氧化物在接口处产生，双电荷是在等离子体中产生而因此要用等离子体屏蔽。氧化物可以通过优化载气流速，功率和采样深度，以及后续反应池得于消除。但双电荷很困难，特别对于基体元素的双电荷干扰，比如Sn++对于Ni和Co的干扰，除了样品前处理除基体外，还有什么办法可以消除双电荷干扰