ICP-MS二次放电位置

孩孩才不是书痴呢 2014/06/15

据我所知道的，二次放电主要是因为等离子体中有大量的电子，而屏蔽矩是接地的，可以将电子导出等离子体，防止电子在金属的样品锥积蓄造成电压升高，而正离子到达电压高的样品锥时，必然导致正离子和电压高的样品锥突破击穿电压导致二次放电。至于第一个问题，我觉得两个区域都存在吧。