请问关于膜去溶系统和冷焰的问题

应助达人

膜去溶系统主要是针对有机溶剂的吧

Q1： 膜去溶系统 (desolvating nebulizer system/membrane desolvation system/membrane desolvator) 近20万人民币，目前只有科研行业 MC-ICP-MS 进行高精度同位素比值测定时才配它。它通过一层加热膜，将气溶胶中的绝大部分溶剂水“脱掉”，只有溶质（待测离子）能通过，因此等离子体的负载(mass load)大大降低，等离子体能量用于电离溶质，而非溶剂水，所以灵敏度能显著提高。但膜去溶系统也有弊端，正是因为有一层膜，元素残留的记忆效应增加。

Q2：关于冷焰，版上谈论很多，我记不得在哪个帖子里详述了。冷焰只适合 基体简单的待测溶液，通常只用于 多晶硅、高纯试剂 这些行业。

Q1：说明膜去溶系统不是必须配备的，而是选配，可以通过样品处理代替的；
Q2：如果方法中提到用冷焰的话，是否就是不可代替的，一定要用冷焰？

我们有个ICP的方法需要找个有ICP-MS的单位检测金属离子指标，但是检测单位的ICP-MS没有膜去溶系统和冷焰，就是想问一下没有这两项功能能否进行检测？

直接说是什么样品，测哪些元素

应助工程师

请说明您的样品类型、待测元素、待测元素大致含量。

待测样品情况说明：35%的双氧水，检测常规金属离子指标，例如钾钠钙镁铅砷锡铁等，含量大概在1-100ppb的范围。
样品如何处理？ICP-MS的硬件配置等？谢谢

双氧水没有冷焰不好做 不需要膜去溶 半导体级双氧水分析，你见过哪个公司用膜去溶的啊！呵呵

没有冷焰是不是影响结果的准确性？做还是可以做出来的吧?