自吸谱线的轮廓

铝合中金氢元素H I 656.2852nm自吸谱线：
实验条件：激光脉冲能量100mJ,延时时间1.0us，积分时间0.2us

这种自吸程度应该叫自蚀了。

张总，你的激发光源，能量与时间的图形能贴出来看看吗？

氢元素不好测。有时候需要适当降低激发能量，用比较长的信号采集时间。最好是做正交试验确定它的测量条件。

chauchylan(chauchylan)发表:铝合中金氢元素H I 656.2852nm自吸谱线：
实验条件：激光脉冲能量100mJ,延时时间1.0us，积分时间0.2us

这种自吸程度应该叫自蚀了。

应助达人

用的什么光谱仪？

这实际上不是铝合金中的氢，铝合金中的氢元素是很低的，而主要是空气中水蒸气中的H。
原本想通过H的656nm计算等离子体电子数密度，看样子得寻找其它元素未产生自吸收的谱线了。

用的Andor ICCD光谱仪

中阶梯光栅光谱仪,ICCD为检测器

最近又在搞什么新东西呢？

呵呵，还是做LIBS方面的研究，目前想研究研究谱线的自吸，通过自吸收系数对谱线强度进行校正。

mlb2003(mlb2003) 发表:最近又在搞什么新东西呢？