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求助文献2篇

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  • 悬赏金额:10积分状态:已解决
  • 【序号】:1
    【作者】:Albert G. Baca
    【题名】:An AlN/Al0.85Ga0.15N high electron mobility transistor
    【期刊】:Applied Physics Letters
    【年、卷、期、起止页码】:Volume 109, Issue 3
    【全文链接】:http://aip.scitation.org/doi/pdf/10.1063/1.4959179
    【序号】:2
    【作者】:
    【题名】:Optimum semiconductors for high-power electronics
    【期刊】:IEEE Transactions on Electron Devices
    【年、卷、期、起止页码】:Volume: 36, Issue: 9, Sep 1989, Page(s): 1811 - 1823
    【全文链接】:http://ieeexplore.ieee.org/document/34247/

Trace 2016/12/22

111111111111

    +关注 私聊
  • Trace

    第1楼2016/12/22

    应助达人

    111111111111

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  • wxwanglai

    第3楼2016/12/22

    谢谢,非常谢谢

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