xrd精修

应助达人

我不是大神，给你三个建议，供参考。
1. 仪器参数有两种办法建立。最简单的办法是去测试一个标样，然后精修这个标样来获得仪器参数。但是最好不要用Si，个人觉得LaB6是比较好的选择。或者看本论坛大陆老师发的教程，用CMPR来获得，不过我觉得那个方法比较繁琐。
2. 用Si取代P，还想精修占位，估计实现的可能性不大，根本性的原因在于Si、P的原子散射因子差不多，或者说Si、P对X射线的散射能力差不多，仅仅依赖XRD恐怕无法实现Si、P占位精修，也许中子衍射是更好的选择，因为原子对中子的相干散射长度并不与原子序数有确定的关联，相邻原子的可能差别很大。我没有用过中子衍射啊，不知道中子衍射中，Si、P的原子相干散射长度区别大不大。
3. 上面的这个说法，你也可以在GSAS软件中验证，可以采用极端验证法。就是你先不要做占位精修，把能精修的参数修完，然后把P全部改为Si，然后把Number of cycles置为0，就是不精修，分别计算一下全Si和全P的计算谱，看看他们差别有多大，如果这个区别很小——可以预期应该会很小——那么也就意味着你想用XRD来精修Si、P的占位是不可行的。我不知道我说清楚了没有。

一味追求指标下来意义不大，再看看修后的CIF，初始模型原子结构有没有崩？

一味追求指标下来意义不大，再看看修后的CIF，初始模型原子结构有没有崩？

1楼的好专业