天津某材料制造商采用伯东 KRI 射频离子源 RFICP380 辅助磁控溅射沉积制备 VO2 薄膜, 以获得均匀性好, 沾污少, 附着力强, 较高的透过率的 VO2 薄膜.
KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:
射频离子源型号 | RFICP380 |
Discharge 阳极 | 射频 RFICP |
离子束流 | >1500 mA |
离子动能 | 100-1200 V |
栅极直径 | 30 cm Φ |
离子束 | 聚焦, 平行, 散射 |
流量 | 15-50 sccm |
通气 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
典型压力 | < 0.5m Torr |
长度 | 39 cm |
直径 | 59 cm |
中和器 | LFN 2000 |
客户采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP380 产生离子束不断轰击源极靶材和工件, 工件在离子束轰击下迅速被加热至高温, 源极靶材在轰击作用下溅射出的合金元素不断奔向工件表面, 经沉积扩散过程形成一定厚度的涂层.
KRI 射频离子源 RFICP380 运行结果:
1. 获得的薄膜在可见光波段具有较高的透过率
2. 薄膜较为平整且对可见光的透过率较高为38%, 退火处理提高了薄膜的结晶性和透过率
3. 制备出单斜结构的VO2薄膜, 且具有晶面择优取向
4. 制备的薄膜均匀性好, 沾污少, 附着力强, 沉积速率大, 效率高, 产量高
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