陶瓷null检测 | Hakuto 离子蚀刻机20IBE-J 用于陶瓷基片银薄膜减薄-伯东公司德国普发真空pfeiffer

方案摘要

方案下载

应用领域	材料
检测样本	陶瓷
检测项目
参考标准	/

某陶瓷基片制造商采用伯东 Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 应用于 5G 陶瓷基片银薄膜减薄, 通过蚀刻工艺把基片涂层银薄膜刻蚀减薄, 并降低工差, 提高薄膜均匀性.

方案下载

配置单

伯东公司代理日本进口NS离子刻蚀机20-M/NS-12
型号：20-M/NS-12

¥100万 - 150万
咨询

方案详情

某陶瓷基片制造商采用伯东 Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 应用于 5G 陶瓷基片银薄膜减薄, 通过蚀刻工艺把基片涂层银薄膜刻蚀减薄, 并降低工差, 提高薄膜均匀性.

Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 技术参数

Φ4 inch X 12片	基片尺寸	Φ4 inch X 12片 Φ5 inch X 10片 Φ6 inch X 8片
	均匀性	±5%
	硅片刻蚀率	20 nm/min
	样品台	直接冷却,水冷
	离子源	Φ20cm 考夫曼离子源

Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-J 的核心构件离子源采用的是伯东公司代理美国考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的射频离子源 RFICP220

伯东 KRI 射频离子源 RFICP 220 技术参数:

离子源型号	RFICP 220
Discharge	RFICP 射频
离子束流	>800 mA
离子动能	100-1200 V
栅极直径	20 cm Φ
离子束	聚焦, 平行, 散射
流量	10-40 sccm
通气	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型压力	< 0.5m Torr
中和器	LFN 2000

推荐 Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 理由:

1. 客户要求规模化生产, Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 适合大规模量产使用

2. 刻蚀均匀性 5%, 满足客户要求

3. 硅片刻蚀率 20 nm/min

伯东离子蚀刻机主要优点
1. 干式制程的微细加工装置, 使得在薄膜磁头, 半导体元件, MR sensor 等领域的开发研究及量产得以广泛应用.
2. 物理蚀刻的特性, 无论使用什么材料都可以用来加工, 所以各种领域都可以被广泛应用.
3. 配置使用美国考夫曼离子源
4. 射频角度可以任意调整, 蚀刻可以根据需要做垂直, 斜面等等加工形状.
5. 基板直接加装在直接冷却装置上, 所以可以在低温环境下蚀刻.
6. 配置公转自转传输机构, 使得被蚀刻物可以得到比较均匀平滑的表面.
7. 机台设计使用自动化的操作流程, 所以可以有非常友好的使用生产过程.

伯东离子蚀刻机应用领域

上海伯东是德国 Pfeiffer 真空设备, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国Gel-pak 芯片包装盒, 美国 inTEST 高低温冲击测试机，日本 NS 离子蚀刻机, 比利时 Stratasys 3D 打印机, 比利时原装进口 Europlasma 等离子表面处理机和美国 Ambrell 感应加热设备等进口知名品牌的指定代理商 .我们真诚期待与您的合作!

若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请联络

上海伯东: 罗女士

上一篇上海伯东 Europlasma 等离子表面处理设备在医疗器械行业的应用

下一篇 Hakuto 离子刻蚀机 7.5IBE 用于氮化硅刻蚀工艺研究

文献贡献者

伯东公司德国普发真空pfeiffer

金牌会员丨第17年

查看全部资料