Hakuto 离子刻蚀机 7.5IBE 用于氮化硅刻蚀工艺研究

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重庆某研究所在在氮化硅刻蚀工艺研究中采用 hakuto 离子刻蚀机 7.5IBE. 针对氮化硅刻蚀工艺中硅衬底刻蚀损失的问题, 为了提高氮化硅对二氧化硅的刻蚀选择比, 采用 CF4, CH3F和O2这3种混合气体刻蚀氮化硅, 通过调整气体流量比, 腔内压强及功率, 研究其对氮化硅刻蚀速率、二氧化硅刻蚀速率及氮化硅对二氧化硅选择比等主要刻蚀参数的影响.

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重庆某研究所在在氮化硅刻蚀工艺研究中采用 hakuto 离子刻蚀机 7.5IBE.


Hakuto 离子蚀刻机 7.5IBE 技术规格:

真空腔

1 set, 主体不锈钢,水冷

基片尺寸

1 set, 4”/6”ϕ Stage, 直接冷却,

离子源

ϕ 8cm 考夫曼离子源 KDC75

离子束入射角

0 Degree～± 90 Degree

极限真空

≦1x10-4 Pa

刻蚀性能

一致性: ≤±5% across 4”

 

该 Hakuto 离子刻蚀机 7.5IBE 的核心构件离子源是配伯东公司代理美国考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的考夫曼离子源 KDC 75


 伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC75 技术参数：

 离子源型号

 离子源 KDC 75 

Discharge

DC 热离子

离子束流

>250 mA

离子动能

100-1200 V

栅极直径

7.5 cm Φ

离子束

聚焦, 平行, 散射

流量

2-15 sccm

通气

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型压力

< 0.5m Torr

长度

20.1 cm

直径

14 cm

中和器

灯丝


针对氮化硅刻蚀工艺中硅衬底刻蚀损失的问题, 为了提高氮化硅对二氧化硅的刻蚀选择比, 采用 CF4, CH3F和O2这3种混合气体刻蚀氮化硅, 通过调整气体流量比, 腔内压强及功率, 研究其对氮化硅刻蚀速率、二氧化硅刻蚀速率及氮化硅对二氧化硅选择比等主要刻蚀参数的影响.



伯东离子蚀刻机应用领域


上海伯东是德国 Pfeiffer  真空设备, 美国  KRI 考夫曼离子源, 美国Gel-pak 芯片包装盒, 美国 inTEST 高低温冲击测试机， 日本 NS 离子蚀刻机, 比利时 Stratasys 3D 打印机, 比利时原装进口 Europlasma 等离子表面处理机 和美国 Ambrell 感应加热设备 等进口知名品牌的指定代理商 .我们真诚期待与您的合作!

若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请联络

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