inTEST 热流仪存储芯片高低温冲击测试

2024/08/21   下载量: 0

方案摘要

方案下载
应用领域 半导体
检测样本 光电器件
检测项目
参考标准 /

存储器芯片是半导体存储产品的核心, 是电子系统中负责数据存储的核心硬件单元, 存储芯片在出厂时需要测试芯片在快速变温过程中的稳定性, 上海伯东美国 inTEST Temtronic 热流仪提供 -100°C 至 +300°C 快速温度冲击范围, 满足 Flash 及 DRAM 存储器的研发设计需求, 为存储芯片提供快速可靠的测试环境.

方案下载
配置单
方案详情

存储器芯片是半导体存储产品的核心, 是电子系统中负责数据存储的核心硬件单元, 存储芯片在出厂时需要测试芯片在快速变温过程中的稳定性, 上海伯东美国 inTEST Temtronic 热流仪提供 -100°C 至 +300°C 快速温度冲击范围, 满足 Flash 及 DRAM 存储器的研发设计需求, 为存储芯片提供快速可靠的测试环境.



上海伯东存储器芯片高低温冲击测试案例
客户: 某知名存储芯片设计公司, 主要产品 Flash 及 DRAM 存储器
测试设备: inTEST ATS-710-M 搭配爱德万 Advantest 内存 IC 测试系统
测试目的: 研发中存储芯片的运作特性, 同时可用于失效芯片在不同温度下的快速故障诊断.
存储器芯片高低温测试方法: inTEST 热流仪温度区间设置为 125℃ 至 -55℃, 快速实现极端温度下闪存的运作特性, 如电压, 电流等. 存多采用 inTEST  DUT mode 即 Device under test 模式来进行高低温循环测式, 将闪存inTEST ATS-710-M 使用 T type Thermocouple 相互连接, 如此即可精确掌控受测物达到机台所设定之温度. 闪存高低温测试方法同样适合内嵌式记忆体 eMMC 温度测试.



inTEST Temtronic ATS-710 热流仪技术参数

型号

温度范围 °C

输出气流量

变温速率

温度
精度

温度显示
分辨率

温度
传感器

远程
控制

ATS-710E

-75至+225 50Hz
-80至+225 60Hz

4 至18 scfm
1.8至 8.5l/s

-55至 +125°C 约 10 s
+125至 -55°C 约 10 s

±1℃

±0.1℃

T型或
K型
热电偶

IEEE 488
RS232


上海伯东是德国 Pfeiffer  真空设备, 美国  KRI 考夫离子源, 美国Gel-pak 芯片包装盒, 美国 inTEST 高低温冲击测试机日本 NS 离子蚀刻机, 比利时 Stratasys 3D 打印机, 比利时原装进口 Europlasma 等离子表面处理机 和美国 Ambrell 感应加热设备 等进口知名品牌的指定代理商 .我们真诚期待与您的合作!

若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请联络

上海伯东: 女士


上海伯东版权所有, 翻拷必究!



上一篇 上海伯东 Europlasma 等离子表面处理设备在医疗器械行业的应用
下一篇 inTEST 热流仪光模块高低温冲击测试

文献贡献者

相关仪器 更多
相关方案
更多

相关产品

当前位置: 上海伯东 方案 inTEST 热流仪存储芯片高低温冲击测试

关注

拨打电话

留言咨询