资料摘要
资料下载用原子层沉积系统在硅片上沉积氧化铪HfO2和Al2O3，以及砷As参杂多晶硅研究，Arsenic（As）-doped polycrystalline-silicon gate/HfO2 , HfO2–Al2O3, or Al2 O3–HfO2–Al2O3 / p-type Si（100） metal–oxide–semiconductor capacitors were fabricated using an atomic-layer-deposition technique to investigate the degree of As penetration and the electrical properties of various high-k gate dielectric stacks。
文献贡献者
OLED及钙钛矿LED器件发射光谱特性测量技术
简介：OLED及钙钛矿LED器件发射光谱特性测量技术，可有效测量发光效率EQE测量，Lm/W 和 Cd/A，发射角度测量，光谱&颜色测量@发射角；CIE xyY测量，视角测量，IVL(电流—电压—亮度)测量，PL光致发光和EL电致发光测量， 分子取向模拟等；
发光器件载流子特性分析系统
简介：发光器件（OLED及钙钛矿LED器件）载流子特性分析，包括载流子迁移率，I-V-L特性测量分析，启动电压测量等。
桌面型原子层沉积系统
简介：AT 系列ALD System 是一款小尺寸桌面型的原子层沉积系统，采用全新的设计理念、便捷的控制系统和丰富的成膜Recipes，为广大科研工作者提供了最优化的成膜系统。
太阳能电池IV测量技术
简介：提供太阳能电池IV特性测量，包括基本光电特性转换效率、短路电流、开路电压、最大功率、填充因子等、正反扫描功能、重复性扫描功能、稳态恒电压扫描功能、MPPT最大功率点追踪测试功能等；
OLED及钙钛矿LED发光器件性能评估技术
简介：完善的OLED及钙钛矿LED发光器件性能评估技术，包含载流子特性分析系统，发光器件寿命测量系统，器件发光光谱特性分析系统，寿命分析系统及器件模拟和构建系统等；
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