超高真空表面构造分析装置

特长:
可应用于半导体和模型催化剂等方面的低能电子衍射,俄歇电子能谱以及升温分离的表面分析装置。
分析计搭载低能电子衍射仪和俄歇电子能谱仪以及最适合金属薄膜生长的电子束蒸发装置。
规格
表面分析系统 LEED / AES
蒸发源 超高真空蒸发源 AEV系列
气源 氢气射流 AEV系列
样品加热 直接通电加热式(TC接触式样品架)
样品操纵装置 X,Y,Z,θ,平面旋转五轴运动控制
升温脱离分析 四重极质量分析计
气体导入系统 高精度可变漏阀
分析室真空度 10-8Pa级 (TMP排气)
*可搭载IP排气系统达到(10-9Pa级)
  封闭样品载入室保准配置
超高真空排气控制系统  
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