AEV-11 单源超高真空电子束蒸发装置

北京创元冠国际科技有限公司(原滨州创元设备机械制造有限公司)

2012/10/31 16:11
TA的动态

特长

  • AEV-11 是为单原子层和薄膜的制备而设计，可以通过电子束对线状，棒状等材料加热，进行高纯度的蒸镀。
  • AEV-11支持足够高的温度可以蒸镀 Fe, Co, Bi, Pt, Ag, Mo, Ta, W, etc.  并可以增加坩埚选项，蒸镀钽和钼。
  • AEV-11内置通量检测器与专用调节器结合，方便管理蒸镀速率 。
  • 在材料蒸镀过程中，能通过传送装置将样品送到最合适的蒸镀位置，而不破坏超高真空环境。


技术参数

  • 光束调节φ4-20 (工作进程 = 150mm)
  • 水冷罩 (水冷: < 30℃ ; 0.5升/分)
  • 手动挡板
  • 线状; 棒状 (高熔点材料); 蒸发坩埚 (可选)
  • 温度: 可达到3300℃
  • 标准蒸发速率: 几层/分
  • 内置通量检测器 (专用电源装置, AEV-1P-300 可控制蒸发速率)
  • 线性运动馈通定位蒸镀样品位置(stroke = 30mm)
  • 搭载φ70 ICF 法兰 (内径≥φ34)
  • 通过φ34 ICF 法兰更换样品

应用领域
  • 形成一个高纯度单层薄膜和多层膜
  • 可用坩埚蒸发各种高熔点金属或棒
  • 形成单层或多层外延
  • 亚单层薄膜沉积内部通量监测
     
AEV-11 可选配件
  • 坩埚
  • 可用于氢原子
  • 可用于大型号


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