聚乙烯(PE)理化分析>纤维双折射率检测 | ATAGO爱拓多波长阿贝折光仪 DR-M4 应用于半导体光刻胶折射率检测 -ATAGO（爱拓）中国分公司

方案摘要

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应用领域	石油/化工
检测样本	聚乙烯(PE)
检测项目	理化分析>纤维双折射率
参考标准	/

在微电子制造中，光刻胶是一种重要的材料，用于制作芯片上的微笑结构，光刻胶的折射率对于芯片制造过程中的图案精度和成像效果有着重要的影响。因此，在实际应用中，需要选择适合类型与参数的光刻胶，以获得最佳的成像效果。

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配置单

镜片折射率||阿贝折光仪厂家|多波长阿贝折光仪|
型号：DR-M2

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方案详情

光刻胶是集成电路制造的重要材料：光刻胶的质量和性能是影响集成电路性能、成品率及可靠性的关键因素。光刻工艺的成本约为整个芯片制造工艺的35%，并且耗费时间约占整个芯片工艺的40%~50%。光刻胶材料约占IC制造材料总成本的4%，市场巨大。因此光刻胶是半导体集成电路制造的核心材料。

按显示效果分类，光刻胶可分为正性光刻胶和负性光刻胶。负性光刻胶显影时形成的图形与光罩（掩膜版）相反；正性光刻胶形成的图形与掩膜版相同。两者的生产工艺流程基本一致，区别在于主要原材料不同。

按照化学结构分类；光刻胶可以分为光聚合型，光分解型，光交联型和化学放大型。光聚合型光刻胶采用烯类单体，在光作用下生成自由基，进一步引发单体聚合，最后生成聚合物。

光分解型光刻胶，采用含有重氮醌类化合物(DQN)材料作为感光剂，其经光照后,发生光分解反应，可以制成正性光刻胶；光交联型光刻胶采用聚乙烯醇月桂酸酯等作为光敏材料，在光的作用下，形成一种不溶性的网状结构，而起到抗蚀作用，可以制成负性光刻胶。按照曝光波长分类，光刻胶可分为紫外光刻胶（300~450nm）、深紫外光刻胶（160~280nm）、极紫外光刻胶（EUV，13.5nm）、电子束光刻胶、离子束光刻胶、X射线光刻胶等。不同曝光波长的光刻胶，其适用的光刻极限分辨率不同。通常来说，在使用工艺方法一致的情况下，波长越短，加工分辨率越佳。

ATAGO（爱拓）多波长阿贝折射仪 DR-M2/M4（最大1,100nm），在波长450至1,100nm范围内，使用不同的波长测量折射率（nD）和阿贝数值，数字显示，准确清晰，活动光源，可定做滤光片，对薄膜的XYZ轴有特殊方法检测！测量结果通过调整分界线至十字交叉点确定，测量结果在LCD显示屏以数字形式显示，与传统型阿贝折射仪相比，读数更快速更清晰。尤其适合高精度测量各类聚酯材料的折射率。

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文献贡献者

ATAGO（爱拓）中国分公司

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