红外退火炉 IRLA

参考价：¥10万 - 30万

核心参数

半自动快速退火炉RTP-快速热工艺设备RTP-SA-12

晶圆桌面型半导体快速退火炉（RTP）RTP-Table-6

全自动双腔快速退火炉RTP,晶圆快速退火炉

产品详情

红外退火炉产品特点

　　采用国外知名品牌部件：循环水路设计，带过滤部件，延长清洗炉体水路；红外灯管寿命高达5000小时，峰值波长约为1.25微米，炉体工艺镜面抛光。

　　高精度控温：模糊逻辑PID控温，控温精度可达±0.1℃。

　　快速控温：高能流密度红外灯设计，24秒内仪器可快速升温至1150℃；同时，炉体的热容小，配合先进的冷却系统，可实现快速降温。

　　异常报警保护：超温和流量异常时均会自动切断加热，保护炉膛，达到报警的效果。

　　洁净控温：非电阻炉加热，无绝热保温材料，更适合在洁净环境中使用。

　　可扩展性：带观察窗，可配CCD，采集光学信号；预留接口，可加载电学测量模块等。

1 红外退火炉.jpg

红外退火炉应用功能

　　● 强诱导体薄膜的结晶化退火

　　● 注入离子后的扩散退火

　　● 半导体材料的烧成与退火条件研究

　　● 快速热退火、热氧化和热氮化

　　● 电极合金化

　　● 晶向化和坚化

　　● 石墨烯等气相沉积

　　● 碳纳米管等外延生长

　　● 单晶基板热处理

温升曲线图（1150℃）

红外退火炉技术参数

型号	IRLA-1200
温度范围	RT~1150℃
温控精度	±0.1℃
最大升温速率	45℃/s (真空)，40℃/s (氮气)
测试气氛	真空， N2 ，惰性气体
最大样品尺寸	20 x 20 x 2，单位mm（最大）
处理材料类型	薄膜、粉体、块体、液体
温度传感器	标准K型热电偶
额定功率	4x(1KW-110V/根）
温度程序模式	温度-时间设置，最高256步，32个程序，循环、保温等功能模糊PID逻辑控温，手动/自动开始，USB485连接
外观尺寸	420X320X220，单位mm
重量	20.5kg

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