型号: | MDpicts |
产地: | 德国 |
品牌: | 弗莱贝格仪器 |
评分: |
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应用领域: |
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灵敏度:半导体材料电学缺陷分析的高灵敏度
温度范围:液氮(77k)至500k。可选:液氦(4k)或更高温度
衰减常数范围:20纳秒到几毫秒
沾污检测:电学陷阱基本性能确定:激活能和陷阱的俘获截面,受温度和注入水平影响的少子寿命参数等
重复性:> 99.5%,测量时间:< 60分钟。液氮消耗:2升/次
灵活性:从365 nm 到1480nm,根据不同材料选择不同波长激发光源
可访问性:基于IP的系统允许来自世界任何地方的远程操作和技术支持
图2.不同缺陷的评价 图3.Arrhenius曲线图
从Arrhenius斜率(图3)可以确定活化能。利用这种新型MDPpicts设备,可在20~500k范围内测量温度依赖性的瞬态光电导。Si, GaAs, InP, SiC和其他很多半导体材料已成功采用了这种方法进行研究。
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