型号: | QBT-I |
产地: | 福建 |
品牌: | 韫茂 |
评分: |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
产品详情:
上下双腔,集表面处理与蒸发镀膜为一体,高效可靠的Indium蒸镀助手。
技术参数
QBT-I 技术参数 Technical Specifications (Indium Bump等制备) | |
高真空腔体 HV Chamber | 2个HV腔室,Loadlock离子束刻蚀及蒸镀,极限真空Ultimate Pressure<3E-8Torr |
排气速率Pumping Spead | 从ATM到8E-7Torr<15min (loadlock) |
极限蒸发速率 High Depostion Rate | 5-12nm/s (Indium), Ф100基板镀膜均一性<3%, 大容量坩埚 |
精准的样品冷却控制 Wafer Cooling | -10-40℃ (精度±0.1) |
离子束清洗 Ion Milling | 考夫曼离子源, Ф100基板刻蚀均一性<3% |
人机界面 HMI | 全自动化人机操作界面 |
安全Safety | 工业标准安全互锁Industry Safety Interlock,报警Alarm,EMO |
测试结果
相关产品
关注
拨打电话
留言咨询