全自动四腔超高真空双倾角镀膜系统  QBT-J
全自动四腔超高真空双倾角镀膜系统  QBT-J

全自动四腔超高真空双倾角镀膜系统 QBT-J

参考价:¥200万 - 300万
型号: QBT-J
产地: 福建
品牌: 韫茂
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全自动四腔超高真空双倾角镀膜系统  QBT-J 

四腔体.jpg

约瑟夫森结超高压系统


  全自动四腔超高真空双倾角镀膜系统专专业制备约瑟夫森结制备,可精确生长所需的金属层和氧化绝缘层,确保高性能制备及高成品率;此镀膜仪有进样室、氩离子清洗室、电子束蒸 发室以及氧化室,共计四个高真空腔室,腔室间使用传样杆进行高真空传样,传递模组须采用抓取式设计;设备所有工艺均支持4英寸及以内的晶圆或不规则样品。设备整个工艺过程,可以完全按照用户设置的参数自动化运行,工艺流程包括并不限于:抽真空,监测气压,离子清洗,样品位置调节、传样,加热,电子束蒸发特 定厚度设置,自动调整气压等。


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技术参数


QBT-J 技术参数 Technical Specifications (双倾角约瑟夫森结制备)
超高真空腔体 UHV Chamber4个UHV Chamber,包括Loadlock/Aneal, Ion Milling, Ebeam-Evaporation, Oxidation, 极限真空Ultimate Pressure<1E-9Torr
基板加热 Wafer HeatingRT-900℃
离子束清洗 Ion Milling考夫曼离子源, Ion Energy 100-600eV, 100-1200eV, Ion Beam Current:20-200mA, Ф100基板刻蚀均一性<3%
电子束蒸发 Ebeam EvaporationUHV 5 Linear Pocket Ebeam Evaporation Source, 8KW Power Supply
氧化 OxidationFlow and Static Mode Oxidation
基板操控能力 Wafer Tilt and Rotation可实现180度倾斜及360度旋转,0.1度的精准控制
基板传输 Wafer Transfer高度可靠和可重复的基板传输能力
人机界面 HMI全自动化人机操作界面
安全Safety工业标准安全互锁Industry Safety Interlock,报警Alarm,EMO


厦门韫茂科技有限公司为您提供韫茂全自动四腔超高真空双倾角镀膜系统 QBT-J ,韫茂QBT-J 产地为福建,属于国产物理气相沉积设备,除了全自动四腔超高真空双倾角镀膜系统 QBT-J 的参数、价格、型号、原理等信息外,还可为您提供粉末式原子层沉积 GM1000、桌面型原子层沉积系统ALD 、QBT-I 双腔室高真空高速蒸镀系统,YM客服电话,售前、售后均可联系。

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