双腔体等离子体原子层沉积系统 QBT-T

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原子层沉积（Atomic layer deposition)是通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应腔体内并在沉积基体上化学吸附并反应而形成沉积膜的一种技术，具有自限性和自饱和。原子层沉积技术主要应用是在各种尺寸和形状的基底上沉积高精度、无针孔、高保形的纳米薄膜。

等离子体增强原子层沉积 (PlasmaEnhancedAtomicLayerDeposition，PEALD)是对ALD技术的扩展，通过等离子体的引入，产生大量活性自由基，增强了前驱体物质的反应活性，从而拓展了ALD对前驱源的选择范围和应用要求，缩短了反应周期的时间，同时也降低了对样品沉积温度的要求，可以实现低温甚至常温沉积，特别适合于对温度敏感材料和柔性材料上的薄膜沉积。

主要技术参数

QBT-A 技术参数 Technical Specifications （超导NbN, TiN以及 Al2O3, SiO2等制备)
高真空HV腔体	2个腔室，包括进样室和ALD，LoadLock极限真空 Ultimate Pressure<9E-6Torr
工艺腔极限真空 Ultimate Pressure	<5E-7Torr
等离子体 Plasma	最大600W RF自匹配电源
最大基板尺寸Max Wafer Size	Ф200mm，氧化铝均匀性<1%
高精准样品加热控制 Wafer Heating	RT-500±1oC
前驱体 Max Precursor	最大可包括3组等离子体反应气体 4组液态或固态反应前驱体
臭氧发生器Ozone Generator	可选配，生产效率15g/h
传输	高真空自动化传输
人机界面 HMI	全自动化人机操作界面
安全Safety	工业标准安全互锁Industry Safety Interlock，报警Alarm，EMO

测试结果展示

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双腔室高真空等离子体ALD系统

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