SUPERALD Exploiter原子层沉积设备
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SUPERALD Exploiter原子层沉积设备

参考价:¥100万 - 200万
型号: E200S 基片反应腔+ 6路进气口
产地: 广东
品牌:
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核心参数
深圳市原速科技有限公司
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产品详情

Exploiter原子层沉积系统是原速科技自主开发的新一代智能化ALD研发系统,广泛适用于纳米材料、微机电系统、催化剂、生物膜材料及光电材料等领域。


系统优势

     1.传输管路的优化设计,有效地避免管路堵塞及交叉污染问题

     2.工业化级别标准集成:PLC+工控机+触摸屏

     3.软件操作界面友好,可真正实现一键沉积

     4.全方位可靠的安全互锁方案

     5.实时监测镀膜工艺


技术指标

    1.本底真空:<5.0×10-3torr,高性能机械泵(可定制)

   2.样品腔室:φ200mm

   3.前驱体源:246

   4.氧化/还原反应物:3

   5.沉积温度:室温-500℃(可定制)

  6.前驱体管道温度:室温-120℃(可定制)

  7.源瓶加热温度:室温-120℃(可定制)


应用领域

    1 微电子:逻辑器件、碳纳米管、存储器件/材料、阻挡层

    2 光学:光子晶体、表面等离激元、光学微腔、导电氧化物、其他光学器件

    3 能源:锂电池、燃料电池、太阳能电池、超级电容器、表面钝化和敏化

    4 催化:氧化物催化剂、负载型金属催化剂、颗粒和高深宽比结构

    5 生物:生物薄膜和仿生、生物相容性涂层、生物检测电子器件、生物传感器

    6 纳米技术:微纳机电系统、纳流体器件、磁隧道结器件、单分子传感器



材料种类

    1 氧化物:Al2O3TiO2SiO2HfO2Ta2O5ZrO2ZnOSnO2La2O3Lu2O3

    2 金属材料及合金:FeCoNiCuAgAuRuPtAgAu

    3 二元/多元材料:AlNHfONLaAlO3MnNWN

    4 纳米层压材料:(Al2O3/ZrO2)n


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电话:

           

           

地址:深圳市宝安区新安街道兴东社区优创空间1号楼511-513

           41776 Fremont Blvd, Fremont CA 94538, USA





深圳市原速科技有限公司为您提供SUPERALD Exploiter原子层沉积设备E200S 基片反应腔+ 6路进气口,nullE200S 基片反应腔+ 6路进气口产地为广东,属于国产原子层沉积设备,除了SUPERALD Exploiter原子层沉积设备的参数、价格、型号、原理等信息外,还可为您提供更多原子层沉积设备,原速科技客服电话400-860-5168转5051,售前、售后均可联系。

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