| 型号： | Kronos |
| 产地： | 美国 |
| 品牌： | PVA Tepla |
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1. 产品概述：
垂直梯度凝固法系统 Kronos 是 PVA TePla 公司推出的一种先进材料制备设备。它主要利用垂直梯度凝固技术，在特定的温度和气氛条件下，使材料从熔体中定向凝固生长，从而获得高质量、具有特定晶体结构和性能的材料。
2. 设备应用：
· 半导体材料领域：用于生长半导体晶体，如硅、锗等，这些晶体是制造集成电路、电子器件的基础材料，所生长的高质量晶体可以提高半导体器件的性能和可靠性。
· 光电材料领域：可制备用于发光二极管（LED）、激光二极管等器件的材料，如砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等，有助于提升光电转换效率和发光性能。
· 太阳能电池领域：用于生产太阳能电池用的硅基材料，通过精确控制晶体生长过程，提高太阳能电池的光电转换效率和稳定性。
3. 设备特点：
· 高精度温度控制：配备先进的温度控制系统，能够在整个生长过程中精确控制温度梯度，确保晶体生长的稳定性和均匀性，从而获得高质量的晶体材料。例如，在生长硅晶体时，可精确控制温度在极小的范围内波动，保证硅晶体的结构完整性和电学性能。
· 优化的生长气氛：可以精确控制生长环境中的气体成分和压力，为晶体生长创造最佳的气氛条件，有效减少杂质和缺陷的形成。比如在生长某些对氧含量敏感的晶体时，能严格控制氧气的含量，防止晶体被氧化。
· 自动化程度高：系统具备高度自动化的操作流程，从材料装填、生长参数设置到生长过程监控和结束后的处理，都可以实现自动化控制，减少了人工干预带来的误差和不确定性，提高了生产效率和产品质量的稳定性。
· 可定制化：能够根据不同用户的需求和特定材料的生长要求，进行定制化的设计和调整，满足多样化的科研和生产需求。例如，对于不同尺寸和形状的晶体生长需求，可调整设备的腔体结构和相关部件
4. 产品参数（以部分为例）：
材料：砷化镓，磷化铟
坩埚直径：4–6"
坩埚高度:高达450 mm
炉室直径：800 mm
炉室高度:975 mm
工作压力:大40 bar
尺寸规格
高度:2,900 mm
宽度:1,650 mm
深度:1,350 mm
设备总重量:3,500 kg
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