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闻泰科技650V氮化镓(GaN)技术已通过车规级测试

导读:2021年上半年,闻泰科技半导体业务研发投入3.93亿元(全年规划9.4亿元),进一步加强了在中高压Mosfet、化合物半导体产品SiC和GaN产品、以及模拟类产品的研发投入。

闻泰科技11月3日在投资者互动平台表示,安世半导体在行业推出领先性能的第三代半导体氮化镓功率器件 (GaN FET),目标市场包括电动汽车、数据中心、电信设备、工业自动化和高端电源,特别是在插电式混合动力汽车或纯电动汽车中,氮化镓技术是其使用的牵引逆变器的首选技术。目前公司的650V氮化镓(GaN)技术,已经通过车规级测试。碳化硅(SiC)产品目前已经交付了第一批晶圆和样品。2021年上半年,公司半导体业务研发投入3.93亿元(全年规划9.4亿元),进一步加强了在中高压Mosfet、化合物半导体产品SiC和GaN产品、以及模拟类产品的研发投入。在化合物半导体产品方面,目前氮化镓已推出硅基氮化镓功率器件(GaN FET),已通过AEQC认证测试并实现量产,碳化硅技术研发也进展顺利,碳化硅二极管产品已经出样。

来源于:第三代半导体产业技术战略联盟

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闻泰科技11月3日在投资者互动平台表示,安世半导体在行业推出领先性能的第三代半导体氮化镓功率器件 (GaN FET),目标市场包括电动汽车、数据中心、电信设备、工业自动化和高端电源,特别是在插电式混合动力汽车或纯电动汽车中,氮化镓技术是其使用的牵引逆变器的首选技术。目前公司的650V氮化镓(GaN)技术,已经通过车规级测试。碳化硅(SiC)产品目前已经交付了第一批晶圆和样品。2021年上半年,公司半导体业务研发投入3.93亿元(全年规划9.4亿元),进一步加强了在中高压Mosfet、化合物半导体产品SiC和GaN产品、以及模拟类产品的研发投入。在化合物半导体产品方面,目前氮化镓已推出硅基氮化镓功率器件(GaN FET),已通过AEQC认证测试并实现量产,碳化硅技术研发也进展顺利,碳化硅二极管产品已经出样。