宇腾科技：GaN功率器件突破1200V！

近日，陕西宇腾电子科技有限公司（以下简称“宇腾科技”）氮化镓功率芯片技术实现新突破，公司自主研发生产的蓝宝石基氮化镓功率器件（GaN -on-Sapphire HEMT），工作电压（Vds）可达1200V，已进入量产阶段并通过可靠性测试。

宇腾科技蓝宝石基氮化镓功率器件工作电压可达到1200V，目前已量产四种型号，规格分别为：150mΩ/12A、100mΩ/15A、75mΩ/22A、50mΩ/30A。这一突破证明蓝宝石基氮化镓在功率器件市场具有巨大潜力，能够为新能源汽车领域带来更高的性能、更低的成本和更长的续航。相较于硅基氮化镓，蓝宝石基氮化镓提供了更高的电绝缘性能，这使得蓝宝石基氮化镓功率器件能够实现超过1200V的关态击穿电压，同时保持了器件的高电子迁移率和低电阻特性。针对宇腾科技1200V蓝宝石基氮化镓系列产品，25mΩ/60A规格产品正在开发测试中，预计2024年Q4实现量产。

在氮化镓功率器件产业，外延片的质量影响着下游芯片端、器件端的品质和性能。宇腾科技在氮化镓外延技术上保持创新与挑战的态度，不断优化产品品质并与上下游产业链保持良好的合作。以氮化镓为原料的第三代半导体技术，将以突破性的性能和广阔的应用场景，成为科技创新和产业发展的重要驱动力。