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冷场发射
技术参数：
1.分辨率：1.2nm(30kV)/3.0nm(1kV)
2.加速电压：0.2KV-30kV
3.放大倍数：10-100万倍
4.大束流高分辨5nA，WD10mm,15kV时分辨率3.0nm
5.束流强度：1pA到200nA(15KV)
主要特点：
1.浸没式热场发射电子枪，束流强度最大200nA（15KV)
2.无漏磁物镜设计，便于磁性样品观测和EBSP观测不变形
3.自动光阑角控制器,无需调整光阑
4.全自动控制聚焦、合轴、消像散、控制扫描速度
5.适于配合多种分析性探头
售后服务
365天
1年
安装调试现场免费培训
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