PMGI & LOR负光刻胶使能高产,广泛应用于在处理多种数据存储和无线芯片到MEMS的金属剥离。PMGI & LOR负光刻胶作为双叠层光刻胶,在超出单层防腐可以延长限制剥离处理。这包括非常高的分辨率的金属化(<0.25μM),以及非常厚(>4μm)金属化。这些独特的材料可几乎满足任何客户需要。
PMGI & LOR的特性:
1)高分辨,可用于 <0.25 μm Lift-off 工艺
2)undercut 结构可控,溶解速率易于调节
3)在Si,NiFe,GaAs,nP和其它III-V材料上有良好的粘附力
4)与 g-, h-,i-line,DUV,193 nm 和 E-beam 光刻胶等兼容
5)良好的耐热稳定性
6)去胶容易,剥离干净
应用:金属电梯加工,桥制造,释放层
PMGI & LOR的属性
1)覆盖在成像抗蚀剂不会混杂
2)在TMAH双叠层一步发展,或KOH开发
3)高热稳定性:Tg ~190 C
4)快速清除和常规抗剥离干净
5)0.25μm微米双层抗蚀成像
6)产量高,可用于很厚(>3μm)金属剥离处理
加工环境:
温度:20-25°± 1°C
湿度:35-45% ± 2%
相关溶液:
显影液:101 Developer
去胶剂:Remover PG
稀释液:G Thinner
一般储存温度:
4-27°C
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