超高真空(UHV)脉冲激光沉积系统(PLD) (Pulsed Laser Deposition)
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超高真空(UHV)脉冲激光沉积系统(PLD) (Pulsed Laser Deposition)
特别感谢,台湾大学、北京清华大学、台湾交通大学、台湾成功大学、宁波中科院材料所 等实验室，采用铠柏科技公司生产的超高真空(UHV)脉冲激光沉积系统(PLD)。
本公司能在德、日主流大厂环绕下，用坚强的研发团队及厚实的经验，为广大科研人员提供高性能的客制化实验设备及制程解决方案。
原理介绍
超高真空(UHV)脉冲激光沉积系统(PLD)(Pulsed Laser Deposition)藉由脉冲激光束聚焦在靶材的表面上，当靶材表面吸收大量电磁辐射（Electromagnetic Radiation），导致靶材快速蒸发。
蒸发的物质由容易逃出以及离子化的物质组成。如果烧蚀作用(ablation)在真空之下进行，离子化的物质本身会实时在靶材表面上形成光亮的等离子羽状物并蒸镀至样品表面。一般工作压力为小于10-6Torr。系统优点
- PLD激光诱发的羽辉中的材料本身仍然具有和靶材接近的化学成份比。
- PLD在成核速率与成核点的密度比较高；较高的成核点密度也改善了镀膜的平滑度。
- PLD能镀膜的材料以及真空度几乎不受限。
- 镀膜能量由腔体外供应，腔体设计相对单纯。
- 同一道雷射光源就可供数个腔体镀膜使用，节省成本。
- PLD技术在超高真空仔细控制情况下以层状堆栈分子，称之为Laser MBE(Molecular beam epitaxy)，可以达到分子束外延MBE(Molecular beam epitaxy)的的效果
规格
- 标准配备德国Pfeiffer涡轮分子帮浦。
- 真空抽气经烘烤后可到5╳10-10torr 。
- 1到6吋样品座
- 样品手臂可进行XYZ三轴移动
- 样品可升温至850°C，具旋转功能(最快20RPM)
- 6或8靶材座
- 靶材具有公自转或公转及倾斜调整能力
- 1至3个雷射路径
- 气体流量控制
- 制程屏蔽控制
典型用户
| 用户单位 | 采购时间 |
|---|---|
| 寧波中科院材料所 | 2012-11-15 |
| 台灣成功大學 | 2010-03-10 |
| 台灣交通大學 | 2011-11-15 |
| 北京清華大學 | 2011-01-12 |
| 台灣大學 | 2012-11-21 |
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