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超高真空(UHV)分子束外延系统(MBE)(Molecular beam epitaxy )
特别感谢,台湾大学、等系所实验室，采用铠柏科技公司生产的超高真空(UHV)分子束外延系统(MBE)(Molecular beam epitaxy )
本公司能在德、日主流大厂环绕下，用坚强的研发团队及厚实的经验，为广大科研人员提供高性能的客制化实验设备及制程解决方案。
原理介绍
分子束外延(MBE)(Molecular beam epitaxy )是利用分子在超高真空(10-10Torr以下)的环境下，以直线行进不与其他分子碰撞的情况下前进到基板之上，形成致密的高纯度镀层。
分子束外延(MBE)(Molecular beam epitaxy )的分子源需要根据不同的材料特性以及制程需求来进行选择。
系统优点
规格
特别感谢,台湾大学、等系所实验室，采用铠柏科技公司生产的超高真空(UHV)分子束外延系统(MBE)(Molecular beam epitaxy )
本公司能在德、日主流大厂环绕下，用坚强的研发团队及厚实的经验，为广大科研人员提供高性能的客制化实验设备及制程解决方案。
原理介绍
分子束外延(MBE)(Molecular beam epitaxy )是利用分子在超高真空(10-10Torr以下)的环境下，以直线行进不与其他分子碰撞的情况下前进到基板之上，形成致密的高纯度镀层。
分子束外延(MBE)(Molecular beam epitaxy )的分子源需要根据不同的材料特性以及制程需求来进行选择。
系统优点
- 分子束外延(MBE)(Molecular beam epitaxy )的成长过程，如果控制精确度，可以达到单原子层成长，因此可以轻易地控制，成出超晶格结构。
- 其成膜温度低能而有效减少缺陷，成长出高质量薄膜。
- 但缺点是膜厚成长缓慢，镀膜均匀度较难掌握，需要很干净的超高真空环境保证镀膜质量。
规格
- 真空抽气经烘烤后可达到优于1E-10Torr。
- 多材料共蒸镀的腔体设计。
- 样品可升温至800°C，具旋转功能。
- 多种外延用蒸发源可供选择。
- 可配备进样室，减少污染，样品座可容纳至少2个样品，减少真空腔体开关次数。
- 配备符合超高真空需求的磁性样品传送杆。
- 提供多样化蒸发源：Effusion cell, Plasma cell, Crack cell …
- 多种蒸镀材料或反应性镀膜技术：Metal Cell, Oxide Cell, Liquid Metal Cell, Organic Cell
- 各种容量的蒸发源
- 系统配备石英膜厚计,协助镀膜监控
典型用户
| 用户单位 | 采购时间 |
|---|---|
| 台灣大學 | 2012-06-13 |
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超高真空(UHV)分子束外延系统(MBE)(Molecular beam epitaxy )信息由台灣鎧柏科技有限公司为您提供，如您想了解更多关于超高真空(UHV)分子束外延系统(MBE)(Molecular beam epitaxy )报价、型号、参数等信息，欢迎来电或留言咨询。
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