薄膜沉积制备系统 芬兰PICOSUN™ R200系列
报价 ¥100万 - 200万
仪器对比
关注
进口
样本下载
名称：原子层沉积系统（薄膜沉积制备系统）
品牌：PICOSUN
产地：芬兰
型号：PICOSUN™ R200系列
PICOSUN™ R200系列设备提供高质量ALD薄膜的沉积技术，并在各种各样的衬底上都表现极佳的均匀性，包括最具挑战性的通孔的、超高深宽比和颗粒等样品。我们为液体、气体和固体化学物提供的更高级的，易更换的前驱源系统，能够在晶圆、3D样品和各种纳米特性的样品上生长颗粒度最小的薄膜层。在最基本的PICOSUN™ R系列配置中可以选择多个独立的，完全分离的源入口匹配多种类型的前驱源。PICOSUN™ R系列独特的扩展性使ALD工艺可以从研究环境直接过渡到生产环境的PICOSUN™ P系列ALD系统。由于研发型与生产型PICOSUN™反应腔室核心设计特点都是相同的,这消除了实验室与制造车间之间的鸿沟。对大学来说,突破创新的技术转化到生产中，就会吸引到企业投资。
客户使用PICOSUN™ R系列ALD 设备在150mm和200mm（6“和8”）晶圆上所沉积薄膜厚度均匀性数据。
| 材料 | 非均匀性(1σ) |
| AI2O3 (batch) | 0.13 % |
| SiO2 (batch) | 0.77 % |
| TiO2 | 0.28 % |
| HfO2 | 0.47 % |
| ZnO | 0.94 % |
| Ta2O5 | 1.0 % |
| TiN | 1.10 % |
| CeO2 | 1.52 % |
| Pt | 3.41 % |
Picosun给做III-V半导体及其他复合物的半导体工厂提供尖端的ALD生产解决方案。
PICOSUN.ALD针对200mm尺寸晶圆（向下兼容）可以提供无与伦比的专业知识和优化的设备选型功能，能为最先进的化合物半导体产品降低成本和提供高质量薄膜工艺。
ALD工艺包括：Al2O3、ZnO、TiO2、SiO2、ZrO2和HfO2、Ta2O5；氮化物如：氮化钛、氮化铝以及金属。
薄膜沉积制备系统 芬兰PICOSUN™ R200系列ALD在III- V半导体器件的应用:
ALD在复合半导体的应用包括(不局限于以下)：
. 高电子迁移率晶体管(HEMT)
. 金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)与金 属-半导体场效应晶体管(MESFET)
. 垂直腔面发射激光器(VCSEL)和其他激光二极管
. 多节太阳能电池
. LEDs
. 声表面滤波器(SAW)/体声滤波器(BAW filters)
薄膜沉积制备系统 芬兰PICOSUN™ R200系列ALD能够应用在:
. 表面钝化以减少边界缺陷
. 高k介电材料
. 扩散阻挡层防止元素混合
. 不同环境下的器件封装保护
- 相关仪器
相关产品
