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侧向溅射
1. 技术规格
衬底温度：<100℃；在4英寸衬底上沉积厚度300nm时片内厚度不均匀性(不包括5mm边) <±5%。
2. 产品配置：
2.1 主真空室：
主真空室的内壁材料为电子级抛光，与溅射材料无任何反应；前开或者侧开式真空室；有必要的连接法兰包括泵、溅射源、气体入口、挡板、阀门、预真空室， 10cm直径的观察窗，并带有挡板。
2.2预真空室：
将基片从预真空室传送到主真空室的装置；安装基片的门有O型垫圈密封。
2.3泵与阀门：
主真空室配备20cm（8英寸）的冷泵， CTI带自动再生功能的；预真空室用分子泵，与主真空室通过阀门连接；主真空室的本底真空应该好于5×10-8τ；预真空室的本底真空好于1×10-6τ。主真空室和预真空室共用一个干泵。
主真空室应配有电离压力真空计，用于低压显示， 100mτ电容压力计显示压力，热偶或其它量表用于高压显示；预真空室配有电离压力真空计，热偶或其它量表用于高压显示；所有的量表能输出和显示。
2.4溅射源：
具有2个射频溅射源，1个射频清洗电源，2个直流溅射电源，可自动切换至任意靶位；
具有4个溅射靶位以共聚焦的方式安装，3英寸磁控靶、进气口和挡板构成；挡板用电动控制；溅射源之间有屏蔽保护，以防止靶材之间互相污染。
在4英寸晶圆上溅射厚度的均匀性好于±5%（除了5mm的边缘）。
2.5基片控制：
系统适用于直径100mm（4英寸）及以下基片，含碎片和4英寸衬底托盘；系统可以通过简单有效的方法将基片从预真空室传送到主真空室；基片架可以用电机控制旋转，转速在0～40rpm内可精确调节；基片水冷，在连续溅射沉积金属 300nm后，基片的温度不能超过100℃；基片可以在-80°到80°范围内倾斜，控制精度优于0.5°。
2.6工艺气体控制：
系统能够提供3路工艺气体到溅射腔室；每路气体管线有阀门和流量计控制；系统提供电子方式控制气体的混合和系统的工艺压力；在溅射过程中系统的工艺压力可以控制在2mτ到20mτ。
2.7计算机控制系统：
能够控制所有的功能，具有良好的用户操作界面具有程序自动控制工艺的功能。
1年
是
有
1次免费培训
3月1次
免费维修免费更换部件
2小时响应
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