加拿大Gentec-EO公司生产的激光功率能量计在激光测量领域声名显赫,其产品在国际上获得了广泛的应用。三十多年来,Gentec-EO一直全心致力于激光测量仪器的研制与开发,为用户提供更加全面的产品规格及更优惠的价格。七十年代初率先生产出台焦热电式能量计;也首先生产了热电堆式和焦热电式能量计和功率计;九十年代中期研发的至今的WB技术,目前已使探测面平均功率密度损失阈值高达100kW/cm2。Gentec-EO的激光功率能量计适用于多种激光测量,如工业激光、医用激光及军用激光等。
PH-B
特征
-非常灵敏的光功率探测器
测量值可低至 10 pW
-提供2种传感器
PH10B-Si:直径为10 mm 的硅传感器,适于 0.21 至 1.08 μm
PH5B-Ge:直径5 mm的锗传感器,适于0.8 至 1.65 μm
-智能接口
包含所有的校准数据
-兼容的监视器
MAESTRO
M-LINK
姓名 | 描述 | 形象 | P/N |
PH10B-Si | 10毫米直径,硅传感器。 带支架。 | 202820 | |
PH5B-Ge | 5毫米直径,锗传感器。 带支架。 | 202821 |
PH
特征
-大光圈
硅传感器光圈为10 mm直径
-3种型号
硅 350 - 1080 nm,高达750 mW
紫外硅 210 - 1080 nm,高达38 mW
锗 800 - 1650 nm,高达500 mW
-衰减器选择
OD0.3: 50% 传输(PH100-SiUV)
OD1: 10% 传输
OD2: 1% 传输
-高度
全新PH100-Si-HA大幅降低校准不确定因素
-校准
波长选择 1 nm一格
-智能接口
包含所有的校准数据
-兼容的监视器
MAESTRO
M-LINK
TUNER
UNO
P-LINK
姓名 | 描述 | 形象 | P/N |
PH100-Si-HA | 10毫米直径,36毫瓦,硅传感器,350-1080纳米。高度。带支架。 | 202682 | |
PH100-Si-HA-INT | 10毫米直径,36毫瓦,硅传感器,350-1080纳米。高度。带支架。嵌入 INTEGRA (USB)的监控仪 | 202781 | |
PH100-Si-HA-IDR | 10毫米直径,36毫瓦,硅传感器,350-1080纳米。高度。带支架。嵌入 INTEGRA (RS-232)的监控仪 | ||
PH100-Si-HA-OD1 | 10毫米直径,300毫瓦带OD1衰减器(T = 10%)硅传感器,420-1080纳米。高度。带支架。 | 202684 | |
PH100-Si-HA-OD1-INT | 10毫米直径,300毫瓦带OD1衰减器(T = 10%)硅传感器,420-1080纳米。高度。带支架。嵌入 INTEGRA (USB)的监控仪 | 202783 | |
PH100-Si-HA-OD1-IDR | 10毫米直径,300毫瓦带OD1衰减器(T = 10%)硅传感器,420-1080纳米。高度。带支架。嵌入 INTEGRA (RS-232)的监控仪 | ||
PH100-Si-HA-OD2 | 10毫米直径,750毫瓦,带OD2衰减器(T = 1%)硅传感器,630-1080纳米。高度。带支架。 | 202686 | |
PH100-Si-HA-OD2-INT | 10毫米直径,750毫瓦,带OD2衰减器(T = 1%)硅传感器,630-1080纳米。高度。带支架。嵌入 INTEGRA (USB)的监控仪 | 202785 | |
PH100-Si-HA-OD2-IDR | 10毫米直径,750毫瓦,带OD2衰减器(T = 1%)硅传感器,630-1080纳米。高度。带支架。嵌入 INTEGRA (RS-232)的监控仪 | ||
PH100-SiUV | 10毫米直径,4毫瓦,UV硅传感器,210-1080纳米。带支架。 | 202806 | |
PH100-SiUV-INT | 10毫米直径,4毫瓦,UV硅传感器,210-1080纳米。带支架。嵌入 INTEGRA (USB)的监控仪 | 202787 | |
PH100-SiUV-IDR | 10毫米直径,4毫瓦,UV硅传感器,210-1080纳米。带支架。嵌入 INTEGRA (RS-232)的监控仪 | ||
PH100-SiUV-OD.3 | 10毫米直径,11毫瓦带OD0.3衰减器(T = 50%),UV硅传感器,210-1080纳米。带支架。 | 202680 | |
PH100-SiUV-OD.3-INT | 10毫米直径,11毫瓦带OD0.3衰减器(T = 50%),UV硅传感器,210-1080纳米。带支架。嵌入 INTEGRA (USB)的监控仪 | 202791 | |
PH100-SiUV-OD.3-IDR | 10毫米直径,11毫瓦带OD0.3衰减器(T = 50%),UV硅传感器,210-1080纳米。带支架。嵌入 INTEGRA (RS-232)的监控仪 | ||
PH100-SiUV-OD1 | 10毫米直径,25毫瓦带OD1衰减器(T = 10%),UV硅传感器,400-1080纳米。带支架。 | 202809 | |
PH100-SiUV-OD1-INT | 10毫米直径,25毫瓦带OD1衰减器(T = 10%),UV硅传感器,400-1080纳米。带支架。嵌入 INTEGRA (USB)的监控仪 | 202789 | |
PH100-SiUV-OD1-IDR | 10毫米直径,25毫瓦带OD1衰减器(T = 10%),UV硅传感器,400-1080纳米。带支架。嵌入 INTEGRA (RS-232)的监控仪 | ||
PH20-Ge | 5毫米直径,30毫瓦,锗硅传感器,800-1650纳米。带支架。 | 202807 | |
PH20-Ge-INT | 5毫米直径,30毫瓦,锗硅传感器,800-1650纳米。带支架。嵌入 INTEGRA (USB)的监控仪 | 202793 | |
PH20-Ge-IDR | 5毫米直径,30毫瓦,锗硅传感器,800-1650纳米。带支架。嵌入 INTEGRA (RS-232)的监控仪 | ||
PH20-Ge-OD1 | 5毫米直径,300毫瓦带OD1衰减器(T = 10%)锗传感器,900-1650纳米。带支架。 | 202810 | |
PH20-Ge-OD1-INT | 5毫米直径,300毫瓦带OD1衰减器(T = 10%)锗传感器,900-1650纳米。带支架。嵌入 INTEGRA (USB)的监控仪 | 202795 | |
PH20-Ge-OD1-IDR | 5毫米直径,300毫瓦带OD1衰减器(T = 10%)锗传感器,900-1650纳米。带支架。嵌入 INTEGRA (RS-232)的监控仪 | ||
PH20-Ge-OD2 | 5毫米直径,500毫瓦带OD2衰减器(T = 1%)锗传感器,950-1650纳米。带支架。 | 202813 | |
PH20-Ge-OD2-INT | 5毫米直径,500毫瓦带OD2衰减器(T = 1%)锗传感器,950-1650纳米。带支架。嵌入 INTEGRA (USB)的监控仪 | 202797 | |
PH20-Ge-OD2-IDR | 5毫米直径,500毫瓦带OD2衰减器(T = 1%)锗传感器,950-1650纳米。带支架。嵌入 INTEGRA (RS-232)的监控仪 |
PE-B
2 fJ - 2 μJ, Our Lowest Energy Measurements
主要特征
-噪声极低
采用M-LINK、MAESTRO和S-LINK监控器进行测量,噪音低至8 fJ。
-提供3种传感器
PE-B-Si 系列:直径3 mm和10 mm的硅传感器,适于0.21to 1.08 μm
PH5B-Ge:直径5 mm的锗传感器,适于0.8 至 1.65 μm
PH3B-In:直径3 mm的砷化铟镓传感器,适于0.9至 1.7 μm
-智能接口
包含所有的校准数据
-兼容的监视器
MAESTRO
M-LINK
S-LINK
AVAILABLE MODELS
PE3B-Si
(3 mm - Silicon)
PE10B-Si
(10 mm - Silicon)
PE5B-Ge
(5 mm - Germanium)
PE3B-In
(3 mm - InGaAs)
附件
Stand with Delrin Post
(Model Number: 200428)
Removable IR Windows
(Various types available)
Fiber Adaptors & Connectors
(FC, SC, ST and SMA)
IR Alignement Aide, Crosshairs
and Integrating Sphere
APM Analog Power Supply
(Model Number: 201495)
Pelican Carrying Case
SPECIFICATIONS
MODELS | PE3B-Si | PE10B-Si | PE5B-Ge | PE3B-In |
MAX MEASURABLE ENERGY | 2 nJ | 2 μJ | 20 nJ | 2 nJ |
EFFECTIVE APERTURE | 3 mm ? | 10 mm ? | 5 mm ? | 3 mm ? |
姓名 | 描述 | 形象 | P/N |
PE3B-Si | 3毫米直径,硅传感器。带支架。 | ||
PE3B-Si-INT | 3毫米直径,硅传感器。带支架。嵌入 INTEGRA (USB)的监控仪 | ||
PE3B-Si-IDR | 3毫米直径,硅传感器。带支架。嵌入 INTEGRA (RS-232)的监控仪 | ||
PE3B-Si-INE | 3毫米直径,硅传感器。带支架。嵌入 INTEGRA (带有外部触发器的USB)的监控仪 | ||
PE10B-Si | 10毫米直径,硅传感器。带支架。 | 202822 | |
PE10B-Si-INT | 10毫米直径,硅传感器。带支架。嵌入 INTEGRA (USB)的监控仪 | 203081 | |
PE10B-Si-IDR | 10毫米直径,硅传感器。带支架。嵌入 INTEGRA (RS-232)的监控仪 | ||
PE10B-Si-INE | 10毫米直径,硅传感器。带支架。嵌入 INTEGRA (带有外部触发器的USB)的监控仪 | ||
PE5B-Ge | 5毫米直径,锗传感器。带支架。 | 202825 | |
PE5B-Ge-INT | 5毫米直径,锗传感器。带支架。嵌入 INTEGRA (USB)的监控仪 | 203083 | |
PE5B-Ge-IDR | 5毫米直径,锗传感器。带支架。嵌入 INTEGRA (RS-232)的监控仪 | ||
PE5B-Ge-INE | 5毫米直径,锗传感器。带支架。嵌入 INTEGRA (带有外部触发器的USB)的监控仪 | ||
PE3B-In | 3毫米直径,铟镓砷传感器。带支架。 | ||
PE3B-In-INT | 3毫米直径,铟镓砷传感器。带支架。嵌入 INTEGRA (USB)的监控仪 | ||
PE3B-In-IDR | 3毫米直径,铟镓砷传感器。带支架。嵌入 INTEGRA (RS-232)的监控仪 | ||
PE3B-In-INE | 3毫米直径,铟镓砷传感器。带支架。嵌入 INTEGRA (带有外部触发器的USB)的监控仪 |
PRONTO-Si
0.3 nW - 800 mW Power Probe with Touch Screen Controls
主要特征
-袖珍型
该款低功率激光探头极为小巧,可放入衣服口袋!
-超薄外形
传感器部件仅 6 mm 厚,适用于狭窄空间
-操作简单
触摸屏彩色 LCD 具有友好的用户界面。只需触摸一下按钮即可进行测量!
-超低功率测量
由于噪声级别低至 10 pw,Pronto-Si 可测量 0.3 nw 的功率
-滑入式衰减器
将 od1 集成滤光片滑动到开启位置,即可测量 800 mw 的连续功率
-用户可设置
可以根据自己的应用设置波长、亮度和屏幕方向
-数据记录
将数据保存至内存,然后可通过 USB 连接传输至 PC。
USER INTERFACE
免提操作
不包括架子
DATA TRANSFER TO PC
SPECIFICATIONS
PRONTO-Si | |
MAX AVERAGE POWER (ATTENUATOR OFF / ATTENUATOR ON) | 80 mW / 800 mW |
EFFECTIVE APERTURE | 10 x 10 mm |
INTERFACE | Touch Screen Color LCD Display |
主要规格参数
111 | PRONTO-Si |
光谱范围 | 320 - 1100 nm |
关闭衰减器 | 320 - 1100 nm |
打开衰减器 | 400 - 1100 nm |
功率范围 | 0.3 nW - 800 mW @ 1064 nm |
关闭衰减器 | 0.3 nW - 80 mW @ 1064 nm |
打开衰减器 | 3 nW - 800 mW @ 1064 nm |
噪声等效功率 | 10 pW @ 980 nm |
响应时间 | 0.2 sec |
平均功率密度 | 100 W/cm2 |
平均功率 | 800 mW (打开衰减器) |
显示屏类型 | 触摸屏彩色 LCD |
显示屏尺寸 | 28.0 x 35.0 mm (128 x 160像素) |
电池类型 | 可充电锂电池 |
电池寿命 | 17 hours (with brightness set at 25%) |
有效孔径 | 10 x 10 mm |
安装孔 (支柱用) | 1 x 8-32 |
尺寸 (Open) | 41.0W x 212.0L x 15.0D (传感器部件仅 6.0D mm) |
尺寸 (Closed) | 41.0W x 134.0L x 21.5D |
重量 | 150 g |
直观的用户界面
姓名 | 描述 | 形象 | P/N |
Pronto-Si-FC | |||
Pronto-Si | 测量范围达 800 mW 的袖珍型功率计。触摸显示屏。集成滑入式衰减器。10 x 10 mm 硅传感器 (320 - 1100 nm)。不带架子。 | 202963 |
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