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电子束光刻系统
产品特点
1.采用高亮度和高稳定性的TFE电子枪
2.出色的电子束偏转控制技术
3.采用场尺寸调制技术，电子束定位分辨率（address size)可达0.0012nm
4.采用轴对称图形书写技术，图形偏角分辨率可达0.01mrad
5.应用领域广泛，如微纳器件加工，Si/GaAs
产品参数
产品参数
1.最小线宽：小于10nm（8nm available)
2.加速电压：1-50kV
3.电子束直径：小于2nm
4.套刻精度：20nm(mean+2σ)
5.拼接精度：20nm(mean+2σ)
6.加工晶圆尺寸：4-8英寸(standard)，12英寸(option)
7.描电镜分辨率：小于2nm
产品介绍
产品介绍
纳米光刻技术在微纳电子器件制作中起着关键作用,而电子束光刻在纳米光刻技
术制作中是zui好的方法之一。为21世纪先进纳米科技提供尖端
的电子束纳米光刻（EBL）系统，或称电子束直写（EBD）、电子束爆光系统。
系列zui小线宽可达8nm，zui小束斑直径2nm，套刻
精度 20nm(mean+2σ)，拼接精度 20nm(mean+2σ)。
1年
是
有
技术人员现场培训
2个月1次
软件免费重装，硬件维修
24小时到达
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