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20 ns到几十ms
500μm
125×125 到210×210 mm² 之间
0.2–>10³ Ohm cm
硅、化合物半导体 、 氧化物、 宽带隙材料、 钙钛矿 、外延层
应用材料范围：
● 硅| 化合物半导体 | 氧化物| 宽带隙材料| 钙钛矿 | 外延层
无接触且非破坏的少子寿命成像测试：(μPCD/MDP(QSS),光电导率，电阻率和p/n型检测
● 符合半导体行业标准 SEMI PV9-1110
半导体质量的可视化是通过广泛应用的先进微波技术实现的。关键的电子半导体参数的无接触的快速图形化检测，像少数载流子寿命、光导率、电阻率和缺陷信息等参数的测量，都可以通过无与伦比的空间分辨率、灵敏度和测量速度的图形化方式来展现。这种方法为半导体生产和研究提供了一个广泛的已有和新的应用领域。
MDP系列产品涵盖了广泛的应用范围，从高产量、自动化生产的易集成OEM模块到研究和高灵活性的故障排除工具，MDP始终专注于各种解决方案。可靠和耐用的设计，再加上新电子可能性的集成，使MDP系列产品成为未来高速非接触式电子半导体特性检测的完美选择。
MDPpro单晶、多晶晶圆和晶锭少数载流子寿命测试设备产品性能介绍：
● 上限通量: >240 bricks/day或>720 wafers/day
● 测试速度: <4 minutes，156×156×400 mm 标准晶锭
● 寿命测试范围: 20 ns到几十ms
● 产量提升: 1mm的切割标准156×156×400mm标准晶锭
● 质量控制: 专为单晶或多晶硅等工艺和材料的质量监控而设计
● 污染判断: 产生于坩埚和生产设备中的金属污染 (Fe)
● 可靠性: 模块化，坚固耐用的工业仪器，具有更高的可靠性和正常运行时间 > 99%
● 重复性: > 99.5%
● 电阻率：电阻率面扫功能，无需频繁校准
应用方向：
● 半导体材料少子寿命
● 铁浓度测定
● 缺陷浓度测试
● 硼氧浓度测试
● 受注入浓影响的测试
● 晶圆切割，熔炉监控，材料优化
a.具有自动确定切割标准的多晶硅砖的寿命（τ）图
b. 空间分辨p / n电导转换的检测
c.多晶硅块的电阻率图
1年
否
有
安装时现场培训
无
根据具体仪器型号确定
24小时内相应
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