灵敏度:对外延工艺监控和不可见缺陷检测,具有可视化测试的高分辨率
测量速度:6英寸硅晶圆片,1mm分辨率 ,小于5分钟
寿命测试范围: 20纳秒到几十毫秒
沾污检测:源自坩埚和生长设备的金属(Fe)污染
测量能力:从初始切割的晶圆片到所有工艺加工的样品
灵活性:允许外部激光通过触发器,与探测模块耦合
可靠性: 模块化和紧凑台式仪器,更高可靠性,正常运行时间> 99%
重现性: > 99.5%
电阻率:无需时常校准的电阻率面扫描
MDPmap是一个紧凑的离线台式检测设备,对生产控制或研发进行无接触电学参数特性检测。可测量参数如载流子寿命、光电导性、电阻率、缺陷信息在稳态或注入范围宽短脉冲励磁(μ-PCD)。自动化的样品识别和参数设置可以方便地适应各种不同的样品,包括在不同的制备阶段,从生长的晶圆片到高达95%的金属化晶圆片的外延片和晶圆片。
MDPmap主要优点是其高度的灵活性,它允许集成最多4个激光器,用于从超低注入到高注入,对依赖于注入水平的少子寿命参数测量,或者使用不同的激光波长提取深度信息。包括偏置光设置以及μ-PCD或稳态注入条件选项。可以使用不同的图谱进行客户定义的计算,也可以导出原始数据进一步评估。对于标准计量任务,可用一个预定义的标准,使常规测量只需按一个按钮。
半导体 2020-07-14
1年
否
有
安装时现场培训
无
根据具体仪器型号确定
24小时内相应
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