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Laser MBE
Laser MBE
特点
模块化概念，Laser MBE可以轻松升级到中央传输模块或其他模块
UHV PLD主腔室、利用Load-lock实现衬底和靶材的UHV传输
先进的工艺自动化功能，可实现超晶格生长
温度测量准确的耐氧衬底加热器，最高1000 ℃，也可以选配激光加热
靶台可以屏蔽交叉污染，传输整个carrousel而非单个靶材
真空腔室利于系统升级（RHEED，等离子体源，OES/FTIR等）
SURFACE激光能量密度控制选件，100%的结果可重复性
全封闭光路，安全省事
整套交付，先进的在线支持
PLD/Laser MBE腔室
PLD/Laser MBE腔室
SURFACE的Laser MBE腔室专为科研而设计，并提供高级Laser MBE需要的所有特征。
衬底和靶材的UHV传输
冷壁设计防止沉积过程中腔壁放气
原位分析窗口和法兰口（RHEED，OES或FTIR，质谱仪）
沉积源和等离子体源备用法兰口
先进的SURFACE衬底加热器或激光加热
靶台最多可存贮5个1寸靶材
激光能量密度控制
激光能量密度控制
Laser MBE可以选配SURFACE 激光能量密度控制功能。它可以确保薄膜沉积的重复性。在每一步沉积前，自动校准激光能量密度，脉冲能量随着时间推移而始终保持恒定。
Load Lock
Loadlock腔室最多可同时装载5个样品和2个靶台carrousel。
控制软件
控制软件
SURFACE的Laser MBE设备均是高度自动化的，可以自动控制整个沉积过程，从而确保设备易于操作。
多个工艺步骤被合并到一个沉积程序中，直观的工艺过程可视化操作，高度灵活的数据记录和导出，优异的自我测试能力。
升级到Cluster系统
Cluster系统
Laser MBE可以轻松升级为功能齐备的cluster系统。在PLD主腔室和Load-lock进样室中间插入中央cluster传输模块。模块化设计和轮式支架简化了升级过程，可根据需要和预算来升级系统。
1年
是
无
无
无
无
无
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