专业测试SiC及Si基IGBT、MOSFET动态时间参数特性,测试范围可达3500V 4000A
项目 | 内容 | 平台设计值 | 备注 |
工作 环境 | 设备输入电压 | 220V | ±10% |
设备输入频率 | 50HZ | ±5% | |
设备输入电流 | <45A | / | |
驱动 电压 | Vge | Vgon=0~+30V可调 Vgoff=0~-30V可调(5V≤Vgon-Vgoff≤30V) | 通过计算机设定;精度±3% |
脉冲 宽度 | 单、双脉冲时间可调 | <4us(总时间) | 通过计算机设定 |
母线电压 | 波动范围 | ±3% | / |
功率回路寄生电感 | 寄生电感 | <15nH | / |
开关特性 | 开通特性 | Td(on): 5-400ns Tr: 5-400ns Ton: 5-1000ns Eon:1-500mJ | 1. Rgon/Rgoff=客户焊接电阻 2. 开通测试发双脉冲,脉冲时间在计算机输入,<4us(总时间) 3. 关断测试发单脉冲,脉冲时间在计算机输入,<4us(总时间) 4. 分辨率:0.1ns 5. 测试精度±5% |
关断特性 | Td(off):5-400ns Tf: 5-400ns Toff: 5-1000ns Eoff: 1-500mJ | ||
二极管反向恢复特性 | 反向恢复 | Trr: 5-400ns Qrr:1nC~100uC Irm:0~400A Erec:1~500mJ | 1. 发双脉冲,脉冲时间在计算机输入,<4us(总时间) 2. 分辨率:0.1ns 3. 测试精度±5% |
SC | 关断电流Idmax 关断峰值电压Vdsmax | Idmax:0~6000A Vdsmax:0V~1500V | 1. 发单脉冲,脉冲时间<4us,脉冲时间在计算机输入 2. 分辨率:0.1ns 3. 测试精度±5% |
栅极特性 | 栅电荷 | Qg: 1nC~100uC | 1. 漏极电压50V~1500V 2. 分辨率:0.1ns 3. 测试精度±5% |
软件配置
硬件方案
i. 示波器采用力科HDO3104。
ii. 电压探头采用HVD3220。
iii. 电流探头采用SDN414同轴电阻。
测试数据示例
服务与支持
免费测样/软件更新/定期校准/完善培训
1年
是
有
1次
详谈
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48小时抵达现场
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