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直拉法晶体生长系统SC 24单晶炉专为单晶硅晶体（硅锭）的工业生产而研发。该系统的模块化设计理念可根据客户的需求而进行灵活的调整。低能耗优化设计的24英寸热系统（热场）可以实现160公斤填料（无需加料器），生产直径 230 毫米 (9英寸) 的晶体。根据直径和装载量的不同，该设备可拉制的晶体最大长度为 2.9 米。拉晶速度最大可达到10毫米/分钟，晶转和埚转的转速高达35转/分钟。
借助用于直径测量的摄像系统和用于温度测量的两个高温计，通过 PLC（可编程逻辑控制器）和 PC 的控制实现自动拉晶工艺。用于工艺控制和监控的图文控制界面操作简单友好，并针对大规模生产进行了优化。
产品数据概览 :
最大晶棒直径： 最长230 毫米
晶棒长度： 最长2,900 毫米
装料容量： 160公斤-220公斤
热场： 24英寸
该晶体生长系统作为半导体行业的重要组成部分具有以下特点：
精确性：通过精密仪器制造的驱动单元够实现可重复的工艺控制并生产出最佳品质的晶体。
坚固性：炉体部件由高质量的不锈钢制成，其内表面经过高精度抛光，以便达到耐用性和洁净等级方面的最高要求。
安全性：高度的自动化和额为增设的安全系统可以确保在先进的生产环境中使用。
定制化：凭借多年的开发经验、专业知识以及提供多种部件更换和组合方式，PVA晶体生长系统根据不同客户的特定需求提供最佳解决方案。
支持与服务：您可以通过直接联系PVA晶体生长系统专家进行“点对点"的沟通，获得系统的备件服务以及系统的调整和优化服务。
偶然将籽晶意外浸入熔融锡中，无意间发现了目前微电子领域中最重要的晶体生长工艺，该工艺是实现工业、科学和社会的快速数字化转型的基础。柴可拉斯基法（直拉法）以扬·柴可拉斯基的名字来命名，该技术为工业化生产而开发，目前用于生产直径达300毫米、重量为500公斤的硅晶体。为此，当温度达到大约1410℃时，高纯硅作为半导体材料会在石英坩埚中熔化，并通过控制程序，按照工艺要求将单晶硅锭从熔体中拉出。
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