优选

碳化硅长晶炉

参考价：面议

核心参数

金刚石长晶设备

产品详情

Intelligent PVT SiC System (IPS)系列SiC晶体生长系统是实现高质量SiC晶体生长、高纯度原料合成、高温晶体热处理的专业设备。广泛应用于SiC晶体生长、原料合成、晶体热处理领域。可以生长6/8英寸的晶锭。微信图片_20240428145423.png

特点

．真空炉腔系统较为限本底真空值达到≤5.0E-5Pa，升压率≤3Pa/12h，保证晶体生长的稳定性

．智能化生长及监测系统，实现多种制程精确定制，工艺优化，长晶全过程实时监控，数据可视化存档

．新型感应加热线圈设计，有效提高热场加热的均匀性和稳定性
．业内首创的PIM自检系统，有效减免制程时间浪费
．稳定可靠的水冷系统，实现了水道管路温度、流量的实时监控，保证了生长室温场的稳定性
．可生产6英寸P级碳化硅衬底，微管缺陷密度＜0.5个／cm2，电阻率达0.015-0.0280

碳化硅长晶炉信息由上海纳腾仪器有限公司为您提供，如您想了解更多关于碳化硅长晶炉报价、型号、参数等信息，欢迎来电或留言咨询。除供应碳化硅长晶炉外，上海纳腾仪器有限公司还可为您提供其他等产品，公司有专业的客户服务团队，是您值得信赖的合作伙伴。