半导体测试仪

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半导体测试仪相关的厂商

  • 九域半导体科技（苏州）有限公司
    晶圆电阻率测试仪硅片方阻测试仪涡流法低电阻率分析仪晶锭电阻率分析仪迁移率测试仪少子寿命测试仪半导体、晶圆、硅片、光伏等电阻率一站式解决方案。
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  • 载德半导体技术有限公司 铜牌11年
    400-860-5168转3241
    载德半导体技术有限公司是专业的半导体及微电子领域仪器设备供应商，载德所代理的仪器设备广泛用于高校、研究所、半导体高新企业。载德半导体技术有限公司目前代理的主要产品包括： - 霍尔效应测试仪(Hall Effect Measurement System)； - 快速退火炉(RTP)； - 回流焊炉，真空烧结炉(Reflow Solder System)； - 探针台(Probe Station)，低温探针台(Cryogenic Probe Station)； - 贴片机(Die Bonder)，划片机(Scriber)，球焊机/锲焊机(Wire Bonder)； - 原子层沉积系统(ALD)，等离子增强原子层沉积设备(PEALD)； - 磁控溅射镀膜机(Sputter)，电子束蒸发镀膜机(E-beam Evaporator)，热蒸发镀膜机(Thermal Evaporator)，脉冲激光沉积系统(PLD) - 低压化学气相沉积系统(LPCVD)，等离子增强化学气相沉积系统(PECVD)，快速热化学气相沉积系统(RTCVD)； - 反应离子刻蚀机(RIE)，ICP刻蚀机，等离子体刻蚀机； - 加热台、热板、烤胶台 (Hot Chuck / Hot Plate)； - 扫描开尔文探针系统(Kelvin Probe)，光反射膜厚仪(Reflectometer)； 等等...
    主营产品： 退火炉   镀膜机   霍尔效应测试   探针台  
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  • 深圳市矽电半导体设备有限公司
    深圳市矽电半导体设备有限公司（简称“深圳矽电”），成立于2003年，是一家由海外博士和国内专业团队联合创办的高科技公司。公司于2006年被授予自主创新型留学生企业、2008年被授予国家高新技术企业，是深圳市LED产业联合会、半导体行业协会会员单位。 历经九年的沉积，深圳矽电已经成长为国内规模最大的探针台（点测机）生产企业，是中国大陆最早研制，批量生产全自动探针台、LED点测机，专业从事研发、生产各种半导体设备的中国国家高新技术企业。主要产品有：8吋全自动探针台，4~8吋多款探针台、双面探针台、LED探针台、LED全自动抽测探针台、焊卡台、全自动芯粒镜检机（AOI）等芯片测试相关设备及配件，在国内同行业处于领先地位。公司拥有专业的、完整的产业结构及配套能力。可为客户提供从研发、生产、测试技术解决方案的一条龙专业服务。 深圳矽电不仅能提供标准的产品，深圳矽电而且可为客户量身定做订制机型，例如温控环境测试、高压环境测试、磁场环境测试和辐射环境测试等需求。 深圳矽电的产品覆盖企业，科研院所，高校等，得到了客户的认可和信赖。
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半导体测试仪相关的仪器

  • 半导体参数测试仪 400-628-5299
    SPM300系列半导体参数测试仪设备概览基于拉曼光谱法的半导体参数测试仪，具有非接触、无损检测、特异性高的优点。可以对半导体材料进行微区分析，空间分辨率＜ 800nm （典型值），也可以对样品进行扫描从而对整个面进行均匀性分析。设备具有智能化的软件，可对数据进行拟合计算，直接将载流子浓度、晶化率、应力大小或者分布等结果直观的展现给用户。系统稳定，重复性好，可用于实验室检验或者产线监测。① 光路接口盒：内置常用激光器及激光片组，拓展激光器包含自由光及单模光纤输入；② 光路转向控制：光路转向控制可向下或向左，与原子力、低温、探针台等设备连用，可升级振镜选项③ 明视场相机：明视场相机代替目镜④ 显微镜：正置科研级金相显微镜，标配落射式明暗场照明，其它照明方式可升级⑤ 电动位移台：75mm*50mm 行程高精度电动载物台，1μm 定位精度⑥ 光纤共聚焦耦合：光纤共聚焦耦合为可选项，提高空间分辨率⑦ CCD- 狭缝共聚焦耦合：标配CCD- 狭缝耦合方式，可使用光谱仪成像模式，高光通量⑧ 光谱CCD：背照式深耗尽型光谱CCD相机， 200-1100nm 工作波段，峰值QE ＞ 90%⑨ 320mm 光谱仪：F/4.2高光通量影像校正光谱仪， 1*10-5 杂散光抑制比SPM300系列半导体参数测试仪主要应用SPM300系列半导体参数测试仪选型表型号描述SPM300-mini基础款半导体参数分析仪，只含一路532nm 激光器，常规正置显微镜，光谱仪，高精度XYZ 位移台SPM300-SMS532多功能型半导体参数分析仪，含532nm 激光器，常规正置显微镜，光谱仪，高精度XYZ 位移台，可升级耦合最多4 路激光器SPM300-OM532开放式半导体参数测试仪，含532nm 激光器，定制开放式显微镜，光谱仪，高精度XYZ 位移台，可升级耦合最多4 路激光器系统参数项目详细技术规格光源标配532nm，100mW 激光器，其他激光可选，最多耦合4 路激光，可电动切换，功率可调节光谱仪320mm 焦距影像校正光谱仪，光谱范围90-9000cm-1,光谱分辨率2cm-1空间分辨率1μm样品扫描范围标配75mm*50mm，最大300mm*300mm显微镜正置显微镜，明场或者暗场观察，带10X,50X,100X 三颗物镜；开放式显微镜可选载流子浓度分析测试范围测试范围1017 ~ 1020 cm-3，重复性误差5%应力测试可直观给出应力属性（拉力/ 张力），针对特种样品，可直接计算应力大小，应力均匀性分析（需额外配置电动位移台）, 应力解析精度0.002cm-1晶化率测试可自动分峰，自动拟合，自动计算出晶化率，并且自动计算晶粒大小和应力大小测试案例举例
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    厂商： 北京卓立汉光仪器有限公司
    品牌： 卓立汉光/ZOLIX
    型号： SPM300系列
    价格： 50万 - 100万元
  • 半导体晶圆拉曼光谱测试系统 400-628-5299
    半导体晶圆拉曼光谱测试系统R1——应力、组分、载流子浓度 面向半导体晶圆检测的拉曼光谱测试系统主要功能：&bull 光穿过介质时被原子和分子散射的光发生频率变化，该现象称为拉曼散射。&bull 拉曼光谱的强度、频移、线宽、特征峰数目以及退偏度与分子的振动能态、转动能态、对称性等紧密相关&bull 广泛地应用于半导体材料的质量监控、失效分析。仪器架构：性能参数： 拉曼激发和收集模块激光波长532 nm激光功率100 mW自动对焦&bull 在全扫描范围自动聚焦和实时表面跟踪&bull 对焦精度0.2微米显微镜&bull 用于样品定位和成像&bull 100x，半复消色差物镜&bull 空间分辨率2微米拉曼频移范围80-9000 cm-1样品移动和扫描平台平移台&bull 扫描范围大于300x300mm。&bull 最小分辨率1微米。样品台&bull 8寸吸气台（12寸可定制）&bull 可兼容2、4、6、8寸晶圆片光谱仪和探测器光谱仪&bull 320 mm焦长单色仪，接面阵探测器。&bull 分辨率2.0 cm-1。软件控制软件&bull 可选择区域或指定点位自动进行逐点光谱采集Mapping数据分析软件&bull 可对光谱峰位、峰高和半高宽等进行拟合。&bull 可自动拟合并计算应力、晶化率、载流子浓度等信息，样品数据库可定制。&bull 将拟合结果以二维图像方式显示。 晶圆Mapping软件界面数据分析软件界面应力检测—GaN晶圆片利用拉曼光谱568 cm-1位置的特征峰位移动，可以检测GaN晶圆表面应力分布。类似方法还可应用于表征Si/SiC/GaAs等多种半导体。载流子浓度检测——SiC晶圆片组分检测——结晶硅薄膜晶化率测试结晶率指晶态硅与晶界占非晶态、晶态、晶界总和的质量百分比或体积百分比，是评价结晶硅薄膜晶化效果的一项重要指标。晶化率𝛸 𝛸 𝑐 𝑐 可通过拟合拉曼光谱分峰后定量计算。多层复杂晶圆质量检测——AlGaN/GaNHEMT&bull 氮化镓高电子迁移率晶体管则凭借其良好的高频特性在移动电话、卫星电视和雷达中应用广泛。&bull 晶圆片包含Si/AlGaN/GaN多层薄膜结构。&bull 拉曼光谱可给出多层结构的指纹峰，并对其应力、组分、载流子浓度等进行分析。AlGaN/GaN晶圆，直径6英寸面向半导体晶圆检测的拉曼光谱测试系统仪器订购样品委托测试
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    厂商： 北京卓立汉光仪器有限公司
    品牌： 卓立汉光/ZOLIX
    型号： 半导体晶圆
    价格： 面议
  • 全晶圆半导体参数非接触测试解决方案 400-628-5299
    全晶圆半导体参数非接触测试解决方案Full-wafer Noncontac Measuring Solutions forSemiconductor Parameters基于我公司自主研发的激光自动聚焦、自动化显微成像、宽场荧光成像、共焦光致发光光谱和共焦拉曼光谱等核心测试技术和模组，联合白光干涉等其它 3D 测量技术，根据客户的需求灵活组合相应的技术搭配，为客户开发定制化的半导体参数测试解决方案，获得从粗糙度、图形尺寸和膜厚等几何参数，到位错、层错等缺陷，再到发光波长、寿命、载流子浓度、组分和应力等物理参数的综合测量，实现无需任何前处理的全晶圆无损自动化检测。
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    厂商： 北京卓立汉光仪器有限公司
    品牌： 卓立汉光/ZOLIX
    型号： 全晶圆半导体参数
    价格： 面议
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半导体测试仪相关的资讯

  • TTE系列半导体器件瞬态温升热阻测试仪研制
    table border=" 1" cellspacing=" 0" cellpadding=" 0" tbody tr td width=" 83" style=" word-break: break-all " p style=" line-height: 1.75em " 成果名称 /p /td td width=" 538" colspan=" 3" style=" word-break: break-all " p style=" text-align: center line-height: 1.75em " strong TTE /strong strong 系列半导体器件瞬态温升热阻测试仪 /strong /p /td /tr tr td width=" 91" p style=" line-height: 1.75em " 单位名称 /p /td td width=" 538" colspan=" 3" p style=" line-height: 1.75em " 北京工业大学新型半导体器件可靠性物理实验室 /p /td /tr tr td width=" 91" p style=" line-height: 1.75em " 联系人 /p /td td width=" 167" p style=" line-height: 1.75em " 冯士维 /p /td td width=" 161" p style=" line-height: 1.75em " 联系邮箱 /p /td td width=" 187" p style=" line-height: 1.75em " shwfeng@bjut.edu.cn /p /td /tr tr td width=" 91" p style=" line-height: 1.75em " 成果成熟度 /p /td td width=" 535" colspan=" 3" style=" word-break: break-all " p style=" line-height: 1.75em " □正在研发& nbsp & nbsp □已有样机& nbsp & nbsp □通过小试& nbsp & nbsp □通过中试& nbsp √可以量产 /p /td /tr tr td width=" 91" p style=" line-height: 1.75em " 合作方式 /p /td td width=" 535" colspan=" 3" style=" word-break: break-all " p style=" line-height: 1.75em " □技术转让 & nbsp & nbsp & nbsp & nbsp & nbsp √技术入股 & nbsp & nbsp & nbsp √合作开发& nbsp & nbsp √其他 /p /td /tr tr td width=" 648" colspan=" 4" style=" word-break: break-all " align=" center" valign=" top" p style=" line-height: 1.75em " strong 成果简介：& nbsp /strong /p p style=" text-align:center" strong img src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201604/insimg/017b0e04-691a-4c5a-826e-5879aa1d7a7a.jpg" title=" 1.jpg.png" / /strong /p p style=" line-height: 1.75em " TTE-400 LED灯具模组热阻测试仪 & nbsp br/ /p p style=" text-align:center" img src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201607/insimg/1a6e4129-15a9-479d-84c9-cb11df28231c.jpg" title=" 54c453eb-3470-4a19-9f93-e8a1b5170517.jpg" width=" 400" height=" 203" border=" 0" hspace=" 0" vspace=" 0" style=" width: 400px height: 203px " / /p p & nbsp TTE-500 多通道瞬态热阻分析仪 /p p style=" text-align:center" img src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201604/insimg/06a37914-c0ba-48cf-9bb6-d25fdea82661.jpg" title=" 3.png" width=" 400" height=" 146" border=" 0" hspace=" 0" vspace=" 0" style=" width: 400px height: 146px " / /p p & nbsp & nbsp TTE-LD100 激光器用瞬态热阻分析仪 /p p style=" text-align:center" img src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201604/insimg/887237ea-942e-46c5-8591-1dea99e6c712.jpg" title=" 4.png" width=" 400" height=" 143" border=" 0" hspace=" 0" vspace=" 0" style=" width: 400px height: 143px " / /p p TTE-M100 功率器件用瞬态热阻分析仪 /p p style=" text-align:center" img src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201604/insimg/aded4b1e-7f39-41c2-9e79-8177484f76d7.jpg" title=" 5.png" width=" 400" height=" 185" border=" 0" hspace=" 0" vspace=" 0" style=" width: 400px height: 185px " / /p p & nbsp TTE-H100 HEMT用瞬态热阻分析仪 /p p style=" text-align:center" img src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201604/insimg/d45a2e5c-776e-4e71-9412-67d87c17f875.jpg" title=" 6.png" / /p p TTE-S200 LED热特性快速筛选仪 /p p style=" line-height: 1.75em text-indent: 0em " & nbsp & nbsp TTE系列半导体器件瞬态温升热阻测试仪是用于半导体器件（LED、MOSFET、HEMT、IC、激光器、散热器、热管等）的先进热特性分析仪，依据国际JEDEC51的瞬态热测试方法，能够实时采集器件瞬态温度响应曲线（包括升温曲线与降温曲线），采样间隔高达1微秒，结温分辨率高达0.01℃。利用结构函数算法能方便快捷地测得器件热传导路径上每层结构的热学性能，构建等效热学模型，是器件封装工艺、可靠性研究和测试的强大支持工具，具有精确、无损伤、测试便捷、测试成本低等优点。该成果已在公司和科研院所等20多家单位应用，并可定制化生产。 /p /td /tr tr td width=" 648" colspan=" 4" style=" word-break: break-all " p style=" line-height: 1.75em " strong 应用前景： /strong br/ & nbsp & nbsp & nbsp 本产品已投入市场应用五年时间，产品型号在不断丰富以适应庞大的市场需求，技术指标国内领先地位，可替代国外同类产品，拥有独立的自主知识产权。 br/ & nbsp & nbsp & nbsp 应用范围：功率半导体器件（LED、MOSFET、HEMT、IC、激光器、散热系统、热管等）结温热阻无损测量和流水线快速筛选。 br/ & nbsp & nbsp & nbsp 应用情况：国内已有20多家客户的生产线或实验室使用本产品，包括军工单位、芯片厂商、封装厂商、高等院校、高科技制造企业。成果适用于开展半导体晶圆及芯片设计、生产的高校、科研院所及企业。 br/ & nbsp & nbsp & nbsp 预计国内市场年需求量在500台，市场规模约5亿元。 /p /td /tr tr td width=" 648" colspan=" 4" style=" word-break: break-all " p style=" line-height: 1.75em " strong 知识产权及项目获奖情况： /strong br/ & nbsp & nbsp 拥有核心技术，国家发明专利24项，获中国发明博览会金奖1项。 br/ & nbsp & nbsp （1）专利名称：一种快速测量半导体器件电学参数温度变化系数的方法和装置（申请号：201410266126.3）； br/ & nbsp & nbsp （2）专利名称：一种LED灯具热阻构成测试装置和方法（申请号：201310000861.5）； br/ & nbsp & nbsp （3）专利名称：功率半导体LED热阻快速批量筛选装置（申请号：201120249012.X）。 /p /td /tr /tbody /table p br/ /p
    时间： 2016-04-15
    作者： 产研-星羽
  • 524项国标计划下达 涉及分析仪器与物性测试仪器、汽车与半导体等行业
    近日，国家标准化管理委员会下达2020年第四批推荐性国家标准计划。本批计划共计524项，其中制定340项、修订184项，推荐性标准517项，指导性技术文件7项。本批524项国家标准计划中，涉及颗粒测试与无损检测仪器，以及试验机等物性测试仪器；色谱、质谱、光谱等多种分析仪器；汽车、半导体与集成电路、增材制造等行业。小编按分类整理如下：颗粒测试序号计划号项目名称标准性质制修订代替标准号采用国际标准项目周期（月）归口单位起草单位3220204663-T-491微细气泡技术 微细气泡使用和测量通则 第1 部分：术语推荐制定ISO 20480-1:201718全国微细气泡技术标准化技术委员会中国科学院过程工程研究所等25220204883-T-469颗粒 激光衍射粒度分析仪 通用技术要求推荐制定24全国颗粒表征与分检及筛网标准化技术委员会中国计量科学研究院等37120205002-Z-469Zeta 电位测量操作指导原则指导制定ISO/TR 19997:201812全国颗粒表征与分检及筛网标准化技术委员会上海第二工业大学、山东理工大学等41520205046-T-606离子交换树脂粒度、有效粒径和均一系数的测定推荐修订GB/T 5758-200118全国塑料标准化技术委员会江苏苏青水处理工程集团有限公司、西安热工研究院有限公司无损检测仪器序号计划号项目名称标准性质制修订代替标准号采用国际标准项目周期（月）归口单位起草单位5220204683-T-604无损检测仪器 相控阵超声设备的性能与检测 第3 部分：组合系统推荐制定ISO 18563-3:201518全国试验机标准化技术委员会汕头市超声仪器研究所有限公司、广东汕头超声电子股份有限公司超声仪器分公司5320204684-T-604无损检测仪器 相控阵超声设备的性能与检验 第2 部分：探头推荐制定ISO 18563-2:201718全国试验机标准化技术委员会广东汕头超声电子股份有限公司超声仪器分公司、汕头市超声仪器研究所有限公司5420204685-T-604无损检测仪器 相控阵超声设备的性能与检验 第1 部分：仪器推荐制定ISO 18563-1:201518全国试验机标准化技术委员会广东汕头超声电子股份有限公司超声仪器分公司、汕头市超声仪器研究所有限公司24820204879-T-469铸钢件 超声检测 第2部分：高承压铸钢件推荐修订GB/T7233.2-2010ISO 4992-2:202018全国铸造标准化技术委员会沈阳铸造研究所有限公司24920204880-T-469铸钢件 超声检测 第1部分：一般用途铸钢件推荐修订GB/T7233.1-2009ISO 4992-1:202018全国铸造标准化技术委员会沈阳铸造研究所有限公司30020204931-Z-469无损检测 自动超声检测总则指导制定ISO/TS 16829:201718全国无损检测标准化技术委员会武汉中科创新技术股份有限公司、上海材料研究所等30220204933-T-469筒形锻件内表面超声波检测方法推荐修订GB/T 22131-200818全国锻压标准化技术委员会北京机电研究所有限公司、二重（德阳）重型装备公司等试验机测试方法序号计划号项目名称标准性质制修订代替标准号采用国际标准项目周期（月）归口单位起草单位13720204768-T-605金属材料 蠕变及蠕变-疲劳裂纹扩展速率测定方法推荐制定24全国钢标准化技术委员会华东理工大学、钢研纳克检测技术股份有限公司等13820204769-T-605金属材料 疲劳试验 应变控制拉-扭热机械疲劳试验方法推荐制定24全国钢标准化技术委员会北京工业大学等20220204833-T-610铝合金断裂韧度试验方法推荐制定24全国有色金属标准化技术委员会西南铝业（集团）有限责任公司、国标（北京）检验认证有限公司等分析仪器检测方法序号计划号项目名称标准性质制修订代替标准号采用国际标准项目周期（月）归口单位起草单位3420204665-T-491纳米技术 表面增强拉曼固相基片均匀性测定 拉曼成像法推荐制定24全国纳米技术标准化技术委员会苏州天际创新纳米技术有限公司、中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、苏州大学等14820204779-T-605石墨材料 当量硼含量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法推荐制定24全国钢标准化技术委员会中钢集团新型材料（浙江）有限公司、冶金工业信息标准研究院等14920204780-T-605石灰石及白云石化学分析方法 第12部分：氧化钾和氧化钠含量的测定 火焰原子吸收光谱法推荐制定24全国钢标准化技术委员会鞍钢股份有限公司15020204781-T-605钨铁钴、镍、铝含量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法推荐制定24全国生铁及铁合金标准化技术委员会江西省钨与稀土产品质量监督检验中心、赣州江钨钨合金有限责任公司等15120204782-T-605锰铁、锰硅合金、氮化锰铁和金属锰 锰、硅、磷和铁含量的测定 波长色散X 射线荧光光谱法(熔铸玻璃片法)推荐制定24全国生铁及铁合金标准化技术委员会广东韶钢松山股份有限公司、武汉科技大学、冶金工业信息标准研究院15420204785-Z-605铁矿石 波长色散X 射线荧光光谱仪 精度的测定指导制定ISO/TR 18231:201618全国铁矿石与直接还原铁标准化技术委员会广州海关技术中心18720204818-T-609玻璃纤维及原料化学元素分析方法 电感耦合等离子体发射光谱（ICP-OES）法推荐制定24全国玻璃纤维标准化技术委员会南京玻璃纤维研究设计院有限公司18820204819-T-609玻璃纤维及原料化学元素的测定 X 射线荧光光谱法推荐制定24全国玻璃纤维标准化技术委员会南京玻璃纤维研究设计院有限公司35620204987-T-469金矿石化学分析方法 第15 部分：铜、铅、锌、银、铁、锰、镍、钴、铝、铬、镉、锑、铋、砷、汞、硒、钡和铍含量的测定 电感耦合等离子体质谱法推荐制定24全国黄金标准化技术委员会紫金矿业集团股份有限公司、长春黄金研究院有限公司等37920205010-T-607化妆品中功效组分虾青素的测定 高效液相色谱法推荐制定24全国香料香精化妆品标准化技术委员会北京市产品质量监督检验院39320205024-T-607皮革 化学试验 热老化条件下六价铬含量的测定推荐制定ISO 10195:201818全国皮革工业标准化技术委员会嘉兴市皮毛和制鞋工业研究所、中轻检验认证有限公司41420205045-T-606水处理剂分析方法 第1部分：磷含量的测定推荐制定24全国化学标准化技术委员会中国石油天然气股份有限公司乌鲁木齐石化分公司等47720205108-T-326土壤质量 土壤中22 种元素的测定 酸溶-电感耦合等离子体质谱法推荐制定18全国土壤质量标准化技术委员会中国科学院南京土壤研究所、中国环境科学研究院等48020205111-T-334珠宝玉石鉴定 红外光谱法推荐制定24全国珠宝玉石标准化技术委员会国家黄金钻石制品质量监督检验中心、国家珠宝玉石质量监督检验中心等48120205112-T-334珠宝玉石鉴定 紫外可见吸收光谱法推荐制定全国珠宝玉石标准化技术委员会自然资源部珠宝玉石首饰管理中心（国家珠宝玉石质量监督检验中心）汽车试验方法序号计划号项目名称标准性质制修订代替标准号采用国际标准项目周期（月）归口单位起草单位48920205120-T-339道路车辆 安全玻璃材料电加热玻璃试验方法推荐制定ISO 17449:201518全国汽车标准化技术委员会中国建材检验认证集团股份有限公司、福耀玻璃工业集团股份有限公司等49120205122-T-339汽车通过性试验方法推荐修订GB/T 12541-199018全国汽车标准化技术委员会中国人民解放军63969 部队、中国汽车研究中心有限公司等49320205124-T-339汽车列车性能要求及试验方法推荐修订GB/T 26778-201118全国汽车标准化技术委员会中国汽车技术研究中心有限公司、交通运输部公路科学研究院等49420205125-T-339乘用车后部交通穿行提示系统性能要求及试验方法推荐制定24全国汽车标准化技术委员会中国第一汽车股份有限公司、中国汽车技术研究中心有限公司等49520205126-T-339乘用车车门开启预警系统性能要求及试验方法推荐制定24全国汽车标准化技术委员会吉利汽车研究院有限公司、中国汽车技术研究中心有限公司半导体与集成电路序号计划号项目名称标准性质制修订代替标准号采用国际标准项目周期（月）归口单位起草单位20620204837-T-610半导体封装用键合金及金合金丝推荐修订GB/T 8750-201418全国有色金属标准化技术委员会北京达博有色金属焊料有限责任公司20820204839-T-339集成电路 电磁抗扰度测量 第4部分：射频功率直接注入法推荐制定IEC 62132-4:200618全国半导体器件标准化技术委员会中国电子技术标准化研究院、北京智芯微电子科技有限公司等20920204840-T-339静电放电敏感度试验 传输线脉冲器件级推荐制定21520204846-T-339半导体器件 机械和气候试验方法 第37部分：使用加速度计进行板级跌落试验方法推荐制定IEC 60749-37:200818增材制造序号计划号项目名称标准性质制修订代替标准号采用国际标准项目周期（月）归口单位起草单位7520204706-T-604
    时间： 2021-01-04
    作者： 牛亚伟
  • 围观半导体企业硅材料测试实验室都在用哪些仪器？
    硅材料是半导体行业应用最广泛的半导体材料，是集成电路晶圆制造的主要原料。集成电路材料产业技术创新联盟联合分析检测与技术合作服务平台是材料联盟牵头，由多家半导体领域高校、企业及实验室等共建单位积极参与建设的专业化服务平台，目前共发布320多台仪器，涉及硅材料、光刻材料、电子气体、工艺化学品、封装材料、抛光材料、溅射靶材等多个不同领域。仪器信息网特将其中硅材料测试仪器进行整理，看知名半导体企业及实验室都购置了哪些硅材料测试仪器。（所统计仪器，部分仪器可能存在并列或包含关系，未进行区分）硅材料测试用仪器共55台（套），其中电子天平、电感耦合等离子质谱仪数量最多。硅材料测试用仪器数量统计仪器台（套）数量电子天平4电感耦合等离子体质谱仪4微控数显电加热板2数字式硅晶体少子寿命测试仪2磷检区熔炉2激光粒子计数器2等离子聚焦离子束2紫外/可见分光光度计1原子力显微镜1研磨机1硝酸提纯仪1显微红外分析仪1微机控制万能（拉力）试验机1微波消解仪1透视式电子显微镜1透射电子显微镜1少子寿命分析仪1扫描电镜系统1三维光学轮廓仪1能量色散型X射线荧光分析仪1纳米粒度仪1两探针电阻率测试仪1离子色谱仪1离子色谱1扩展电阻测试仪1聚焦离子束1精密研磨机1精密切割机1金相显微镜1激光散射粒径分布分析仪1傅立叶变换红外光谱仪1非金属膜厚仪1飞行时间二次离子质谱仪1多功能颗粒计数仪1电感耦合等离子体发射光谱仪1电感耦合等离子发射光谱仪1低温傅立叶变换红外光谱仪1低温傅里叶变换红外光谱仪1导电型号测试仪1超纯水系统1半导体参数测试仪1α-粒子计数器1CNC视像测量系统(三次元)13D立体显微镜1仪器所属单位中，55台（套）仪器分别来自于9家半导体企业及实验室。仪器所属企业统计单位名称台（套）数量江苏鑫华半导体材料科技有限公司23工业和信息化部电子第五研究所（中国赛宝实验室）16上海新安纳电子科技有限公司5南京国盛电子有限公司3洛阳中硅高科技有限公司3无锡华润上华科技有限公司2沁阳国顺硅源光电气体有限公司1纳瑞科技（北京）有限公司1江阴江化微电子材料股份有限公司1以下为硅材料测试用仪器的具体信息：硅材料测试仪器及型号仪器型号所属单位飞行时间二次离子质谱仪TOF.SIMS 5工业和信息化部电子第五研究所（中国赛宝实验室）非金属膜厚仪3100江阴江化微电子材料股份有限公司金相显微镜DM8000、DM3 XL等工业和信息化部电子第五研究所（中国赛宝实验室）透视式电子显微镜Tecnai F20无锡华润上华科技有限公司透射电子显微镜FEI Tecnai G 2 F20、OXFORD 能谱工业和信息化部电子第五研究所（中国赛宝实验室）超纯水系统Milli-Q Advantage A10江苏鑫华半导体材料科技有限公司能量色散型X射线荧光分析仪EDX-720工业和信息化部电子第五研究所（中国赛宝实验室）聚焦离子束FEI DB835无锡华润上华科技有限公司纳米粒度仪NiComp 380 ZLS上海新安纳电子科技有限公司紫外/可见分光光度计UV-MINI 1240工业和信息化部电子第五研究所（中国赛宝实验室）精密研磨机UNIPOL-802江苏鑫华半导体材料科技有限公司精密切割机SYJ-150江苏鑫华半导体材料科技有限公司等离子聚焦离子束FEI-235/FEI-835/FEI-200/FEI-800纳瑞科技（北京）有限公司等离子聚焦离子束双束FIB Helios G4 CX工业和信息化部电子第五研究所（中国赛宝实验室）离子色谱仪ICS-900上海新安纳电子科技有限公司离子色谱882 Compact IC plus江苏鑫华半导体材料科技有限公司磷检区熔炉WJ-FZ30A江苏鑫华半导体材料科技有限公司磷检区熔炉FZ350/20江苏鑫华半导体材料科技有限公司硝酸提纯仪DST-4000江苏鑫华半导体材料科技有限公司研磨机metaserv250江苏鑫华半导体材料科技有限公司电感耦合等离子发射光谱仪VARIAN 710-ES上海新安纳电子科技有限公司电感耦合等离子体质谱仪iCAP RQ沁阳国顺硅源光电气体有限公司电感耦合等离子体质谱仪7700S南京国盛电子有限公司电感耦合等离子体质谱仪8900江苏鑫华半导体材料科技有限公司电感耦合等离子体质谱仪7700S江苏鑫华半导体材料科技有限公司电感耦合等离子体发射光谱仪5100工业和信息化部电子第五研究所（中国赛宝实验室）电子天平XPE504江苏鑫华半导体材料科技有限公司电子天平XPE105江苏鑫华半导体材料科技有限公司电子天平ME-204E江苏鑫华半导体材料科技有限公司电子天平JE1002江苏鑫华半导体材料科技有限公司激光粒子计数器KC-24江苏鑫华半导体材料科技有限公司激光粒子计数器HHPC-6+江苏鑫华半导体材料科技有限公司激光散射粒径分布分析仪LA-960上海新安纳电子科技有限公司显微红外分析仪NicoletIS50+Continuum工业和信息化部电子第五研究所（中国赛宝实验室）数字式硅晶体少子寿命测试仪LT-100C洛阳中硅高科技有限公司数字式硅晶体少子寿命测试仪LT-100C江苏鑫华半导体材料科技有限公司扫描电镜系统冷场发射扫描电子显微镜 Regulus8230 热场发射扫描电子显微镜 MIRA3 XMH 离子溅射镀膜仪 Q150TS 能谱仪 Octane Elect Plus 电子背散射衍射仪相机 Hikari Plus X射线能谱仪 Octane Elect Su工业和信息化部电子第五研究所（中国赛宝实验室）扩展电阻测试仪SSM2000南京国盛电子有限公司微波消解仪MARS6江苏鑫华半导体材料科技有限公司微机控制万能（拉力）试验机CMT5105、6502工业和信息化部电子第五研究所（中国赛宝实验室）微控数显电加热板HP51江苏鑫华半导体材料科技有限公司微控数显电加热板EG20B江苏鑫华半导体材料科技有限公司少子寿命分析仪FAaST210南京国盛电子有限公司导电型号测试仪STY-3江苏鑫华半导体材料科技有限公司多功能颗粒计数仪AccuSizer 780 APS上海新安纳电子科技有限公司原子力显微镜Dimension® Icon™ 工业和信息化部电子第五研究所（中国赛宝实验室）半导体参数测试仪B1500/B1500A/B15005A工业和信息化部电子第五研究所（中国赛宝实验室）傅立叶变换红外光谱仪Nicolet iS50洛阳中硅高科技有限公司低温傅里叶变换红外光谱仪CryoSAS江苏鑫华半导体材料科技有限公司低温傅立叶变换红外光谱仪CryoSAS洛阳中硅高科技有限公司两探针电阻率测试仪KDY-20江苏鑫华半导体材料科技有限公司三维光学轮廓仪VK-X250K工业和信息化部电子第五研究所（中国赛宝实验室）α-粒子计数器UltraLo-1800工业和信息化部电子第五研究所（中国赛宝实验室）CNC视像测量系统(三次元)O-INSPECT543工业和信息化部电子第五研究所（中国赛宝实验室）3D立体显微镜VHX-6000工业和信息化部电子第五研究所（中国赛宝实验室）推荐阅读：半导体行业湿电子化学品常用检测仪器及技术盘点
    时间： 2021-03-19
    作者： 管晨光
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    基于半导体制冷片的高精度温度控制系统成果简介半导体制冷片是利用特殊半导体材料构成的PN结产生Peltier效应制成，具有无噪声、体积小、结构简单、加热制冷切换方便、冷热转换具有可逆性等优点。化工安全组对基于半导体制冷片温控系统的影响因素进行了全面、系统分析和实验研究，设计完成了大功率、高可靠性的半导体制冷片驱动电路，并积累了半导体制冷片加热制冷切换双向温控算法的丰富经验，形成了半导体制冷片整套的研究方法和应用手段。目前，半导体制冷片的高精度温度控制系统已应用在产品中。系统组成http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2016/05/201605302259_595308_3112929_3.png 图1 基于半导体制冷片的温度控制单元结构http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2016/05/201605302259_595309_3112929_3.jpg图2 高精度温度控制系统硬件组成技术指标（1）温度范围：0~120℃；（2）控温精度：±0.05℃；（3）半导体制冷片驱动电路能够最大支持20V 15A输出。http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2016/05/201605302314_595310_3112929_3.jpg 图3 0℃和120℃温度控制曲线图http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2016/05/201605302314_595311_3112929_3.jpg 图4 37.8℃温度控制过程曲线图 http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2016/05/201605302315_595312_3112929_3.jpg 图5 37.8℃稳态控制精度曲线图技术特点（1）高精度温度采集电路：创新性采用比率法和激励换向技术，系统温度分辨力达到0.001℃，检测精度达到±0.01℃。（2）大功率高可靠性的半导体制冷驱动：采用H桥电路形式实现半导体制冷片加热制冷方式的切换，解决了该类驱动电路无死区防护、功率小等问题；设计引入滤波和保护电路，大大增强了半导体制冷片的寿命及驱动电路的可靠性。（3）双向多模式温控：温控策略充分考虑半导体制冷片加热制冷输出功率差异、功率随温度变化以及系统加热制冷方式切换的随机性等因素，综合采用了单点与扫描结合、高低温分段处理、随环境温度变化动态调节等多重温控调节方式。获得研发资助情况浙江省公益项目前期应用示范情况已用于微量蒸气压测定仪产品中的温度控制，温度范围为0~120℃，控温精度为±0.05℃，驱动电路输出12V/10A。相关产品已通过批量试产，温控系统运行稳定可靠，可复制性强，实现成本低，适合于批量生产。转化应用前景半导体制冷片因加热制冷切换方便、结构简单、系统噪音小、控温精确度高以及成本低等优点，有望在科学仪器温度控制、温度发生和电气设备散热等领域获得广泛应用。特别是随着仪器仪表尤其是生命科学仪器、化学分析仪器等逐渐向高精度、小型化方向快速发展，高精度的小型温度控制系统需求越来越旺盛，因此半导体制冷片具有良好的应用前景。合作方式（1）技术转让；（2）委托开发；（3）双方联合开发。应用领域分析仪器、医疗仪器、生命科学测试仪器、家用电器等领域中高精度的恒温、匀速升降温等多模式的温度控制，以及电气装置散热等。联系人：杨遂军；联系电话：0571- 86872415、0571-87676266；Email: yangsuijun1@sina.com。微信公众号：中国计量大学工贸所工贸所网站：itmt.cjlu.edu.cn中国计量大学工业与商贸计量技术研究所中国计量大学是以“计量、测试、标准”为特色的院校，主要培养测试技术、仪器开发方向的专属人才。中国计量大学工业与商贸计量技术研究所是学校为进一步推动高水平研究团队的建设而在2014年设立的两个学科特区之一，主要针对工业生产与贸易往来中关乎国计民生的计量测试问题，以新方法、技术、设备及评价为研究对象，主要研究方向为化工产品及工艺安全测试技术与仪器、零部件无损检测技术与设备、光栅信号处理与齿轮精密测量，涉及的单元技术有高精度温度检测技术、快速热电传感技术、高稳态温度场发生技术、低热惰性高压容器制备工艺、激光和电磁加热、非稳态传热反演、基于幅值分割原理的光栅信号数字细分、光栅信号短周期误差补偿、机器视觉高精度尺寸测量。研究所同时是化工产品安全测试技术及仪器浙江省工程实验室，先后承担国家重大科学仪器设备开发专项、国家公益性行业科研专项、国家自然基金、973等国家级项目，科研经费超千万。现有专职科研人员9人、工程技术人员2人、在读研究生30余人、行政与科研管理人员3人。“应用驱动、产研融合”是研究所的标签，以应用驱动为前提，通过方法技术化、技术产品化、产品市场化，将科研成果落脚于实际应用，为经济与社会发展提供推动力，同时为研究所提供持续发展所需资金、影响力、信息等各类资源的支撑，目前研究所已拥有2家产业化公司。

  • 【原创大赛】关于电线电缆导体电阻智能测试仪及应用剖析

    【原创大赛】关于电线电缆导体电阻智能测试仪及应用剖析

    [align=center][b]关于电线电缆导体电阻智能测试仪及应用剖析[/b][/align][align=center]西安国联质量检测技术股份有限公司[/align][align=center]材料室：畅团民[/align] 一 、引言 随着电子技术的飞跃发展，数字式测量技术在电线电缆检测领域得到越来越广的应用，现有国标已明确规定了可采用导体直流电阻智能测试仪作为导体直流测试的专门设备。导体电阻智能测试仪具有高效率，高准确度，高分辩性等优势将处于该行业的佼校者。 二、导体电阻在电线电缆测试中的重要性 导体电阻测量是电线电缆检测项目的重中之重，导体电阻的大小直接影响电能的消耗，系统的电压降，电路的漏电及发热，甚至短路，因此导体电阻测试仪器的选用就尤为重要。下面就将河南瑞奇质检设备研究所生产的型号为ZZJ-E半导体电阻测试仪作一介绍： 1.首先ZZJ-E半导体电阻测试仪满足GB/T3048.4-2007电线电缆电性能试验方法标准要求。且自带系统换算和自动较正，具有正反向测量。2.主要结构： [align=center]A：导线架及夹具图[/align][align=center] [img=,690,511]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2017/08/201708151130_01_2904018_3.png[/img][/align][align=center]B：测试系统主机和显示屏[/align][align=center][img=,690,510]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2017/08/201708151131_01_2904018_3.png[/img] [/align]3.仪器主要技术参数； A 测试最大面积 300mm2 B 测试导线长度 1000mm C 电流电压端间距 60mm D 夹具接触宽度 42mm E： 直流电阻测量范围1uΩ～2.5MΩ(有效数据为六位) F： 温度测量误差范围 ±0.1℃三、试样前处理1.从被电线电缆上切取长度不小于1m的试样，（或盘卷作为试样）除掉导电缆外护套绝缘外表皮及其它覆盖物，也可以只取试样两端覆盖物露出导体，处覆盖物时避免损伤导体，以防影响测量数据，2.试样需要较直,不许截面扭曲或者导体拉长。3.金属表面洁净，不应有附着物，油污等，氧化层尽可能除去。4.对于铝导体如截面再95mm2以上，建议选3m,电流引入端可采用铝压接头。四、测试操作1.测试前试样在环境温度为（15℃～25℃）湿度不大于85％的环境中处置至少24小时，2.将处置过的试样固定在仪器夹具上，使导体和夹具充分接触。3.打开计算机测试系统，输入试样编号，型号规格，电压等级，材料状态及日期。4.查看环境室温湿度及系统热电偶问度和环境室温度差异，确认相差不超过0.1℃5.测量，对于小于0.1Ω的，读取一个正相读书和反向测量数，取算术平均值，对于较大电阻取俩个测量的平均值。6. 关闭系统卸掉试样，记录下数具。五、影响结果的几点感悟 1.由于系统测量时会对结果产生一定的误差，所以当平均值于俩测试值之差与平均值之比大于0.1%时，就应减掉误差值。 2.测试人在测试过程中，可能操作错误对测试结果产生影响，如 （是样未拉直，绞合结构试样测试端松动，测试样品表面样化未处理干净，剥离绝缘层损伤截面静置时间过短等） 都需要重新测试确认。3.温度变化较大，系统热电偶测温前后俩次变化超过0.2℃，或者与实验操作台相差较大时，确定好实际温度重新测试确认。4.数字的修约也是影响结果的一环，截面比较大的导体阻值一般较小，所以数字的修约就显得尤为重要，一般以此截面标准对应的效数字位数为准，且不要以小数点位数确定。5.为了使测试值更加接近于真实值，应把测试值和仪器检定对应范围的读书值作对比，或者采购标准电阻，与标准电阻对应范围的测试值对比，取掉相差部分。6.智能测试测试虽然省掉了计算环节，但是我们检测人要懂得测试原理。并要清楚演算公式并会验证智能测试数据和温度系数。测试值修正到20℃时的计算公式为 R[sub]20[/sub]=R[sub]t[/sub].k[sub]t[/sub].1000/L其中R20-20℃时每公里长度电阻值，Rt-t℃时L长电缆的实测电阻值，L-被测量的电缆长度，Kt-温度为t℃时的温度校正系数。铜导体为 Kt,cu=254.5/234.5+t=1/1+0.00393(t-20）铝导体为 Kt,AL=248/228+t=1/1+0.00403(t-20） 附温度系数表（0℃～23)℃[table][tr][td]测量时导体温度/t℃[/td][td]温度系数K[/td][td]测量时导体温度/t℃[/td][td]温度系数K[/td][/tr][tr][td][align=center]0[/align][/td][td][align=center]1.087[/align][/td][td][align=center]12[/align][/td][td][align=center]1.033[/align][/td][/tr][tr][td][align=center]1[/align][/td][td][align=center]1.082[/align][/td][td][align=center]13[/align][/td][td][align=center]1.029[/align][/td][/tr][tr][td][align=center]2[/align][/td][td][align=center]1.078[/align][/td][td][align=center]14[/align][/td][td][align=center]1.025[/align][/td][/tr][tr][td][align=center]3[/align][/td][td][align=center]1.073[/align][/td][td][align=center]15[/align][/td][td][align=center]1.020[/align][/td][/tr][tr][td][align=center]4[/align][/td][td][align=center]1.068[/align][/td][td][align=center]16[/align][/td][td][align=center]1.016[/align][/td][/tr][tr][td][align=center]5[/align][/td][td][align=center]1.064[/align][/td][td][align=center]17[/align][/td][td][align=center]1.012[/align][/td][/tr][tr][td][align=center]6[/align][/td][td][align=center]1.059[/align][/td][td][align=center]18[/align][/td][td][align=center]1.008[/align][/td][/tr][tr][td][align=center]7[/align][/td][td][align=center]1.055[/align][/td][td][align=center]19[/align][/td][td][align=center]1.004[/align][/td][/tr][tr][td][align=center]8[/align][/td][td][align=center]1.050[/align][/td][td][align=center]20[/align][/td][td][align=center]1.000[/align][/td][/tr][tr][td][align=center]9[/align][/td][td][align=center]1.046[/align][/td][td][align=center]21[/align][/td][td][align=center]0.996[/align][/td][/tr][tr][td][align=center]10[/align][/td][td][align=center]1.042[/align][/td][td][align=center]22[/align][/td][td][align=center]0.992[/align][/td][/tr][tr][td][align=center]11[/align][/td][td][align=center]1.037[/align][/td][td][align=center]23[/align][/td][td] 0.988[/td][/tr][/table]六、举例说明几种因素对测试电阻的影响[align=center]测试导体电阻185mm2完整试样图片如下[/align] [img]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2017/08/201708151132_01_2904018_3.png[/img]对于绞合导体端头松动，试样静置时间太短，以及温度偏差测的数据如下 [table][tr][td] 不同情况测试[/td][td] 20℃时试样的导体电阻（Ω/Km）[/td][/tr][tr][td] 导体静置时间较短情况下[/td][td] 0.0994[/td][/tr][tr][td] 导体端头松动情况下[/td][td] 0.0899[/td][/tr][tr][td] 温度偏差情况下[/td][td] 0.0992[/td][/tr][tr][td] 符合标准要求情况下[/td][td] 0.0897[/td][/tr][/table][align=center]示例中的测试图片[/align][align=center][img=,431,253]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2017/08/201708151134_01_2904018_3.png[/img] [/align] 由上测试结果看出：同一导体按要求测试时的测试值和真正测试值有一定差距，因此大家在测试时要一定按标准及有关影响的因素测试得出正确的数具。 最后，为了保证仪器的正常使用，要按时检定，定期对仪器进行保养，保持系统更新，测试夹具和整体仪器的清洁，特别是注意夹具不能氧化。总之，试验是仪器的结合，只有充分了解仪器，并规范操作，剔除影响的因素，就能得除正确的结果，以上是我本人测试对仪器及测试情况的了解，请个位导师多提宝贵意见。谢谢！

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