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  • 硫化物的分解代谢可改善缺氧性脑损伤
    硫化物的分解代谢可改善缺氧性脑损伤个硫化物的分解代谢可改善缺氧性脑损伤 -哺乳动物的大脑极易遭受缺氧影响- 大脑对缺氧敏感的机制尚不完全清楚。H2S是一种抑制线粒体呼吸的气体,缺氧可以诱导H2S的积累。Eizo Marutani等人研究发现,在小鼠、大鼠和自然耐缺氧的地松鼠中,大脑对缺氧的的敏感性与SQOR的水平及分解硫化物的能力成反比。硫醌氧化还原酶(sulfide: quinone oxidoreductase , SQOR)是一种谷胱甘肽还原酶家族的膜结合黄素蛋白,为硫化物氧化解毒的一种关键酶。沉默的SQOR增加了大脑对缺氧的敏感性,而神经元特异性的SQOR表达则阻止了缺氧诱导的硫化物积累、生物能量衰竭和缺血性脑损伤。降低线粒体中SQOR的表达,不仅增加了大脑对缺氧的敏感性,也增加了心脏和肝脏对缺氧的敏感性。硫化物的药理清除维持了缺氧神经元的线粒体呼吸,并使小鼠能够抵抗缺氧。相关研究于2021年5月发表在Nature子刊Nature communications上,题为《Sulfide catabolism ameliorates hypoxic brain injury》,该研究由美国马萨诸塞州总医院以及哈佛医学院共同完成。该研究团队一开始的研究方向并不是寻找可以治疗脑卒中的靶点,他们的研究方向是「人体冬眠」,就像以往科幻电影里的那种,得了某种不治之症,然后进行冷冻或者其他技术的冬眠,等待科技进步以后,再次复苏。一开始,他们是要寻找可以对小鼠进行催眠的物质,锁定在了H2S。期初,吸入H2S的小鼠进入了一种「冬眠」状态,体温下降,无法动弹。但是,令人惊讶的是,小鼠很快就对吸入H2S的影响产生了耐受性。到了第五天,他们行动正常,不再受到H2S的影响。更有趣的现象是,研究团队发现,对H2S耐受的小鼠,对缺氧也能非常好的耐受。因而研究团队提出了SQOR基因在耐缺氧中起发挥重要作用的假设。实验方法描述所有小鼠都被饲养在12小时的昼/夜循环中,温度在20-25°C之间,湿度在40%-60%之间。 -间歇性H2S吸入- 小鼠暴露于80 ppmH2S的空气中连续5天,每天4小时。实验过程中实时监测H2S浓度和FiO2。每天在H2S吸入前后测量直肠温度,以检查H2S对体温的影响。 -CO2产生量的测量- 最后一次的吸入空气或H2S24小时后,在对照组或硫化物预处理小鼠中测量二氧化碳的产生。将小鼠放置在全身体积描记系统内,并测量二氧化碳的产量。 -小鼠的缺氧和缺氧耐受性- 为了测量缺氧耐受性,在最后一次空气或H2S吸入24小时后,将小鼠放入透明的塑料室中。然后,用低氧气体混合物以1 L/min连续冲洗腔室,以达到所需的FiO2。在缺氧暴露期间连续观察小鼠最多60 min,当小鼠出现严重痛苦迹象(扭动或发作、呼吸频率低于6/分钟和尿失禁)时,将其取出,用5%异氟烷安乐死并视为死亡。 -组织采集- 将小鼠采用异氟醚麻醉,呼吸机机械通气。用空气或缺氧气体混合物通气3 min后,将小鼠进行安乐死,开始取材。实验数据a:对照组和硫化物预处理组(SPC)小鼠的体温b:二氧化碳产生率(VCO2) c:血浆中硫化物的浓度d:血浆中的硫代硫酸盐、脑组织中的硫化物浓度f:脑组织中的硫代硫酸盐、 g:存活率h:小鼠在5% O2低氧下的VCO2i:常氧和5%低氧下,脑组织中的硫化物j:per sulfide,k NADH/NAD+比l:乳酸水平。m脑组织中的SQOR相对表达量,n、o:脑组织和心脏组织中 SQOR蛋白水平p、q:离体脑线粒体的氧气消耗速率 (OCR)r:计算得到的 ATP转换率。地松鼠的缺氧耐受性和硫胺分解代谢增强研究团队用RNA沉默SQOR,发现可增加大脑对缺氧的敏感性,而神经元特异性SQOR的表达可阻止缺氧诱导的硫化物积聚、生物能衰竭和缺血性脑损伤。SQOR可改善神经元细胞的线粒体功能降低线粒体的SQOR基因的表达,不只是大脑,而且心脏、肝脏对缺氧的敏感性都增加了。硫化物清除剂的作用通过药物清除硫化物,可维持缺氧神经元的线粒体呼吸过程,使小鼠耐受缺氧。该研究阐明了硫化物分解代谢在缺氧时能量平衡中的关键作用,并确定了缺血性脑损伤的治疗靶点。 在自然界中很多强有力的证据可以证明该研究的结论。例如,已知雌性哺乳动物比雄性哺乳动物更能抵抗缺氧,而前者的SQOR水平更高。当女性的SQOR水平被人为降低时,她们就更容易缺氧(雌激素可能是观察到的SQOR增加的原因),例如更年期。此外,一些冬眠动物,如地松鼠,对缺氧有很强的耐受性,这使得它们能够在冬季身体新陈代谢减缓的情况下生存下来。一只地松鼠的大脑比同样大小的老鼠的SQOR高出100倍。该研究的主要研究者说:“人脑的SQOR水平非常低,这意味着即使是少量的H2S积累,就可以影响神经元的健康。我们希望有一天我们研发出像SQOR一样有效的药物,这些药物可以用来治疗缺血性中风,以及心脏骤停引起的缺氧。 -塔望科技-解决方案- 全身体积描记系统小鼠放置于体积描记器内,可以实时监测呼吸,也可进行低氧干预、H2S暴露。可进行低氧耐受实验,也可监测动物的 耗氧量、CO2产生量、呼吸代谢率等。全身暴露染毒系统可以进行长期H2S暴露染毒、低氧实验等。动物能量代谢系统可以综合评估动物不同处理后的各种表型变化:进食量、进水量、进食进水模式、活动量、耗氧量、CO2产生量、呼吸代谢率等。动物低氧高氧实验系统各种常压/低压/高压下的缺氧/高氧实验。可进行恒定低氧,也可进行间歇低氧。 -相关文献- Marutani E, Morita M, Hirai S et al. "Sulfide catabolism ameliorates hypoxic brain injury".[J]. Nat Commun 12, 3108 (2021). &bull end &bull
  • CFDA:仙灵骨葆口服制剂或致肝损伤
    p   国家食品药品监督管理总局(CFDA)日前发布了第七十二期《药品不良反应信息通报》,提示关注仙灵骨葆口服制剂引起的肝损伤不良反应。 /p p   仙灵骨葆口服制剂是一类补肾壮骨药,具有滋补肝肾、接骨续筋、强身健骨的功效,临床上用于骨质疏松和骨质疏松症、骨折、骨关节炎、骨无菌性坏死等。 /p p   国家药品不良反应监测数据分析结果显示,仙灵骨葆口服制剂可能导致肝损伤风险,临床表现包括乏力、食欲不振、厌油、恶心、上腹胀痛、尿黄、目黄、皮肤黄染等,并伴有谷丙转氨酶、谷草转氨酶、胆红素等升高,严重者可出现肝衰竭,长期连续用药、老年患者用药等可能会增加这种风险。 /p p    strong 国家食品药品监督管理总局建议内容如下: /strong /p p   (一)医务人员在使用仙灵骨葆口服制剂前应详细了解患者疾病史及用药史,避免同时使用其他可导致肝损伤的药品,对有肝病史或肝生化指标异常的患者,应避免使用仙灵骨葆口服制剂。 /p p   (二)患者用药期间应定期监测肝生化指标 若出现肝生化指标异常或全身乏力、食欲不振、厌油、恶心、上腹胀痛、尿黄、目黄、皮肤黄染等可能与肝损伤有关的临床表现时,应立即停药并到医院就诊。 /p p   (三)药品生产企业应当加强药品不良反应监测,及时修订仙灵骨葆口服制剂的药品说明书,更新相关的用药风险信息如不良反应、禁忌、注意事项等,以有效的方式将仙灵骨葆口服制剂的用药风险告知医务人员和患者,加大合理用药宣传,最大程度保障患者的用药安全。 /p p    strong 配发问答 /strong /p p   1、仙灵骨葆口服制剂的主要成份是什么?主要用于治疗什么疾病? /p p   仙灵骨葆口服制剂的成份包括淫羊藿、续断、丹参、知母、补骨脂、地黄。 /p p   该品种具有滋补肝肾,接骨续筋,强身健骨的功效,临床上用于治疗骨质疏松和骨质疏松症,骨折,骨关节炎,骨无菌性坏死等。 /p p   2、仙灵骨葆口服制剂导致的肝损伤有哪些风险因素? /p p   长期连续用药或老年患者出现肝损伤的风险有所升高。肝功能不全或合并使用其他可能导致肝损伤的药物等也可能增加仙灵骨葆口服制剂的肝损伤风险。 /p p   3、如何降低仙灵骨葆口服制剂的肝损伤风险? /p p   医务人员在使用仙灵骨葆口服制剂前应详细了解患者疾病史及用药史,避免同时使用其他可导致肝损伤的药品。有肝病史或肝生化指标异常的患者应避免使用仙灵骨葆口服制剂。 /p p   患者用药期间应定期监测肝生化指标 若出现肝生化指标异常或全身乏力、食欲不振、厌油、恶心、上腹胀痛、尿黄、目黄、皮肤黄染等可能与肝损伤有关的临床表现时,应立即停药并到医院就诊。 /p p br/ /p
  • 中科院生态环境中心DNA损伤研究取得系列进展
    中国科学院生态环境研究中心环境化学与生态毒理学国家重点实验室汪海林课题组在DNA损伤研究方面取得了一系列重要进展。   DNA损伤是诱发基因突变、癌症发生和发育畸形的关键因素。由于缺少快速、高通量、广谱的筛选与鉴定手段,数目众多的化学品缺乏DNA损伤的毒性数据。研究人员利用敲除特定抗氧化基因的大肠杆菌增强对DNA损伤的敏感性,发展出一种广谱的细菌传感器,可快速、灵敏地筛选与鉴定过去难以检测的DNA损伤试剂如丙烯醛、卤代苯醌等,显著地拓展了检测范围。该项工作发表在美国化学会期刊Anal. Chem.上(2011, DOI/10.1021/ac200426x)。   近年来,他们发展了一种新颖的DNA缠绕分析方法,在此基础上,进一步揭示了修复酶可识别多种化学结构不同的损伤的机制,从而在DNA修复机制方面取得重要突破,有助于发展有效的癌症预防和治疗措施。该项成果发表在国际著名的综合性期刊Proc. Natl. Acad. Sci. USA( 2009, 106,12849)上。   在DNA加合物分析方面,他们发展的苯并(a)芘加合物分析新方法检测灵敏度可达6.6 × 10-21mol,比经典的32P放射性后标记方法提高了5400倍(Anal. Chem., 2009, 81, 10285)。这一方法的发展有望解决长期缺乏测定人体痕量加合物的高灵敏分析技术的难题。另外,研究人员还发展了新颖的DNA甲基化分析(Anal. Chem. 2009, 81, 7885)、金属调节-核酸电泳分离分析(Anal. Chem., 2010, 82, 487)以及荧光粒子计数免疫法(Anal. Chem., 2010, 82, 9901)。   这些前沿性的工作是在他们独立研制的先进的毛细管电泳-激光诱导荧光偏振检测装置上开展的。现已形成一个较为系统的DNA修饰评价体系,预期在环境与健康、癌症诊断与治疗等领域具有重要的研究和实际应用价值。   这一系列工作得到国家自然科学基金、中科院“百人计划”择优项目、中科院重大装备研制项目及环境化学与生态毒理学国家重点实验室基金等的支持。   图1 独立研制的毛细管电泳-激光诱导荧光偏振检测装置   图2 DNA缠绕-局部解链模型

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  • 硫化物的分解代谢可改善缺氧性脑损伤
    硫化物的分解代谢可改善缺氧性脑损伤?收录于合集#呼吸研究33个#低氧实验环境3个图片硫化物的分解代谢可改善缺氧性脑损伤 -哺乳动物的大脑极易遭受缺氧影响- 大脑对缺氧敏感的机制尚不完全清楚。H2S是一种抑制线粒体呼吸的气体,缺氧可以诱导H2S的积累。Eizo Marutani等人研究发现,在小鼠、大鼠和自然耐缺氧的地松鼠中,大脑对缺氧的的敏感性与SQOR的水平及分解硫化物的能力成反比。硫醌氧化还原酶(sulfide: quinone oxidoreductase , SQOR)是一种谷胱甘肽还原酶家族的膜结合黄素蛋白,为硫化物氧化解毒的一种关键酶。沉默的SQOR增加了大脑对缺氧的敏感性,而神经元特异性的SQOR表达则阻止了缺氧诱导的硫化物积累、生物能量衰竭和缺血性脑损伤。降低线粒体中SQOR的表达,不仅增加了大脑对缺氧的敏感性,也增加了心脏和肝脏对缺氧的敏感性。硫化物的药理清除维持了缺氧神经元的线粒体呼吸,并使小鼠能够抵抗缺氧。
  • 基于成像光谱技术对苹果斑点及损伤快速识别研究
    采用高光谱图像技术检测苹果的黑白斑区域及损伤区域,以实现苹果黑白斑、损伤区域快速识别的目的。运用高光谱成像技术,运用最小噪声分离、植被指数等方法等,均可有效地识别水果损伤与斑点区域,但最小噪声分离方法较为复杂,运算速度较慢,不适合在工业生产上进行应用,而植被指数算法简单,仅利用2个波段进行四则运算即可实现水果损伤和斑点的快速识别。
  • 基于成像光谱技术的橙子斑点及损伤快速识别研究
    高光谱成像技术应用于水果斑点及损伤区域的快速识别已体现出其“图谱合一”的优越性。水果损伤和水果表皮的斑点颜色虽然能用肉眼一一识别,但是在工业生产用,仅靠人力去一一挑选无损伤、无斑点的水果,既费时费力费财。利用成像高光谱技术,获取不同水果的光谱反射率,查找出其损伤、斑点的特征波段,利用特征波段构建植被指数从而实现水果损伤、斑点区域的快速有效的识别,并达到自动化挑选优质水果的目的

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  • 减轻中风对大脑损伤临床试验首获成功

    中国科技网讯 加拿大一个临床医学研究小组证明,由克里姆比尔神经医学中心迈克尔·泰米安斯基博士研发的一种神经保护剂药物可有效保护大脑减轻中风损伤效应。试验成果在线发表于10月9日《柳叶刀·神经医学》网站上,同时预测该中风药物成效的实验研究成果亦同步发表在《科学·转化医学》杂志上。 该项具有里程碑意义的临床试验,由卡尔加里大学霍奇基斯脑研所迈克尔·希尔博士领导,是一次随机、双盲、由加拿大和美国多个研究中心参与的试验。该研究评估了NA-1药物对曾接受神经介入治疗脑动脉瘤而引发轻微中风的患者的疗效。动脉瘤患者在接受此种介入治疗后,90%以上的患者会出现缺血性中风,但通常并不会引起明显的神经性伤残。 在试验中,受试者被随机抽取接受Tat-NR2B9c或安慰剂治疗。结果表明,接受Tat-NR2B9c治疗的患者,因脑动脉瘤修复术后造成的大脑损伤程度有所下降。该药物在脑动脉瘤破裂患者身上也取得了良好的临床试验效果。而在安慰剂对照组中,只有68%的患者取得了较好的效果。 希尔博士表示,为研发此类药物,人们此前已做过成千次的尝试,但最终均未能成功地将实验室里的成果转化到人体上。该临床试验成果是中风研究的一次飞跃。泰米安斯基博士认为,此次试验首次证明了,以提高大脑对中风抵御能力而设计的这种药物,在人体中展现了降低中风损伤效应的功效。此次临床试验也为血管性痴呆症等其他脑损伤的治疗提供了借鉴。(冯卫东) 《科技日报》(2012-10-16 二版)

  • 褪黑素联合神经干细胞3D移植促进大鼠颅脑损伤的修复

    【序号】:3【作者】:方煊宇【题名】:褪黑素联合神经干细胞3D移植促进大鼠颅脑损伤的修复【期刊】:西南大学【年、卷、期、起止页码】:2020【全文链接】:https://kns.cnki.net/kcms2/article/abstract?v=3uoqIhG8C475KOm_zrgu4lQARvep2SAkyRJRH-nhEQBuKg4okgcHYpRQmPqn9Cd1hYQd3dLCoxO0J8XYRH0LQZVFjVspOatq&uniplatform=NZKPT

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脑损伤相关的仪器

  • 一.简介颅脑及脊髓损伤是神经外科最常见的疾病,在全身各部位创伤中,创伤性脑损伤死残率高居第一位。长期以来,创伤性脑损伤的研究收到学者们的广泛关注。XR1200型电动颅脑脊髓打击器利用动物建立相应的脑损伤模型和脊髓损伤一直是认识和研究创伤性颅脑损伤发病机制与临床救治的一个重要组成部分。颅脑脊髓打击器是上海欣软信息科技有限公司自主研发的用于对实验动物的颅脑施加精准定量打击的装置,可以重复实现不同程度的脑损伤和脊髓损伤,综合性能达到先进水平。该颅脑脊髓打击器通过尖端带有不锈钢的打击器快速打击暴露好的颅脑或脊髓,然后立即上抬撞头,不会造成二次撞击,重复性好。通过自动定位仪快速定位。脑损伤撞击仪能够精确控制皮层的的凹陷深度,可以自行选择撞击头的打击力度度和撞击头的停留时间。主要针对脑皮质挫伤模型。是神经损伤研究机构最受欢迎的损伤模型制作工具。电子大脑皮质挫伤撞击仪的组件有: 坚固的铝架,动物平台,撞击控制器和撞击头。创伤性颅脑损伤仪使用高级的线性马达驱动撞击头,并由控制器来控制撞击参数,实现不同程度的损伤。撞击头的组件部分有含感应器,可以确定速率、撞击深度及撞击停留。这些撞击参数完全可以重复实现。电动创伤性脑损伤撞击仪撞击头的直径有几种不同的规格,撞击力度可以选择控制,适用于小鼠、大鼠、兔、犬、猴等动物。 XR1200型电动颅脑脊髓打击器技术参数:1、电动定位仪行程:X轴300mm,Z轴:300mm,Y轴100mm(选配件)2、重复精度:0.02mm3、定位控制器:液晶显示4、撞击力度:50~800千达因可调5、撞击深度:0-10mm可调6、撞击压迫时间:0.1~300s7、撞击头尺寸:1.5、2.5、4mm8、工作环境:5-40度9、适用动物:小鼠、大鼠、兔、犬、猴等动物
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  • 大鼠颅脑损伤仪 400-860-5168转4032
    创伤性脑损伤(traumatic brain injury,TBI)是神经外科常见的疾病,是导致创伤患者伤残及死亡的主要原因。研究脑损伤后的神经生化、神经病理生理等方面的变化,可为探索行之有效的脑保护治疗提供帮助,将有助于提高颅脑损伤患者的生存率及生存质量。故建立各种便于观察和施加干预因素、控制性佳、可分级、可复制性好并符合人类脑创伤特点的创伤性脑损伤模型,是目前创伤性脑损伤的研究热点。 动物颅脑损伤仪可以分为细胞损伤控制仪,电子脑皮质挫伤撞击仪及液压冲击损伤仪。这三种产品已经广泛应用于世界范围内的颅脑创伤研究中心,是目前唯一的颅脑创伤模型制作的金标准。 液压颅脑损伤仪(液压型动物颅脑损伤仪,大鼠/小鼠颅脑损伤仪)颅脑损伤仪(FPI)是一种能够产生可控制和可测量压力的仪器,主要用于小动物的神经研究,如大鼠。根据行为与生理发生变化的不同要求,它可以对脑部或皮质层产生多种程度的创伤。在生物机械学、神经核行为学、组织病理学、病理生理学研究方面,液压能够模拟产生多种轻微到中等的脑创伤的动物模型。产品组成:Ø 摆锤Ø 信号调节器Ø 压力传感器及与其连接的金属中空软管Ø 树胶圆筒及圆筒固定器(圆筒内充满液体)Ø 光电开关Ø 金属底座产品类型:Ø FP301:可提供0-100psi(6.9atm)的冲击压,也可升级为提供0-250psi(17.3atm)冲击压的系统。Ø FP302:信号调整器可与电脑连接,压力波形可显示在电脑上,并可记录实验内容和实验报告,自动测量峰值压力。脑损伤精度撞击器(动物脑损伤仪、皮层定位精度撞击器、动物大脑皮层损伤仪)Precision Cortical Impactor适合于大鼠、小鼠等动物,模拟动物的大脑外伤和脊髓伤害。主要技术特点:* 撞击速率0-6m/s;* 撞击深度0-5mm;* 可设置停留时间(毫秒);* 可360°旋转;* 7种不同规格的撞击针;产品组成:* 控制装置:连接软件和驱动马达;* 驱动马达:连接冲击针;* 冲击针:7种不同规格的撞击针,从1-5mm,特殊规格可定制;* 铰链支架臂:用来控制驱动马达,有两种型号(medium/large);* 控制软件:可调节冲击速率、冲击深度和停留时间; 控制撞击装置的竖直撞击; 记录每次撞击的数据; 查看、记录、导出数据。自由落体脑损伤模型打击器是用于制作大鼠小鼠的脑损伤模型,对大鼠和小鼠的脑部进行定位后,定点定力地打击大小鼠的脑部,造成大小鼠脑损伤,仪器操作简单,原理经典,自由落体脑损伤模型打击器按自由落体原理制作的一打击器,主机用于动物脑损伤模型的制作。自由落体脑损伤模型打击器由撞针、砝码、金属管和脑定位仪四部分组成。撞针直径4.5mm,高度20mm,打击棒重40克和20克两种,金属套管高度30cm。技术指标1、X、Y、Z轴人工自由调节2、撞针直径4.5mm3、金属管高度30mm4、打击棒重40克和20克两种5、金属套管高度30cm6、适用动物:小鼠、大鼠、豚鼠、兔、猫、狗等请关注玉研仪器的更多相关产品。如对产品细节和价格感兴趣,敬请来电咨询!
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  • 动物颅脑损伤仪 VCU 400-860-5168转1674
    创伤性脑损伤(Traumatic Brain Injury,TBI)是神经外科最常见的疾病,是导致创伤患者伤残及死亡的主要原因。研究脑损伤后的神经生化、神经病理生理等方面的变化,可为探索行之有效的脑保护治疗提供帮助,将有助于提高颅脑损伤患者的生存率及生存质量。 VCU动物颅脑损伤仪分为液压冲击损伤仪(FPI),细胞损伤控制仪(CIC)和电子脑皮质挫伤撞击仪(eCCI)。这三种产品已经广泛应用于世界范围内的颅脑创伤研究中心,是目前颅脑创伤模型制作的金标准。同时FPI损伤仪还可应用到眼科损伤模型,CIC细胞损伤仪可以应用到其它种类细胞损伤模型的制作。 液压颅脑损伤仪(FPI)液压冲击损伤仪(Fluid Percussion Injury)主要针对神经创伤机制研究。它成为全球研究神经创伤广泛使用的仪器,可以重复一致地产生液压冲击损伤(FPI)。 系统优点:可方便的排除气泡 角度刻度可方便观察撞击角度 集成压基准力输出,方便校准。精确输出冲击压力 配备高精度的压力传感器电子颅脑损伤仪(eCCI)电子大脑皮质挫伤撞击仪 (electric Cortical Contusion lmpactor),主要针对脑皮质挫伤模型,是神经损伤研究机构最受欢迎的损伤模型制作工具。动物平台可以和各种立体定位仪搭配使用。由VCU大学设计制作的电子大脑皮质挫伤撞击仪,主要针对脑皮质挫伤模型。其组件有:坚固的铝架、动物平台、撞击控制器和撞击头。动物平台可以和各种立体定位仪搭配使用。由高级线性马达驱动的撞击头,可以由控制器来控制撞击参数,实现不同程度的损伤。撞击头含有感应器,可以确定速率、撞击深度及撞击停留。 . 与传统Feeney' s自由落体硬膜外撞击方法相比有以下优点:可精确连续地控制撞击速度,并获得实际撞击深度和停留时间等参数,而非重量差异很大的撞击。可精确重复制作挫伤损伤模型,减少动物死亡,使实验过程更加直观,可控。The eCCI is constructed with a sturdy aluminum frame to maximize rigidity, thereby ensuring impact accuracy. The support base, animal platform and impactor head are anodized to prevent oxidation and assure equipment longevity. Product assembly includes the base and support frame, and adjustable animal positioner with an aluminum animal platform to be used in conjunction with a variety of stereotactic mounts. This model utilizes the enhanced linier motor driven impactor and controller. The enhanced impact head also houses a photo-optic sensor to determine velocity, impact depth and dwell, and is extremely reproducible.细胞颅脑损伤仪(CIC) 细胞损伤控制仪(CI採取电子式控制,適合morphologic、病理理及培养组织损伤后的机制、形态学、病理性。细胞损伤控制仪是针对Flexcell Int’l corp具有专利的tissue culture system。细胞损伤控制仪平均把压缩气体送到每个culture wells,以造成培养组织牵张性的损伤,损伤的严重程度是依据气体在密闭的culture well进出的量,细胞损伤控制仪(CIC)是可以搭配Flex ® 29.45cm2 culturing trays I (针对VCU早期的细胞损伤控制仪)和BioFlex® 57.75cm2 culturing trays。因为根据所採用的细胞种类、损伤的程度、培养的狀況,受损后的细胞或许会因为上述因素死掉或要修护,所以VCU的细胞损伤控制仪(CIC)很適合应用在下列领域:细胞受损、修护,死亡,药物介入的反应。 Depending on the cell type, the degree of injury and the culture conditions, the injured cells may die or repair. Therefore, the system can be employed to study the responses to trauma, including cell injury, repair, death or pharmacologic intervention.The CIC II has been designed for use with a patented, commercially available tissue culture system from Flexcell International Corp. in Hillsborough, N.C. Tissue cultures are grown in culturing wells with stretchable Silastic® membrane bottoms. The CIC II regulates the flow of compressed gas to rapidly pressurize individual culture wells, causing a radial stretch injury to the culture. Injury severity is determined by controlling the flow of gas in and out of the sealed culture well and the peak pressure is captured to provide an accurate indicator of radial stretch.The CIC II accepts both the Flex I® 29.45cm2 culturing trays, which were used with the earlier CIC Model 94A, and the BioFlex® 57.75cm2 culturing trays.
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脑损伤相关的耗材

  • 非损伤微测系统专用流速传感器
    一、产品介绍 1、非损伤微测系统专用流速传感器(组织样品专用传感器8-10um) 型号:XY-CGQ01 价格:68元/支,10支起订 本传感器适用于测定组织样品的所有离子传感器,特别针对Cl-、NO3-、NH4+测试时信号采集不稳定而开发出的新型传感器,使得测定上述三种离子时,信号的稳定性大大提高。 技术参数: 材料:硼硅酸盐玻璃微管 长度:50毫米 尖端直径:8-10微米 末端直径:外径1.5毫米/内径1.05毫米 管壁厚度:0.225微米 响应时间:300毫秒 空间分辨率:5微米2、非损伤微测系统专用流速传感器(组织样品专用传感器4-5um) 型号:XY-CGQ-01 价格:68元/支,10支起订 用于非损伤测量组织样品专用的流速传感器 技术参数: 材料:硼硅酸盐玻璃微管 长度:50毫米 尖端直径:4-5微米 末端直径:外径1.5毫米/内径1.05毫米 管壁厚度:0.225微米 响应时间:300毫秒 空间分辨率:5微米3、非损伤微测系统专用流速传感器(细胞样品专用传感器1-2um) 型号:XY-CGQ-02 价格:79元/支,10支起订 用于非损伤测量细胞样品专用的流速传感器 技术参数: 材料:硼硅酸盐玻璃微管 长度:50毫米 尖端直径:1-2微米 末端直径:外径1.5毫米/内径1.05毫米 管壁厚度:0.225微米 响应时间:300毫秒 空间分辨率:5微米4、膜电位专用流速传感器 型号:XY-CGQ-03 价格: 51元/支,10支起订 专门用于测量膜电位的流速传感器 技术参数: 材料:硼硅酸盐玻璃微管 导液丝:有 长度:50毫米 尖端直径:1-2微米 末端直径:外径1.5毫米/内径0.84毫米 管壁厚度:0.33微米 响应时间:300毫秒 空间分辨率:5微米5、离子交换剂微容器(LIX Holder 载体) 型号:XY-LIX-01 价格: 34元/支,10支起订 装载离子交换剂的微量容器 技术参数: 材料:硼硅酸盐玻璃微管 长度:50毫米 尖端直径:35-45微米 末端直径:外径1.5毫米/内径1.05毫米 管壁厚度:0.225微米 6、膜电位专用流速传感器 型号:XY-CGQ-04 价格: 34元/支,10支起订 用于传感器动态校正 技术参数: 材料:硼硅酸盐玻璃微管 长度:50毫米 尖端直径:10微米 末端直径:外径1.5毫米/内径1.05毫米 管壁厚度:0.225微米
  • 热膨胀芯(TEC)光纤跳线
    热膨胀芯(TEC)光纤跳线特性热膨胀芯增大了模场直径(MFD),便于耦合不仅更容易进行自由空间耦合,还能保持单模光纤的光学性能工作波长范围:980 - 1250 nm或1420 - 1620 nm光纤的TEC端镀有增透膜,以减少耦合损耗库存的光纤跳线:2.0 mm窄键FC/PC(TEC)到FC/PC接头2.0 mm窄键FC/PC(TEC)到FC/APC接头具有带槽法兰的?2.5 mm插芯到可以剪切的裸纤如需定制配置,请联系技术支持Thorlabs的热膨胀芯(TEC)光纤跳线进行自由空间耦合时,对位置的偏移没有单模光纤那样敏感。利用我们的Vytran® 光纤熔接技术,通过将传统单模光纤的一端加热,使超过2.5 mm长的纤芯膨胀,就可制成这种光纤。在自由空间耦合应用中,光纤经过这样处理的一端可以接受模场直径较大的光束,同时还能保持光纤的单模和光学性能(有关测试信息,请看耦合性能标签)。TEC光纤经常应用于构建基于光纤的光隔离器、可调谐波长的滤光片和可变光学衰减器。我们库存有带TEC端的多种光纤跳线可选。我们提供两种波长范围:980 nm - 1250 nm 和1460 nm - 1620 nm。光纤的TEC端镀有增透膜,在指定波长范围内平均反射率小于0.5%,可以减少进行自由空间耦合时的损耗。光纤的这一端具有热缩包装标签,上面列出了关键的规格。接头选项有2.0 mm窄键FC/PC或FC/APC接头、?2.5 mm插芯且可以剪切熔接的裸光纤。?2.5 mm插芯且可以剪切的光纤跳线具有?900 μm的护套,而FC/PC与FC/APC光纤跳线具有?3 mm的护套(请看右上表,了解可选的组合)。我们也提供定制光纤跳线。更多信息,请联系技术支持。 自由空间耦合到P1-1550TEC-2光纤跳线光纤跳线镀有增透膜的一端适合自由空间应用(比如,耦合),如果与其他接头端接触,会造成损伤。此外,由于镀有增透膜,TEC光纤跳线不适合高功率应用。清洁镀增透膜的接头端且不损坏镀膜的方法有好几种。将压缩空气轻轻喷在接头端是比较理想的做法。其他方法包括使用浸有异丙醇或甲醇的无绒光学擦拭纸或FCC-7020光纤接头清洁器轻轻擦拭。但是请不要使用干的擦拭纸,因为可能会损坏增透膜涂层。Item #PrefixTECEnd(AR Coated)UncoatedEndP1FC/PC (Black Boot)FC/PCP5FC/PC (Black Boot)FC/APCP6?2.5 mm Ferrule with Slotted FlangeScissor CutCoated Patch Cables Selection GuideSingle Mode AR-Coated Patch CablesTEC Single Mode AR-Coated Patch CablesPolarization-Maintaining AR-Coated Patch CablesMultimode AR-Coated Patch CablesHR-Coated Patch CablesStock Single Mode Patch Cables Selection GuideStandard CablesFC/PC to FC/PCFC/APC to FC/APCHybridAR-Coated Patch CablesThermally-Expanded-Core (TEC) Patch CablesHR-Coated Patch CablesBeamsplitter-Coated Patch CablesLow-Insertion-Loss Patch CablesMIR Fluoride Fiber Patch Cables耦合性能由于TEC光纤一端的纤芯直径膨胀,进行自由空间耦合时,它们对位置的偏移没有标准的单模光纤那样敏感。为了进行比较,我们改变x轴和z轴上的偏移,并测量自由空间光束耦合到TEC光纤跳线和标准光纤跳线时的耦合损耗(如右图所示)。使用C151TMD-C非球面透镜,将光耦合到标准光纤和TEC光纤。在980 nm 和1064 nm下,测试使用1060XP光纤的跳线和P1-1060TEC-2光纤跳线,同时,在1550 nm下,测试使用1550BHP光纤的跳线和P1-1550TEC-2光纤跳线。通过MBT616D 3轴位移台,让光纤跳线相对于入射光移动。 下面的曲线图展示了所测光纤跳线的光纤耦合性能。一般而言,对于相同的x轴或z轴偏移,TEC光纤跳线比标准跳线的耦合损耗低。而在x轴或z轴偏移为0 μm 时,标准跳线与TEC跳线的性能相似。总而言之,这些测试结果表明,TEC光纤对光纤位置的偏移远远没有标准光纤那样敏感,同时还能在zui佳光纤位置保持相同的耦合损耗。请注意,这些测量为典型值,由于制造公差的存在,不同批次跳线的性能可能有所差异。测量耦合性能装置的示意图。上图显示了用于测量耦合性能的测试装置。1060XP标准光纤和P1-1060TEC-2热膨胀芯光纤之间的耦合性能比较图。1060XP标准光纤和P1-1060TEC-2热膨胀芯光纤之间的耦合性能比较图。11550BHP标准光纤和P1-1550TEC-2热膨胀芯光纤之间的耦合性能比较图。 损伤阀值激光诱导的光纤损伤以下教程详述了无终端(裸露的)、有终端光纤以及其他基于激光光源的光纤元件的损伤机制,包括空气-玻璃界面(自由空间耦合或使用接头时)的损伤机制和光纤玻璃内的损伤机制。诸如裸纤、光纤跳线或熔接耦合器等光纤元件可能受到多种潜在的损伤(比如,接头、光纤端面和装置本身)。光纤适用的zui大功率始终受到这些损伤机制的zui小值的限制。虽然可以使用比例关系和一般规则估算损伤阈值,但是,光纤的jue对损伤阈值在很大程度上取决于应用和特定用户。用户可以以此教程为指南,估算zui大程度降低损伤风险的安全功率水平。如果遵守了所有恰当的制备和适用性指导,用户应该能够在指定的zui大功率水平以下操作光纤元件;如果有元件并未指定zui大功率,用户应该遵守下面描述的"实际安全水平"该,以安全操作相关元件。可能降低功率适用能力并给光纤元件造成损伤的因素包括,但不限于,光纤耦合时未对准、光纤端面受到污染或光纤本身有瑕疵。关于特定应用中光纤功率适用能力的深入讨论,请联系技术支持。Quick LinksDamage at the Air / Glass InterfaceIntrinsic Damage ThresholdPreparation and Handling of Optical Fibers空气-玻璃界面的损伤空气/玻璃界面有几种潜在的损伤机制。自由空间耦合或使用光学接头匹配两根光纤时,光会入射到这个界面。如果光的强度很高,就会降低功率的适用性,并给光纤造成yong久性损伤。而对于使用环氧树脂将接头与光纤固定的终端光纤而言,高强度的光产生的热量会使环氧树脂熔化,进而在光路中的光纤表面留下残留物。损伤的光纤端面未损伤的光纤端面裸纤端面的损伤机制光纤端面的损伤机制可以建模为大光学元件,紫外熔融石英基底的工业标准损伤阈值适用于基于石英的光纤(参考右表)。但是与大光学元件不同,与光纤空气/璃界面相关的表面积和光束直径都非常小,耦合单模(SM)光纤时尤其如此,因此,对于给定的功率密度,入射到光束直径较小的光纤的功率需要比较低。右表列出了两种光功率密度阈值:一种理论损伤阈值,一种"实际安全水平"。一般而言,理论损伤阈值代表在光纤端面和耦合条件非常好的情况下,可以入射到光纤端面且没有损伤风险的zui大功率密度估算值。而"实际安全水平"功率密度代表光纤损伤的zui低风险。超过实际安全水平操作光纤或元件也是有可以的,但用户必须遵守恰当的适用性说明,并在使用前在低功率下验证性能。计算单模光纤和多模光纤的有效面积单模光纤的有效面积是通过模场直径(MFD)定义的,它是光通过光纤的横截面积,包括纤芯以及部分包层。耦合到单模光纤时,入射光束的直径必须匹配光纤的MFD,才能达到良好的耦合效率。例如,SM400单模光纤在400 nm下工作的模场直径(MFD)大约是?3 μm,而SMF-28 Ultra单模光纤在1550 nm下工作的MFD为?10.5 μm。则两种光纤的有效面积可以根据下面来计算:SM400 Fiber:Area= Pi x (MFD/2)2 = Pi x (1.5μm)2 = 7.07 μm2= 7.07 x 10-8cm2 SMF-28 Ultra Fiber: Area = Pi x (MFD/2)2 = Pi x (5.25 μm)2= 86.6 μm2= 8.66 x 10-7cm2为了估算光纤端面适用的功率水平,将功率密度乘以有效面积。请注意,该计算假设的是光束具有均匀的强度分布,但其实,单模光纤中的大多数激光束都是高斯形状,使得光束中心的密度比边缘处更高,因此,这些计算值将略高于损伤阈值或实际安全水平对应的功率。假设使用连续光源,通过估算的功率密度,就可以确定对应的功率水平:SM400 Fiber: 7.07 x 10-8cm2x 1MW/cm2= 7.1 x10-8MW =71 mW (理论损伤阈值) 7.07 x 10-8cm2x 250 kW/cm2= 1.8 x10-5kW = 18 mW (实际安全水平)SMF-28 UltraFiber: 8.66 x 10-7cm2x 1MW/cm2= 8.7 x10-7MW =870mW (理论损伤阈值)8.66 x 10-7cm2x 250 kW/cm2= 2.1 x10-4kW =210 mW (实际安全水平)多模(MM)光纤的有效面积由纤芯直径确定,一般要远大于SM光纤的MFD值。如要获得zui佳耦合效果,Thorlabs建议光束的光斑大小聚焦到纤芯直径的70 - 80%。由于多模光纤的有效面积较大,降低了光纤端面的功率密度,因此,较高的光功率(一般上千瓦的数量级)可以无损伤地耦合到多模光纤中。 Estimated Optical Power Densities on Air / Glass InterfaceaTypeTheoretical Damage ThresholdbPractical Safe LevelcCW(Average Power)~1 MW/cm2~250 kW/cm210 ns Pulsed(Peak Power)~5 GW/cm2~1 GW/cm2a. 所有值针对无终端(裸露)的石英光纤,适用于自由空间耦合到洁净的光纤端面。b. 这是可以入射到光纤端面且没有损伤风险的zui大功率密度估算值。用户在高功率下工作前,必须验证系统中光纤元件的性能与可靠性,因其与系统有着紧密的关系。c. 这是在大多数工作条件下,入射到光纤端面且不会损伤光纤的安全功率密度估算值。插芯/接头终端相关的损伤机制有终端接头的光纤要考虑更多的功率适用条件。光纤一般通过环氧树脂粘合到陶瓷或不锈钢插芯中。光通过接头耦合到光纤时,没有进入纤芯并在光纤中传播的光会散射到光纤的外层,再进入插芯中,而环氧树脂用来将光纤固定在插芯中。如果光足够强,就可以熔化环氧树脂,使其气化,并在接头表面留下残渣。这样,光纤端面就出现了局部吸收点,造成耦合效率降低,散射增加,进而出现损伤。与环氧树脂相关的损伤取决于波长,出于以下几个原因。一般而言,短波长的光比长波长的光散射更强。由于短波长单模光纤的MFD较小,且产生更多的散射光,则耦合时的偏移也更大。为了zui大程度地减小熔化环氧树脂的风险,可以在光纤端面附近的光纤与插芯之间构建无环氧树脂的气隙光纤接头。我们的高功率多模光纤跳线就使用了这种设计特点的接头。曲线图展现了带终端的单模石英光纤的大概功率适用水平。每条线展示了考虑具体损伤机制估算的功率水平。zui大功率适用性受到所有相关损伤机制的zui低功率水平限制(由实线表示)。确定具有多种损伤机制的功率适用性光纤跳线或组件可能受到多种途径的损伤(比如,光纤跳线),而光纤适用的zui大功率始终受到与该光纤组件相关的zui低损伤阈值的限制。例如,右边曲线图展现了由于光纤端面损伤和光学接头造成的损伤而导致单模光纤跳线功率适用性受到限制的估算值。有终端的光纤在给定波长下适用的总功率受到在任一给定波长下,两种限制之中的较小值限制(由实线表示)。在488 nm左右工作的单模光纤主要受到光纤端面损伤的限制(蓝色实线),而在1550 nm下工作的光纤受到接头造成的损伤的限制(红色实线)。对于多模光纤,有效模场由纤芯直径确定,一般要远大于SM光纤的有效模场。因此,其光纤端面上的功率密度更低,较高的光功率(一般上千瓦的数量级)可以无损伤地耦合到光纤中(图中未显示)。而插芯/接头终端的损伤限制保持不变,这样,多模光纤的zui大适用功率就会受到插芯和接头终端的限制。请注意,曲线上的值只是在合理的操作和对准步骤几乎不可能造成损伤的情况下粗略估算的功率水平值。值得注意的是,光纤经常在超过上述功率水平的条件下使用。不过,这样的应用一般需要专业用户,并在使用之前以较低的功率进行测试,尽量降低损伤风险。但即使如此,如果在较高的功率水平下使用,则这些光纤元件应该被看作实验室消耗品。光纤内的损伤阈值除了空气玻璃界面的损伤机制外,光纤本身的损伤机制也会限制光纤使用的功率水平。这些限制会影响所有的光纤组件,因为它们存在于光纤本身。光纤内的两种损伤包括弯曲损耗和光暗化损伤。弯曲损耗光在纤芯内传播入射到纤芯包层界面的角度大于临界角会使其无法全反射,光在某个区域就会射出光纤,这时候就会产生弯曲损耗。射出光纤的光一般功率密度较高,会烧坏光纤涂覆层和周围的松套管。有一种叫做双包层的特种光纤,允许光纤包层(第二层)也和纤芯一样用作波导,从而降低弯折损伤的风险。通过使包层/涂覆层界面的临界角高于纤芯/包层界面的临界角,射出纤芯的光就会被限制在包层内。这些光会在几厘米或者几米的距离而不是光纤内的某个局部点漏出,从而zui大限度地降低损伤。Thorlabs生产并销售0.22 NA双包层多模光纤,它们能将适用功率提升百万瓦的范围。光暗化光纤内的第二种损伤机制称为光暗化或负感现象,一般发生在紫外或短波长可见光,尤其是掺锗纤芯的光纤。在这些波长下工作的光纤随着曝光时间增加,衰减也会增加。引起光暗化的原因大部分未可知,但可以采取一些列措施来缓解。例如,研究发现,羟基离子(OH)含量非常低的光纤可以抵抗光暗化,其它掺杂物比如氟,也能减少光暗化。即使采取了上述措施,所有光纤在用于紫外光或短波长光时还是会有光暗化产生,因此用于这些波长下的光纤应该被看成消耗品。制备和处理光纤通用清洁和操作指南建议将这些通用清洁和操作指南用于所有的光纤产品。而对于具体的产品,用户还是应该根据辅助文献或手册中给出的具体指南操作。只有遵守了所有恰当的清洁和操作步骤,损伤阈值的计算才会适用。安装或集成光纤(有终端的光纤或裸纤)前应该关掉所有光源,以避免聚焦的光束入射在接头或光纤的脆弱部分而造成损伤。光纤适用的功率直接与光纤/接头端面的质量相关。将光纤连接到光学系统前,一定要检查光纤的末端。端面应该是干净的,没有污垢和其它可能导致耦合光散射的污染物。另外,如果是裸纤,使用前应该剪切,用户应该检查光纤末端,确保切面质量良好。如果将光纤熔接到光学系统,用户首先应该在低功率下验证熔接的质量良好,然后在高功率下使用。熔接质量差,会增加光在熔接界面的散射,从而成为光纤损伤的来源。对准系统和优化耦合时,用户应该使用低功率;这样可以zui大程度地减少光纤其他部分(非纤芯)的曝光。如果高功率光束聚焦在包层、涂覆层或接头,有可能产生散射光造成的损伤。高功率下使用光纤的注意事项一般而言,光纤和光纤元件应该要在安全功率水平限制之内工作,但在理想的条件下(ji佳的光学对准和非常干净的光纤端面),光纤元件适用的功率可能会增大。用户首先必须在他们的系统内验证光纤的性能和稳定性,然后再提高输入或输出功率,遵守所有所需的安全和操作指导。以下事项是一些有用的建议,有助于考虑在光纤或组件中增大光学功率。要防止光纤损伤光耦合进光纤的对准步骤也是重要的。在对准过程中,在取得zui佳耦合前,光很容易就聚焦到光纤某部位而不是纤芯。如果高功率光束聚焦在包层或光纤其它部位时,会发生散射引起损伤使用光纤熔接机将光纤组件熔接到系统中,可以增大适用的功率,因为它可以zui大程度地减少空气/光纤界面损伤的可能性。用户应该遵守所有恰当的指导来制备,并进行高质量的光纤熔接。熔接质量差可能导致散射,或在熔接界面局部形成高热区域,从而损伤光纤。连接光纤或组件之后,应该在低功率下使用光源测试并对准系统。然后将系统功率缓慢增加到所希望的输出功率,同时周期性地验证所有组件对准良好,耦合效率相对光学耦合功率没有变化。由于剧烈弯曲光纤造成的弯曲损耗可能使光从受到应力的区域漏出。在高功率下工作时,大量的光从很小的区域(受到应力的区域)逃出,从而在局部形成产生高热量,进而损伤光纤。请在操作过程中不要破坏或突然弯曲光纤,以尽可能地减少弯曲损耗。用户应该针对给定的应用选择合适的光纤。例如,大模场光纤可以良好地代替标准的单模光纤在高功率应用中使用,因为前者可以提供更佳的光束质量,更大的MFD,且可以降低空气/光纤界面的功率密度。阶跃折射率石英单模光纤一般不用于紫外光或高峰值功率脉冲应用,因为这些应用与高空间功率密度相关。MFD定义模场直径的定义模场直径(MFD)是对在单模光纤中传播的光的光束尺寸的一种量度。它与波长、纤芯半径以及纤芯和包层的折射率具有函数关系。虽然光纤中的大部分光被限制在纤芯内传播,但仍有极小部分的光在包层中传播。对于高斯功率分布,MFD是指光功率从峰值水平降到1/e2时的直径。MFD的测量通过在远场使用变孔径法来完成MFD的测量。在光纤输出的远场处放置一个通光孔径,然后测量强度。在光路中放置连续变小的通光孔径,测量每个通光孔径下的强度水平;然后以功率和孔径半角(或数值孔径)的正弦为坐标作图得到数据。使用彼得曼第二定义确定MFD,该数学模型没有假设功率分布的特定形状。使用汉克尔变换可以从远场测量值确定近场处的MFD大小TEC光纤跳线,980 nm - 1250 nmItem #Fiber TypeOperating WavelengthMode Field DiameteraAR CoatingbMax AttenuationcNAdCladding/Coating DiameterConnectorsJacketTECStandardTECStandardP1-1060TEC-21060XP980 - 1250 nm12.4 ± 1.0 μm6.2 ± 0.5 μm850 - 1250 nm≤2.1 dB/km @980 nm≤1.5 dB/km @ 1060 nm0.070.14125 ± 0.5 μm /245 ± 10 μmFC/PC (TEC) to FC/PC?3 mmFT030-YP5-1060TEC-2TEC光纤跳线,1460 - 1620 nm,镀增透膜,FC/PC(TEC)到FC/APC,2 mP6-1550TEC-2TEC光纤跳线,1460 - 1620 nm,镀增透膜,?2.5 mm插芯(TEC)到裸纤,2 m
  • 保偏光纤跳线,FC/PC接头
    保偏光纤跳线,FC/PC接头特性窄键(2.0 mm)和慢轴对准典型的回波损耗50 分贝(zui低40分贝)陶瓷圆角插芯(UPC)?3 mm外部保护层提供定制跳线(请看上述标签)这些光纤跳线的两端都是高质量、窄插销的陶瓷FC接头。由我们的设备生产,每根跳线都经过单独测试,以在光纤和光纤连接时保证消光比和低背反射(回波损耗)。这些跳线有库存,具有高质量的抛光,可以保证超过50 dB的典型回波损耗。每条跳线都带有两个罩在终端的保护帽,防止灰尘或者其它污染物落入插芯端面。我们也单独销售保护FC/PC终端CAPF塑料光纤帽和CAPFM金属螺纹光纤帽。熊猫保偏光纤横截面PM Fiber Patch Cable Selection GuideFC/PC to FC/PCFC/APC to FC/APCFC/PC to FC/APC HybridAR-Coated FC/PC and HybridHR-Coated FC/PC and FC/APC 规格Item #P1-405BPM-FCP1-488PM-FCP1-630PM-FCP1-780PM-FCP1-980PM-FCTest Wavelength405 nm488 nm630 nm780 nm980 nmOperating Wavelength400-680 nm460-700 nm620-850 nm770-1100 nm970-1550 nmFiber TypePM-S405-XP(Panda)PM460-HP(Panda)PM630-HP(Panda)PM780-HP(Panda)PM980-XP(Panda)Max Insertion Lossb1.5 dB1.5 dB1.2 dB1.0 dB0.7 dBMin Extinction Ratiob15 dB18 dB20 dB20 dB22 dBMode Field Diameterc3.6 ± 0.5 μm @ 405 nm3.4 μm @ 488 nm4.2 μm @ 630 nm4.9 μm @ 780 nm6.6 ± 0.5 μm @ 980 nmNumerical Aperturea0.120.120.120.120.12Optical Return Lossb50 dB TypicalConnector TypeFC/PCKey Width2.00 ± 0.02 mmKey Alignment TypeNarrow Key Aligned to Slow Axis or as SpecifiedCable Length1.0 +0.075/-0 m for Item Numbers Ending in -12.0 +0.075/-0 m for Item Numbers Ending in -25.0 +0.075/-0 m for Item Numbers Ending in -510.0 +0.075/-0 m for Item Numbers Ending in -10Jacket TypeFT030-BLUEOperating Temperature0 to 70 °CStorage Temperature-45 to 85 °C数值孔径(NA)为定值。在测试波长处测得。模场直径(MFD)为定值。它是相邻模场的1/e2功率水平位置的直径。Item #P1-1064PM-FCP1-1310PM-FCP1-1550PM-FCP1-2000PM-FCTest Wavelength1064 nm1310 nm1550 nm2000 nmOperating Wavelength970-1550 nm1270 - 1625 nm1440 - 1625 nm1850 - 2200 nmFiber TypePM980-XP(Panda)PM1300-XP(Panda)PM1550-XP(Panda)PM2000(Panda)Max Insertion Lossb0.7 dB0.5 dB0.5 dB0.5 dBMin Extinction Ratiob22 dB23 dB23 dB23 dBMode Field Diameterc7.7 μm @ 1064 nm9.3± 0.5 μm @ 1300 nm10.1 ± 0.4 μm @ 1550 nm8.6 μm @ 2000 nmNumerical Aperturea0.120.120.1250.20Optical Return Lossb50 dB TypicalConnector TypeFC/PCKey Width2.00 mm ± 0.02Key Alignment TypeNarrow Key Aligned to Slow Axis or as SpecifiedFiber Length2.0 +0.075/-0 m for Item Numbers Ending in -25.0 +0.075/-0 m for Item Numbers Ending in -5Jacket TypeFT030-BLUEOperating Temperature0 to 70 °CStorage Temperature-45 to 85 °C 数值孔径(NA)为定值。在测试波长处测得。模场直径(MFD)为定值。它是相邻模场的1/e2功率水平位置的直径。 键槽对准FC/PC和FC/APC跳线键槽对准FC/PC和FC/APC跳线带有2.0 mm窄键或2.2 mm宽键,可以插入匹配元件对应的槽中。键槽对准对于正确对齐所连光纤跳线的纤芯至关重要,能够zui大程度地减少连接的插入损耗。例如,Thorlabs精心设计和制造用于FC/PC和FC/APC终端跳线的匹配套管,以确保正确使用时能够实现良好的对准。为了达到zui佳对准,需将跳线上的对准键插入对应匹配套管上的槽中。Thorlabs提供带有2.2 mm宽键槽或2.0 mm窄键槽的匹配套管。 宽键槽匹配套管2.2 mm宽键槽匹配套管兼容宽键和窄键接头。但是,将窄键接头插入宽键槽时,接头可在匹配套管内轻微旋转(如左下方的动画所示)。这种配置对于FC/PC接头的跳线是可以接受的,但对于FC/APC应用,我们还是建议使用窄键槽匹配套管,以实现zui优对准。窄键槽匹配套管2.0 mm窄键槽匹配套管能够实现带角度窄键FC/APC接头的良好对准,如右下方的动画所示。因此,它们不兼容具有2.2 mm宽键的接头。请注意,Thorlabs制造的所有FC/PC和FC/APC跳线都使用窄键接头。宽键匹配套管和接头之间的匹配 窄键匹配套管和接头之间的匹配 宽键槽匹配套管和窄键接头窄键接头插入宽键槽匹配套管之后,接头还有旋转空间。对于窄键FC/PC接头而言,这一点可以接受,但对于窄键FC/APC接头而言,这会产生很大的耦合损耗。 损伤阀值激光诱导的光纤损伤以下教程详述了无终端(裸露的)、有终端光纤以及其他基于激光光源的光纤元件的损伤机制,包括空气-玻璃界面(自由空间耦合或使用接头时)的损伤机制和光纤玻璃内的损伤机制。诸如裸纤、光纤跳线或熔接耦合器等光纤元件可能受到多种潜在的损伤(比如,接头、光纤端面和装置本身)。光纤适用的zui大功率始终受到这些损伤机制的zui小值的限制。虽然可以使用比例关系和一般规则估算损伤阈值,但是,光纤的jue对损伤阈值在很大程度上取决于应用和特定用户。用户可以以此教程为指南,估算zui大程度降低损伤风险的安全功率水平。如果遵守了所有恰当的制备和适用性指导,用户应该能够在指定的zui大功率水平以下操作光纤元件;如果有元件并未指定zui大功率,用户应该遵守下面描述的"实际安全水平"该,以安全操作相关元件。可能降低功率适用能力并给光纤元件造成损伤的因素包括,但不限于,光纤耦合时未对准、光纤端面受到污染或光纤本身有瑕疵。关于特定应用中光纤功率适用能力的深入讨论,请联系技术支持。 Quick LinksDamage at the Air / Glass InterfaceIntrinsic Damage ThresholdPreparation and Handling of Optical Fibers空气-玻璃界面的损伤空气/玻璃界面有几种潜在的损伤机制。自由空间耦合或使用光学接头匹配两根光纤时,光会入射到这个界面。如果光的强度很高,就会降低功率的适用性,并给光纤造成yong久性损伤。而对于使用环氧树脂将接头与光纤固定的终端光纤而言,高强度的光产生的热量会使环氧树脂熔化,进而在光路中的光纤表面留下残留物。 损伤的光纤端面未损伤的光纤端面裸纤端面的损伤机制光纤端面的损伤机制可以建模为大光学元件,紫外熔融石英基底的工业标准损伤阈值适用于基于石英的光纤(参考右表)。但是与大光学元件不同,与光纤空气/璃界面相关的表面积和光束直径都非常小,耦合单模(SM)光纤时尤其如此,因此,对于给定的功率密度,入射到光束直径较小的光纤的功率需要比较低。右表列出了两种光功率密度阈值:一种理论损伤阈值,一种"实际安全水平"。一般而言,理论损伤阈值代表在光纤端面和耦合条件非常好的情况下,可以入射到光纤端面且没有损伤风险的zui大功率密度估算值。而"实际安全水平"功率密度代表光纤损伤的zui低风险。超过实际安全水平操作光纤或元件也是有可以的,但用户必须遵守恰当的适用性说明,并在使用前在低功率下验证性能。计算单模光纤和多模光纤的有效面积单模光纤的有效面积是通过模场直径(MFD)定义的,它是光通过光纤的横截面积,包括纤芯以及部分包层。耦合到单模光纤时,入射光束的直径必须匹配光纤的MFD,才能达到良好的耦合效率。例如,SM400单模光纤在400 nm下工作的模场直径(MFD)大约是?3 μm,而SMF-28 Ultra单模光纤在1550 nm下工作的MFD为?10.5 μm。则两种光纤的有效面积可以根据下面来计算:SM400 Fiber:Area= Pi x (MFD/2)2= Pi x (1.5μm)2= 7.07 μm2= 7.07 x 10-8cm2 SMF-28 UltraFiber:Area = Pi x (MFD/2)2= Pi x (5.25 μm)2= 86.6 μm2= 8.66 x 10-7cm2为了估算光纤端面适用的功率水平,将功率密度乘以有效面积。请注意,该计算假设的是光束具有均匀的强度分布,但其实,单模光纤中的大多数激光束都是高斯形状,使得光束中心的密度比边缘处更高,因此,这些计算值将略高于损伤阈值或实际安全水平对应的功率。假设使用连续光源,通过估算的功率密度,就可以确定对应的功率水平:SM400 Fiber:7.07 x 10-8cm2x 1MW/cm2= 7.1 x10-8MW =71 mW (理论损伤阈值) 7.07 x 10-8cm2x 250 kW/cm2= 1.8 x10-5kW = 18 mW (实际安全水平)SMF-28 Ultra Fiber:8.66 x 10-7cm2x 1MW/cm2= 8.7 x10-7MW =870mW (理论损伤阈值)8.66 x 10-7cm2x 250 kW/cm2= 2.1 x10-4kW =210 mW (实际安全水平)多模(MM)光纤的有效面积由纤芯直径确定,一般要远大于SM光纤的MFD值。如要获得zui佳耦合效果,Thorlabs建议光束的光斑大小聚焦到纤芯直径的70 - 80%。由于多模光纤的有效面积较大,降低了光纤端面的功率密度,因此,较高的光功率(一般上千瓦的数量级)可以无损伤地耦合到多模光纤中。Estimated Optical Power Densities on Air / Glass InterfaceaTypeTheoretical Damage ThresholdbPractical Safe LevelcCW(Average Power)~1 MW/cm2~250 kW/cm210 ns Pulsed(Peak Power)~5 GW/cm2~1 GW/cm2所有值针对无终端(裸露)的石英光纤,适用于自由空间耦合到洁净的光纤端面。这是可以入射到光纤端面且没有损伤风险的zui大功率密度估算值。用户在高功率下工作前,必须验证系统中光纤元件的性能与可靠性,因其与系统有着紧密的关系。这是在大多数工作条件下,入射到光纤端面且不会损伤光纤的安全功率密度估算值。 插芯/接头终端相关的损伤机制有终端接头的光纤要考虑更多的功率适用条件。光纤一般通过环氧树脂粘合到陶瓷或不锈钢插芯中。光通过接头耦合到光纤时,没有进入纤芯并在光纤中传播的光会散射到光纤的外层,再进入插芯中,而环氧树脂用来将光纤固定在插芯中。如果光足够强,就可以熔化环氧树脂,使其气化,并在接头表面留下残渣。这样,光纤端面就出现了局部吸收点,造成耦合效率降低,散射增加,进而出现损伤。与环氧树脂相关的损伤取决于波长,出于以下几个原因。一般而言,短波长的光比长波长的光散射更强。由于短波长单模光纤的MFD较小,且产生更多的散射光,则耦合时的偏移也更大。为了zui大程度地减小熔化环氧树脂的风险,可以在光纤端面附近的光纤与插芯之间构建无环氧树脂的气隙光纤接头。我们的高功率多模光纤跳线就使用了这种设计特点的接头。曲线图展现了带终端的单模石英光纤的大概功率适用水平。每条线展示了考虑具体损伤机制估算的功率水平。zui大功率适用性受到所有相关损伤机制的zui低功率水平限制(由实线表示)。确定具有多种损伤机制的功率适用性光纤跳线或组件可能受到多种途径的损伤(比如,光纤跳线),而光纤适用的zui大功率始终受到与该光纤组件相关的zui低损伤阈值的限制。例如,右边曲线图展现了由于光纤端面损伤和光学接头造成的损伤而导致单模光纤跳线功率适用性受到限制的估算值。有终端的光纤在给定波长下适用的总功率受到在任一给定波长下,两种限制之中的较小值限制(由实线表示)。在488 nm左右工作的单模光纤主要受到光纤端面损伤的限制(蓝色实线),而在1550 nm下工作的光纤受到接头造成的损伤的限制(红色实线)。对于多模光纤,有效模场由纤芯直径确定,一般要远大于SM光纤的有效模场。因此,其光纤端面上的功率密度更低,较高的光功率(一般上千瓦的数量级)可以无损伤地耦合到光纤中(图中未显示)。而插芯/接头终端的损伤限制保持不变,这样,多模光纤的zui大适用功率就会受到插芯和接头终端的限制。请注意,曲线上的值只是在合理的操作和对准步骤几乎不可能造成损伤的情况下粗略估算的功率水平值。值得注意的是,光纤经常在超过上述功率水平的条件下使用。不过,这样的应用一般需要专业用户,并在使用之前以较低的功率进行测试,尽量降低损伤风险。但即使如此,如果在较高的功率水平下使用,则这些光纤元件应该被看作实验室消耗品。光纤内的损伤阈值除了空气玻璃界面的损伤机制外,光纤本身的损伤机制也会限制光纤使用的功率水平。这些限制会影响所有的光纤组件,因为它们存在于光纤本身。光纤内的两种损伤包括弯曲损耗和光暗化损伤。弯曲损耗光在纤芯内传播入射到纤芯包层界面的角度大于临界角会使其无法全反射,光在某个区域就会射出光纤,这时候就会产生弯曲损耗。射出光纤的光一般功率密度较高,会烧坏光纤涂覆层和周围的松套管。有一种叫做双包层的特种光纤,允许光纤包层(第二层)也和纤芯一样用作波导,从而降低弯折损伤的风险。通过使包层/涂覆层界面的临界角高于纤芯/包层界面的临界角,射出纤芯的光就会被限制在包层内。这些光会在几厘米或者几米的距离而不是光纤内的某个局部点漏出,从而zui大限度地降低损伤。Thorlabs生产并销售0.22 NA双包层多模光纤,它们能将适用功率提升百万瓦的范围。光暗化光纤内的第二种损伤机制称为光暗化或负感现象,一般发生在紫外或短波长可见光,尤其是掺锗纤芯的光纤。在这些波长下工作的光纤随着曝光时间增加,衰减也会增加。引起光暗化的原因大部分未可知,但可以采取一些列措施来缓解。例如,研究发现,羟基离子(OH)含量非常低的光纤可以抵抗光暗化,其它掺杂物比如氟,也能减少光暗化。即使采取了上述措施,所有光纤在用于紫外光或短波长光时还是会有光暗化产生,因此用于这些波长下的光纤应该被看成消耗品。405纳米保偏FC/PC光纤跳线:熊猫型Fiber Type

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