原子层沉积系统Atomic Layer Deposition System 产地:美国Angstrom;型号:Angstrom Dep II, Angstrom Dep III; 原子层沉积技术(Atomic Layer Deposition)是一种原子尺度的薄膜制备技术,它可以沉积均匀一致、厚度可控、成分可调的超薄薄膜。随着纳米技术和半导体微电子技术的发展,器件和材料的尺寸要求不断地降低,同时器件结构中的宽深比不断增加,这样就要求所使用材料的厚度降低至十几纳米到几个纳米数量级。因此原子层沉积技术逐渐成为了相关制造领域不可替代的技术,其优势决定了它具有巨大的发展潜力和更加广阔的应用空间。 主要型号:- Angstrom Dep II: 热型原子层沉积系统 (T-ALD) - Angstrom Dep III: 等离子体增强原子层沉积系统 (PEALD) - Angstrom Dep I: 粉末原子层沉积系统 (Powder ALD) 技术规格特点:- 基底尺寸:3英寸,4英寸,6英寸,8英寸,12英寸;- 基底加热温度:25℃~450℃(选配:650℃);- ALD沉积均匀性:1% (AL2O3@4”晶圆衬底);- 前驱体源路:4路 / 6路 / 8路,可选;- 源瓶容量/温度:100cc,常温 / 150℃ / 200℃ / 250℃可选;- ALD阀门:Swagelok高温ALD阀,150℃ / 200℃ / 250℃可选;- 载气:氮气或者氩气;- 真空获得系统:阿尔卡特真空机械泵,也可选配普发分子泵或高速干泵;- 其他可选模块: Load-Lock样品传输腔室,手套箱,冷阱,臭氧发生器,等离子体源、粉末沉积腔,各种原位监测模块,尾气处理系统等; ALD可沉积材料分类:- 氧化物: Al2O3, TiO2, Ta2O5, ZrO2, HfO2, SnO2, ZnO, La2O3, V2O5, SiO2,...- 氮化物: AlN, TaNx, NbN, TiN, MoN, ZrN, HfN, GaN, ...- 硫化物: ZnS, SrS, CaS, PbS, ...- 氟化物: CaF2, SrF2, ZnF2, ...- 碳化物: TiC, NbC, TaC, ...- 金属单质:Pt, Ru, Ir, Pd, Cu, Fe, Co, Ni, ...- 复合结构材料: AlTiNx, AlTiOx, AlHfOx, SiO2:Al, HfSiOx, ...等等… 参考用户:中科院化学所,中科院大连化物所,中科院长春光机所,北京大学,北京工大,北京科大,电子科大,上海理工大学…
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