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快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管(5us以下),工艺上多采用掺金措施,结构上有采用PN结型结构,有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管(0.5-2V),反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长,后者则在100ns(纳秒)以下。 肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管,简称肖特基二极管(Schottky Barrier Diode),具有正向压降低(0.4--1.0V)、反向恢复时间很短(2-10ns纳秒),而且反向漏电流较大,耐压低,一般低于150V,多用于低电压场合。 肖特基二极管和快恢复二极管区别:前者的恢复时间比后者小一百倍左右,前者的反向恢复时间大约为几纳秒! 前者的优点还有低功耗,大电流,超高速!电特性当然都是二极管!快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件. 肖特基二极管:反向耐压值较低(一般小于150V),通态压降0.3-0.6V,小于10nS的反向恢复时间。它是有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除材料外,还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓,多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的,所以,其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微,所以其频率响仅为RC时间常数限制,因而,它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且,MIS(金属-绝缘体-半导体)肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。 快恢复二极管:有0.8-1.1V的正向导通压降,35-85nS的反向恢复时间,在导通和截止之间迅速转换,提高了器件的使用频率并改善了波形。快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件. 快恢复二极管FRD(Fast Recovery Diode)是近年来问世的新型半导体器件,具有开关特性好,反向恢复时间短、正向电流大、体积小、安装简便等优点。超快恢复二极管SRD(Superfast Recovery Diode),则是在快恢复二极管基础上发展而成的,其反向恢复时间trr值已接近于肖特基二极管的指标。它们可广泛用于[url=http://www.midiqi.com/Shop/Product.asp?ClassId=27][color=#0000ff]开关电源[/color][/url] [url=http://www.midiqi.com/Shop/ShowProduct.asp?ProductId=32975][color=#0000ff]电源模块V-60[/color][/url] 、脉宽调制器(PWM)、不间断电源(UPS)、交流电动机变频调速(VVVF)、高频加热等装置中,作高频、大电流的续流二极管或整流管,是极有发展前途的电力、电子半导体器件。 1.性能特点 1)反向恢复时间 反向恢复时间tr的定义是:电流通过零点由正向转换到规定低值的时间间隔。它是衡量高频续流及[url=http://www.midiqi.com/Shop/Product.asp?ClassId=38][color=#0000ff]整流器[/color][/url] [url=http://www.midiqi.com/Shop/ShowProduct.asp?ProductId=4862][color=#0000ff]硅整流[/color][/url] 件性能的重要技术指标。反向恢复电流的波形如图1所示。IF为正向电流,IRM为最大反向恢复电流。Irr为反向恢复电流,通常规定Irr=0.1IRM。当t≤t0时,正向电流I=IF。当t>t0时,由于整流器件上的正向电压突然变成反向电压,因此正向电流迅速降低,在t=t1时刻,I=0。然后整流器件上流过反向电流IR,并且IR逐渐增大;在t=t2时刻达到最大反向恢复电流IRM值。此后受正向电压的作用,反向电流逐渐减小,并在t=t3时刻达到规定值Irr。从t2到t3的反向恢复过程与电容器放电过程有相似之处。2)快恢复、超快恢复二极管的结构特点 快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同,它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I,构成P-I-N硅片。由于基区很薄,反向恢复电荷很小,不仅大大减小了trr值,还降低了瞬态正向压降,使管子能承受 很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒,正向压降约为0.6V,正向电流是几安培至几千安培,反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二极管的反向恢复电荷进一步减小,使其trr可低至几十纳秒。 20A以下的快恢复及超快恢复二极管大多采用TO-220封装形式。从内部结构看,可分成单管、对管(亦称双管)两种。对管内部包含两只快恢复二极管,根据两只二极管接法的不同,又有共阴对管、共阳对管之分。图2(a)是C 20-04型快恢复二极管(单管)的外形及内部结构。(b)图和(c)图分别是C92-02型(共阴对管)、MUR1680A型(共阳对管)超快恢复二极管的外形与构造。它们均采用TO-220塑料封装,主要技术指标见表1。 几十安的快恢复二极管一般采用TO-3P金属壳封装。更大容量(几百安~几千安)的管子则采用螺栓型或平板型封装形式。 2.检测方法 1)测量反向恢复时间 测量电路如图3。由直流电流源供规定的IF,脉冲[url=http://www.midiqi.com/Shop/Product.asp?ClassId=456][color=#0000ff]发生器[/color][/url] [url=http://www.midiqi.com/Shop/ShowProduct.asp?ProductId=48158][color=#0000ff]SP1641B/1642B发生器[/color][/url] 经过隔直电容器C加脉冲信号,利用电子[url=http://www.midiqi.com/Shop/Product.asp?ClassId=293][color=#0000ff]示波器[/color][/url] [url=http://www.midiqi.com/Shop/ShowProduct.asp?ProductId=18771][color=#0000ff]示波表190[/color][/url] 观察到的trr值,即是从I=0的时刻到IR=Irr时刻所经历的时间。 设器件内部的反向恢电荷为Qrr,有关系式trr≈2Qrr/IRM由式(5.3.1)可知,当IRM 为一定时,反向恢复电荷愈小,反向恢复时间就愈短。 2)常规检测方法 在业余条件下,利用[url=http://www.midiqi.com/Shop/Product.asp?ClassId=277][color=#0000ff]万用表[/color][/url] [url=http://www.midiqi.com/Shop/ShowProduct.asp?ProductId=17373][color=#0000ff]绝缘万用表UT531[/color][/url] 能检测快恢复、超快恢复二极管的单向导电性,以及内部有无开路、短路故障,并能测出正向导通压降。若配以[url=http://www.midiqi.com/Shop/Product.asp?ClassId=283][color=#0000ff]兆欧表[/color][/url] [url=http://www.midiqi.com/Shop/ShowProduct.asp?ProductId=14870][color=#0000ff]指针式兆欧表MIS-4A[/color][/url] ,还能测量反向击穿电压。实例:测量一只超快恢复二极管,其主要参数为:trr=35ns,IF=5A,IFSM=50A,VRM=700V。将万用表拨至R×1档,读出正向电阻为6.4Ω,n′=19.5格;反向电阻则为无穷大。进一步求得VF=0.03V/格×19.5=0.585V。证明管子是好的。 注意事项: 1)有些单管,共三个引脚,中间的为空脚,一般在出厂时剪掉,但也有不剪的。 2)若对管中有一只管子损坏,则可作为单管使用。 3)测正向导通压降时,必须使用R×1档。若用R×1k档,因测试电流太小,远低于管子的正常工作电流,故测出的VF值将明显偏低。在上面例子中,如果选择R×1k档测量,正向电阻就等于2.2kΩ,此时n′=9格。由此计算出的VF值仅0.27V,远低于正常值(0.6V)。更多技术论文请详见:[url=http://www.midiqi.com/][color=#810081]买电器网[/color][/url](MIDIQI.COM) [url=http://www.midiqi.com/Knowledge/Index.asp][color=#810081]知识库[/color][/url]
[align=left][font=宋体][font=宋体]CoolSiC? 肖特基二极管 650V G6是英飞凌先进的 SiC 肖特基势垒二极管技术,充分发挥在硅上使用 SiC 的全部优势。英飞凌专有创新焊接工艺结合更加紧凑的设计、薄晶圆技术以及全新肖特基金属系统。打造的系列产品具有同类产品中极其优秀的的品质因数 (Qc x VF),在各种负载条件下都表现出更高的效率。[/font][/font][/align][align=left][font=宋体][font=宋体]特征描述[/font][/font][/align][align=left][font=宋体] [/font][/align][align=left][font=宋体] [font=宋体]极低的[/font] [font=宋体]VF:1.25V[/font][/font][/align][align=left][font=宋体] [font=宋体]同类产品中极其优秀的品质因数[/font] [font=宋体](Qc x VF)[/font][/font][/align][align=left][font=宋体] [font=宋体]无反向恢复电荷[/font][/font][/align][align=left][font=宋体] [font=宋体]与温度无关的开关行为[/font][/font][/align][align=left][font=宋体] [font=宋体]高[/font] [font=宋体]dv/dt 稳定性[/font][/font][/align][align=left][font=宋体] [font=宋体]优化热性能[/font][/font][/align][align=left][font=宋体] [/font][/align][align=left][font=宋体][font=宋体]优势[/font][/font][/align][align=left][font=宋体] [/font][/align][align=left][font=宋体] [font=宋体]提高各种负载条件下的配置总线效率[/font][/font][/align][align=left][font=宋体] [font=宋体]增加系统功率密度[/font][/font][/align][align=left][font=宋体] [font=宋体]降低冷却要求,提高系统可靠性[/font][/font][/align][align=left][font=宋体] [font=宋体]支持超快速开关轻松有效匹配[/font] [font=宋体]CoolMOS? 7 系列产品[/font][/font][/align][align=left][font=宋体] [font=宋体]优秀的性价比[/font][/font][/align][align=left][font=宋体] [/font][/align][align=left][font=宋体][font=宋体]销售各种电子元器件,需要请联系[/font][/font][/align]
[url=https://www.ldteq.com/brand/89.html]solitron[/url] SD11803是一款 1200V、10A 碳化硅 (SiC) 二极管,采用行业标准 3 引脚 TO-258 密封封装,适用于军事和高可靠性项目。SD11803非常适合极端环境应用,工作温度范围高达 -55°C 至 200°C。 由于反向恢复几乎为零和正向压降低,SD11803具有极低的开关损耗,非常适合尺寸、重量和尽可能高的效率至关重要的航空航天和军事系统。高导热性允许开关和热特性变化很小,使该技术成为恶劣和高温系统的理想选择。该SD11803提供 COTS、TX、TXV 和空间级筛选。[align=center][img=SD11803高温1200V碳化硅肖特基二极管Solitron,375,384]https://www.ldteq.com/public/ueditor/upload/image/20231227/1703641594617938.png[/img][/align][b]关键特性:[/b]无反向恢复/无正向恢复接近零开关损耗开关行为与温度无关工作温度200℃孤立的情况下密封包装Tx, TXV和空间级筛选[b]好处:[/b]无热失控的并联装置更高的效率更小的散热器理想的极端环境应用[b]应用:[/b]航空航天高效率的转换器和马达驱动电力供应更多[url=https://www.ldteq.com/brand/89.html]solitron[/url]相关产品信息可咨询[url=https://www.ldteq.com/]立维创展ldteq.com[/url]。