肖特基二极管

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  • 有机光电二极管 - 超越硅光电二极管的新星
    【重点摘要】硅光电二极管的刚性结构给大面积低成本扩展带来困难,限制了它在一些新兴应用中的使用。通过详细的表征方法,揭示了基于聚合物体异质结的有机光电二极管中,收集电荷的电极对低频噪声的影响。经过优化的有机光电二极管在可见光范围内的各项指标(响应时间除外)可媲美低噪声硅光电二极管。溶液处理制备的有机光电二极管提供了一些设计机会,例如用于生物识别监测的大面积柔性环形有机光电二极管,其性能可达到硅器件的水平。【硅光电二极管的局限性】 数十年来,硅光电二极管一直是光检测技术的基石,但它们的结构刚性给大面积低成本扩展应用带来许多局限。这给新兴的光电检测应用带来挑战。为实现更大面积的光电检测以及柔性基片上低成本光电二极管的制作,我们需要寻找新的材料体系。【有机光电二极管的低频噪声特性】 有机光电二极管常基于聚合物制成,具有结构灵活性等优势。研究人员通过详细的表征方法学,考察了这类二极管低频电子噪声的来源,发现负责收集电荷的电极对低频噪声有重要影响。这为设计低噪声的有机光电二极管奠定了基础。【有机光电二极管的指标表现】 经过优化设计后,有机光电二极管的大多数指标已可达到商用硅光电二极管的水平,特别是在可见光范围内。例如响应度、灵敏度、线性度、功耗等。它们的响应时间仍比不上硅二极管,但对大多数视频速率的应用已经足够。【应用展望】 溶解性的有机光电二极管制造过程为它们带来了许多应用机会。例如,大面积柔性的环形有机光二极管可用于生物识别监测。此类二极管成本低,可在多种非平面基片上制作,性能已达商用硅器件的水平。它们有望在新兴的光电子学领域大放异彩。图1 硅光电二极管(SiPD)与有机光电二极管(OPD)性能比较(A) OPD 尺寸结构。(B)测量所得光谱响应度。EQE,外量子效率。(C) 测量所得光照度依赖的光电流和响应度。LDR,线性动态范围。(D) 测量所得均方根噪声电流、噪声当量功率 (NEP)和特定探测度统计框图(_N_代表数据点数量)。Max,最大值 Min,最小值。图2 SiPD 和 OPD 中的稳态暗电流密度和电子噪声特性(A) 电压依赖的暗电流密度。Exp.,实验值。(B) 反向偏置下,建模和测量所得均方根噪声电流比较。图3 SiPD 和 OPD 中的时域响应特性(A) 负载电阻依赖的 10-90% 上升和下降响应时间。(B) 525 nm处频率依赖的归一化响应度。图4 弯曲 OPD(Flex-OPD)及其在光电容积图(PPG)中的应用(A) Flex-OPD 器件几何结构。PES,聚醚砜。(B) 小面积、大面积 Flex-OPD 和大面积 OPD 中的均方根噪声电流、响应度、NEP 和特定探测度统计框图。(C) S1133 SiPD 和环形 Flex-OPD PPG 阵列原理图(上) 手指反射模式 PPG 信号的 SiPD 和不同功率红色 LED驱动的环形 Flex-OPD PPG 阵列比较(下)。
  • 全球最小二极管问世
    p style=" line-height: 1.75em " & nbsp & nbsp & nbsp & nbsp 北京时间4月5日下午消息,佐治亚大学和以色列内盖夫本-古里安大学的研究人员利用DNA分子制造出了新型二极管。这被认为是全球尺寸最小的二极管。研究人员表示,这将促进DNA元件的开发,推动分子电子学的发展。二极管的功能是实现电流的单向流动。40多年前,科学家提出,可以将二极管和其他电子元器件小型化,缩小至单个分子大小。这促成了分子电子学的诞生,而分子电子学的研究成果有望推动计算机技术突破传统硅器件的限制。 /p p style=" text-align: center " img src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201604/insimg/f32193bc-d6bc-4fd2-9f3a-69a9864d9f7a.jpg" title=" 3f07b4fef509cc1.jpg_600x600.jpg" width=" 400" height=" 400" border=" 0" hspace=" 0" vspace=" 0" style=" width: 400px height: 400px " / /p p style=" line-height: 1.75em "   在这项研究中,科学家利用DNA分子去制造二极管。基因科学的突破使精确设计DNA成为了可能,并使DNA成为了分子电子学研究中的最佳原材料。 /p p style=" line-height: 1.75em "   DNA的双螺旋结构由被称作碱基对的分子构成。这一新型二极管的长度只有11个碱基对。通常情况下,每个DNA碱基对的长度约为0.34纳米。 /p p style=" line-height: 1.75em "   DNA本身并不能发挥二极管的功能。不过,当研究人员向DNA内部某个位置插入2个小的Coralyne分子,并向其施加1.1伏电压时,可以发现通过该DNA二极管的电流在某一方向上要比另一方向强15倍。 /p p style=" line-height: 1.75em "   科学家表示,这一DNA二极管可以进一步优化,从而开发出可提供实际功能的分子器件。这一研究成果发表在最近的《自然化学》期刊上。 /p p br/ /p
  • 光电二极管的量子效率:如何提高光电二极管的量子效率?
    提高光电二极管的量子效率 (QE) 可以通过多种方法实现:优化材料特性:选择吸收系数较高的材料可以增强光子吸收,从而提高QE。表面钝化:最大限度地减少表面缺陷和复合中心可以减少电子空穴对复合,从而提高 QE。抗反射涂层:应用减少反射的涂层可以增加进入光电二极管的光子数量,从而增强 QE。器件几何优化:设计具有最佳厚度和几何形状的光电二极管可以提高光吸收和载流子收集效率。增强光捕获:在光电二极管内采用捕获光的结构或技术可以增加与光子的相互作用长度,从而提高 QE。这些方法中的每一种都针对光电二极管操作的不同方面,以最大限度地提高其将光转换为电信号的效率。图 抗反射 (AR) 涂层对不同波长范围内光电二极管的量子效率 (QE) 的积极影响。QE 以百分比形式测量,表示光电二极管将入射光子转换为电流的效率。不同的曲线代表具有不同结构或材料的光电二极管,它们吸收不同波长范围的光。从图中可以明显看出,增透膜的应用增强了所有三种类型光电二极管的 QE。涂层减少了表面的光子反射,允许更多的光被吸收并转化为电信号,从而直接提高 QE。当具有增透膜的曲线与没有增透膜的曲线相比达到更高的百分比值时,这一点尤其明显。光伏检测请搜寻光焱科技

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  • 利用激光二极管进行光输出功率的建模方法
    本文提出了一种激光二极管光输出功率的建模方法,包括其对温度的依赖性。本研究使用的设备是一个40W的Monocrom二极管,发射波长为808nm的光,带有一个19个发射器的CS安装激光板条,使用Monocrom的夹紧方法安装。本研究的目的是提出激光二极管器件的Pspice模型,主要关注光学输出功率随温度的变化,并允许其计算机模拟。还要建立一个表征系统,以获得光学模型数学表达式所需的参数值。因此,本文解释了所提出的激光条形二极管光输出功率模型生成方法及其参数值的获取方法、光输出功率测量装置及其校准、所获得的Pspice模型及其仿真,以及能够获得具有短上升时间电流斜率的必要参数的表征系统。最后,给出了评价结果和相关结论。
  • 二极管阵列检测器在农药液相色谱分析中的应用
    二极管阵列检测器是一种基于光电二极管阵列技术的新型检测器。使用二极管阵列检测器,可以对色谱峰进行光谱扫描、峰纯度鉴定等定性分析,在方法研究中可以快速选择最佳检测波长,在多组分混合物分析中可以编辑波长程序。由于具有这些明显优势,二极管阵列检测器在农药分析中有着极佳的应用前景。
  • 坚固的外腔二极管激光器及其在水蒸气和饱和吸收铷光谱中的应用
    与传统激光器相比,二极管激光器通常体积小、结构紧凑、可靠、易于操作,适用于电子高频调制和温度调谐。然而,许多商用标准二极管激光器的调谐特性远非理想。采用法布里-珀罗(FP)标准激光二极管的ECDL可以提供一种有吸引力的替代方案。这项工作的目的是优化Littman和Littrow配置(方案1)中ECDL的优化设计,以用于坚固的传感器应用。用水蒸气和铷饱和吸收光谱法演示了ECDL的性能。方案1展示了Littman和Littrow ECDL的设计。对于Littrow配置,安装衍射光栅,使一阶衍射光反射回激光器,而零阶衍射光耦合。对于Littman配置,以一阶衍射的光通过一个误差或棱镜反射回光栅。在这两个设计中,都使用了带有和不带有抗反射(ar)涂层的激光二极管。

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  • 【分享】肖特基二极管和快恢复二极管有什么区别

    快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管(5us以下),工艺上多采用掺金措施,结构上有采用PN结型结构,有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管(0.5-2V),反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长,后者则在100ns(纳秒)以下。   肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管,简称肖特基二极管(Schottky Barrier Diode),具有正向压降低(0.4--1.0V)、反向恢复时间很短(2-10ns纳秒),而且反向漏电流较大,耐压低,一般低于150V,多用于低电压场合。 肖特基二极管和快恢复二极管区别:前者的恢复时间比后者小一百倍左右,前者的反向恢复时间大约为几纳秒!  前者的优点还有低功耗,大电流,超高速!电特性当然都是二极管!快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件.  肖特基二极管:反向耐压值较低(一般小于150V),通态压降0.3-0.6V,小于10nS的反向恢复时间。它是有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除材料外,还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓,多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的,所以,其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微,所以其频率响仅为RC时间常数限制,因而,它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且,MIS(金属-绝缘体-半导体)肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。   快恢复二极管:有0.8-1.1V的正向导通压降,35-85nS的反向恢复时间,在导通和截止之间迅速转换,提高了器件的使用频率并改善了波形。快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件.   快恢复二极管FRD(Fast Recovery Diode)是近年来问世的新型半导体器件,具有开关特性好,反向恢复时间短、正向电流大、体积小、安装简便等优点。超快恢复二极管SRD(Superfast Recovery Diode),则是在快恢复二极管基础上发展而成的,其反向恢复时间trr值已接近于肖特基二极管的指标。它们可广泛用于[url=http://www.midiqi.com/Shop/Product.asp?ClassId=27][color=#0000ff]开关电源[/color][/url] [url=http://www.midiqi.com/Shop/ShowProduct.asp?ProductId=32975][color=#0000ff]电源模块V-60[/color][/url] 、脉宽调制器(PWM)、不间断电源(UPS)、交流电动机变频调速(VVVF)、高频加热等装置中,作高频、大电流的续流二极管或整流管,是极有发展前途的电力、电子半导体器件。 1.性能特点 1)反向恢复时间 反向恢复时间tr的定义是:电流通过零点由正向转换到规定低值的时间间隔。它是衡量高频续流及[url=http://www.midiqi.com/Shop/Product.asp?ClassId=38][color=#0000ff]整流器[/color][/url] [url=http://www.midiqi.com/Shop/ShowProduct.asp?ProductId=4862][color=#0000ff]硅整流[/color][/url] 件性能的重要技术指标。反向恢复电流的波形如图1所示。IF为正向电流,IRM为最大反向恢复电流。Irr为反向恢复电流,通常规定Irr=0.1IRM。当t≤t0时,正向电流I=IF。当t>t0时,由于整流器件上的正向电压突然变成反向电压,因此正向电流迅速降低,在t=t1时刻,I=0。然后整流器件上流过反向电流IR,并且IR逐渐增大;在t=t2时刻达到最大反向恢复电流IRM值。此后受正向电压的作用,反向电流逐渐减小,并在t=t3时刻达到规定值Irr。从t2到t3的反向恢复过程与电容器放电过程有相似之处。2)快恢复、超快恢复二极管的结构特点 快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同,它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I,构成P-I-N硅片。由于基区很薄,反向恢复电荷很小,不仅大大减小了trr值,还降低了瞬态正向压降,使管子能承受 很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒,正向压降约为0.6V,正向电流是几安培至几千安培,反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二极管的反向恢复电荷进一步减小,使其trr可低至几十纳秒。 20A以下的快恢复及超快恢复二极管大多采用TO-220封装形式。从内部结构看,可分成单管、对管(亦称双管)两种。对管内部包含两只快恢复二极管,根据两只二极管接法的不同,又有共阴对管、共阳对管之分。图2(a)是C 20-04型快恢复二极管(单管)的外形及内部结构。(b)图和(c)图分别是C92-02型(共阴对管)、MUR1680A型(共阳对管)超快恢复二极管的外形与构造。它们均采用TO-220塑料封装,主要技术指标见表1。 几十安的快恢复二极管一般采用TO-3P金属壳封装。更大容量(几百安~几千安)的管子则采用螺栓型或平板型封装形式。 2.检测方法 1)测量反向恢复时间 测量电路如图3。由直流电流源供规定的IF,脉冲[url=http://www.midiqi.com/Shop/Product.asp?ClassId=456][color=#0000ff]发生器[/color][/url] [url=http://www.midiqi.com/Shop/ShowProduct.asp?ProductId=48158][color=#0000ff]SP1641B/1642B发生器[/color][/url] 经过隔直电容器C加脉冲信号,利用电子[url=http://www.midiqi.com/Shop/Product.asp?ClassId=293][color=#0000ff]示波器[/color][/url] [url=http://www.midiqi.com/Shop/ShowProduct.asp?ProductId=18771][color=#0000ff]示波表190[/color][/url] 观察到的trr值,即是从I=0的时刻到IR=Irr时刻所经历的时间。 设器件内部的反向恢电荷为Qrr,有关系式trr≈2Qrr/IRM由式(5.3.1)可知,当IRM 为一定时,反向恢复电荷愈小,反向恢复时间就愈短。 2)常规检测方法 在业余条件下,利用[url=http://www.midiqi.com/Shop/Product.asp?ClassId=277][color=#0000ff]万用表[/color][/url] [url=http://www.midiqi.com/Shop/ShowProduct.asp?ProductId=17373][color=#0000ff]绝缘万用表UT531[/color][/url] 能检测快恢复、超快恢复二极管的单向导电性,以及内部有无开路、短路故障,并能测出正向导通压降。若配以[url=http://www.midiqi.com/Shop/Product.asp?ClassId=283][color=#0000ff]兆欧表[/color][/url] [url=http://www.midiqi.com/Shop/ShowProduct.asp?ProductId=14870][color=#0000ff]指针式兆欧表MIS-4A[/color][/url] ,还能测量反向击穿电压。实例:测量一只超快恢复二极管,其主要参数为:trr=35ns,IF=5A,IFSM=50A,VRM=700V。将万用表拨至R×1档,读出正向电阻为6.4Ω,n′=19.5格;反向电阻则为无穷大。进一步求得VF=0.03V/格×19.5=0.585V。证明管子是好的。 注意事项: 1)有些单管,共三个引脚,中间的为空脚,一般在出厂时剪掉,但也有不剪的。 2)若对管中有一只管子损坏,则可作为单管使用。 3)测正向导通压降时,必须使用R×1档。若用R×1k档,因测试电流太小,远低于管子的正常工作电流,故测出的VF值将明显偏低。在上面例子中,如果选择R×1k档测量,正向电阻就等于2.2kΩ,此时n′=9格。由此计算出的VF值仅0.27V,远低于正常值(0.6V)。更多技术论文请详见:[url=http://www.midiqi.com/][color=#810081]买电器网[/color][/url](MIDIQI.COM) [url=http://www.midiqi.com/Knowledge/Index.asp][color=#810081]知识库[/color][/url]

  • CoolSi 肖特基二极管—IDH08G65C6

    [align=left][font=宋体][font=宋体]CoolSiC? 肖特基二极管 650V G6是英飞凌先进的 SiC 肖特基势垒二极管技术,充分发挥在硅上使用 SiC 的全部优势。英飞凌专有创新焊接工艺结合更加紧凑的设计、薄晶圆技术以及全新肖特基金属系统。打造的系列产品具有同类产品中极其优秀的的品质因数 (Qc x VF),在各种负载条件下都表现出更高的效率。[/font][/font][/align][align=left][font=宋体][font=宋体]特征描述[/font][/font][/align][align=left][font=宋体] [/font][/align][align=left][font=宋体] [font=宋体]极低的[/font] [font=宋体]VF:1.25V[/font][/font][/align][align=left][font=宋体] [font=宋体]同类产品中极其优秀的品质因数[/font] [font=宋体](Qc x VF)[/font][/font][/align][align=left][font=宋体] [font=宋体]无反向恢复电荷[/font][/font][/align][align=left][font=宋体] [font=宋体]与温度无关的开关行为[/font][/font][/align][align=left][font=宋体] [font=宋体]高[/font] [font=宋体]dv/dt 稳定性[/font][/font][/align][align=left][font=宋体] [font=宋体]优化热性能[/font][/font][/align][align=left][font=宋体] [/font][/align][align=left][font=宋体][font=宋体]优势[/font][/font][/align][align=left][font=宋体] [/font][/align][align=left][font=宋体] [font=宋体]提高各种负载条件下的配置总线效率[/font][/font][/align][align=left][font=宋体] [font=宋体]增加系统功率密度[/font][/font][/align][align=left][font=宋体] [font=宋体]降低冷却要求,提高系统可靠性[/font][/font][/align][align=left][font=宋体] [font=宋体]支持超快速开关轻松有效匹配[/font] [font=宋体]CoolMOS? 7 系列产品[/font][/font][/align][align=left][font=宋体] [font=宋体]优秀的性价比[/font][/font][/align][align=left][font=宋体] [/font][/align][align=left][font=宋体][font=宋体]销售各种电子元器件,需要请联系[/font][/font][/align]

  • Solitron SD11803高温1200V碳化硅肖特基二极管

    [url=https://www.ldteq.com/brand/89.html]solitron[/url] SD11803是一款 1200V、10A 碳化硅 (SiC) 二极管,采用行业标准 3 引脚 TO-258 密封封装,适用于军事和高可靠性项目。SD11803非常适合极端环境应用,工作温度范围高达 -55°C 至 200°C。 由于反向恢复几乎为零和正向压降低,SD11803具有极低的开关损耗,非常适合尺寸、重量和尽可能高的效率至关重要的航空航天和军事系统。高导热性允许开关和热特性变化很小,使该技术成为恶劣和高温系统的理想选择。该SD11803提供 COTS、TX、TXV 和空间级筛选。[align=center][img=SD11803高温1200V碳化硅肖特基二极管Solitron,375,384]https://www.ldteq.com/public/ueditor/upload/image/20231227/1703641594617938.png[/img][/align][b]关键特性:[/b]无反向恢复/无正向恢复接近零开关损耗开关行为与温度无关工作温度200℃孤立的情况下密封包装Tx, TXV和空间级筛选[b]好处:[/b]无热失控的并联装置更高的效率更小的散热器理想的极端环境应用[b]应用:[/b]航空航天高效率的转换器和马达驱动电力供应更多[url=https://www.ldteq.com/brand/89.html]solitron[/url]相关产品信息可咨询[url=https://www.ldteq.com/]立维创展ldteq.com[/url]。

肖特基二极管相关的资料

肖特基二极管相关的仪器

  • 一、产品简介①TeraSchottky是一款低频的THz源,基于先进的肖特基二极管及其倍频技术。基频单元为75GHz,可倍频拓展到150GHz,300GHz和600GHz。借助于百mW量级的功率输出,TeraSchottky是市场上兼顾频率调谐和输出功率最优的折中方案。TeraSchottky是一个完全集成的即插即用系统,通过用户友好的软件提供最佳用户体验。起源于欧洲空间项目,TeraSchottky保证了最高的可靠性。Lytid获奖的太赫兹源设计方法再次成为了TeraSchottky背后的驱动精神。 ②控制:-通过USB使用专用软件进行远程控制 ③连接:-触发:SMA CMOS 3.3V-12V电源 ④典型频率-功率曲线图:二、产品参数技术参数TeraSchottky输出数据工作模式连续/外触发调制频率最大5 kHz频率切换4 ms可调谐性12%控制通过USB电源和工作参数电压12 V温度范围15-25 ℃功耗50 W尺寸和重量高55 mm宽130 mm长110 mm重量800 g三、产品特点 ①数百mW的高功率输出;②非常宽的调谐范围;③快速频率切换;④使用专用软件轻松配置;⑤完全可编程频率扫描,脉冲和调频调制;⑥完全集成,即插即用;⑦外部触发:锁定放大器,太赫兹相机,从属模式。 四、应用领域①实时太赫兹成像;②高分辨率太赫兹光谱;③振动能级调制,如声子、自旋共振等。
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  • Cutting Edge Optronics(简称CEO)是Northrop Grumman公司的一个子部门,是世界上未安装二极管靶条、已封装激光二极管、DPSS泵浦增益模块、完整的DPSS激光系统和激光二极管驱动器的主要供应商。基于CEO二极管激光器的产品已经成为工业标准,并应用在多种商业、工业和军事应用中。CEO公司的主要产品包括:未安装二极管靶条、已封装激光二极管、DPSS泵浦增益模块、完整的DPSS激光系统和激光二极管驱动器。 未安装二极管靶条、已封装激光二极管CEO高功率激光二极管产品线可选多种(传导冷却型和水冷型)热沉设计,每个激光耙条的CW输出功率超过100W,QCW输过300W。CEO具有10年以上经验,封装类型超过200种,其生产的激光二极管广泛用于工业、军事和航空应用中。CEO波长范围从790nm到1550nm,其中包括808nm、885nm和940nm,且能为特殊的泵浦应用提供定制设计,可以根据客户应用要求提供标准产品或者设计完整的封装。产品特点• 可选两种工作模式:CW和QCW• 总输出功率可达20kW• 可选配准直:快轴或慢轴• 多种封装方式其它特点? 多种组装• 激光二极管耙条• 激光二极管子模块• 已封装激光二极管? 标准波长范围• 780nm – 815nm• 875nm – 890nm• 935nm – 945nm• 965nm – 975nm? 冷却方法• 传导冷却• 水冷• 微通道冷却 芯片和耙条CEO具备提供大批量激光二极管耙条的实力,不管是客户需求每年1000耙条还是数万耙条,CEO都有相应的产能来满足要求。这些耙条的特点是CEO的专利外延结构设计,有多种波长可供选择,标准波长(nm)包括:790-820、872-890、930-950、970-990(其它波长可定制)? CW输出功率可达:100W/bar ? QCW输出功率可达:300W/bar激光二极管芯片(子模块)可选Silver或者Golden Bullet封装技术,两者都使用长寿命激光二极管耙条且可选CW或QCW工作模式。有多种波长可供选择,标准波长(nm)包括:790-820、872-890、930-950、970-990(其它波长可定制)。? CW输出功率可达:100W/bar? QCW输出功率可达:300W/bar 散热类型:传导冷却型 HDS阵列功率密度达到了25 W/cm2。这种高密度堆栈(HDS)阵列是在尽可能小的面积上要求极大二极管密度的轻小型应用的理想选择。这些阵列可选多种波长,也可以封装在几乎所有的CEO激光二极管阵列平台上,包括G、Cs和Derringer封装。? QCW工作? 耙条数:5-20? 总输出功率:0.5 - 6kWG型封装分为G1、G2和G3封装。G1可使用多达8个QCW耙条,该配置可以提供高达2.4kW峰值输出功率;G2可使用最多22个QCW耙条,该配置可以提供高达6.6kW峰值输出功率;G3可使用多达26个QCW耙条,该配置可以提供高达7.8kW峰值输出功率。另外,G型封装也可选CW配置,连续光输出功率可达40W。? CW和QCW工作? 耙条数:1-26? QCW功率:0.1kW到7kW以上密闭封装能够防尘和湿气,可以防止性能退化,设计用于多种环境条件下。QCW输出功率可达2.4kW,而CW功率可达40W,这种密闭封装是激光照明和激光测距应用的理想选择。该封装带有10kΩ热敏电阻,用户可以监测器件的温度变化,可根据要求提供其它监测电路。? CW和QCW工作? 耙条数:1-8? CW功率可达40W,QCW可达2.4kWCs封装是激光器工业的一种标准,经常在大型激光系统中用作搭建模块,或者在实验室环境中用作独立单元。如果选择QCW配置可使用多达8个耙条,总峰值功率可高达2.4kW。也可选择单耙条40W CW版本。? CW和QCW工作? 耙条数:1-8? CW功率可达40W,QCW可达2.4kWA型封装分为A、AA、AAA和AAAA四种,是一种紧凑的传导冷却型激光二极管阵列,可选脉冲配置或连续波配置,脉冲功率Max.可达9.6kW,连续波功率可达160W。? CW和QCW工作? 耙条数:1-32? CW功率可达160W,QCW可达9.6kW 散热类型:水冷型E2封装是一种紧凑的水冷激光二极管阵列,可选CW或QCW配置。对于CW工作输出功率可达40W,对于QCW配置E2封装可用多达15个激光二极管耙条,总峰值功率可达4.5kW。? CW或QCW工作? 耙条数:1-15? CW功率可达40W,QCW功率可达4.5kDerringer封装的特点是使用了专利水冷设计,该阵列非常适合固态激光晶体的侧向泵浦。Derringer按照发光的输出长度分为三种,分别是125px、100px和75px,它们都可以选择QCW和CW配置。Shooter 5的CW和QCW功率分别可达200W和12kW;Shooter 4功率分别可达160W和9.6kW;Shooter 3功率分别可达120W和7.2kW。? CW或QCW工作? 耙条数可达40? CW功率可达200W,QCW功率可达12kWShooter封装是一种坚固的二极管阵列,非常适合工业应用。这种阵列的特点是高电流电气连接和电螺柱,它们能够确保阵列在高平均电流下工作。Shooter封装分为6 shooter、8 shooter、10 shooter和12 shooter四种,它们都能配置以CW或QCW模式工作。? CW或QCW工作? 耙条数可达96? CW功率可达480W,QCW功率可达29kW 散热类型:微通道冷却型微通道冷却型(MCS)封装安装耙条数分为三种,分别是1耙条、3耙条和6耙条版本,它们都可以选择CW或QCW配置,使用先进的冷却技术确保较佳的散热效果,因此可以比其它阵列类型有更高的输出功率。 ? CW或QCW工作? 耙条数:1-6? CW功率范围60-600W
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  • 光电二极管 400-860-5168转2255
    光电二极管 Related Products Thorlabs提供一系列分立光电二极管和经过校准的光电二极管。其中包括铟镓砷(InGaAs)光电二极管,磷化镓 (GaP)光电二极管,硅(Si)光电二极管, 和锗(Ge)光电二极管。我们也提供一些专用的光电二极管。例如DSD2双波段光电二极管,它在一个包装内同时提供硅光电二极管和铟砷化镓光电二极管,两者结合起来可以达到400到1700纳米的波长范围。FGA20是一个具有高响应率的铟镓砷光电二极管,波长范围从1200到2600纳米,能够探测到的波长范围比典型的铟镓砷光电二极管的1800纳米要高。我们也提供FGAP71,它是一种磷化镓(GaP)光电二极管,它的波长范围是我们所提供的光电二极管中最短的,从150纳米到550纳米。磷化镓光电二极管-紫外波长Zoom超短波长范围(150至550纳米)快速上升时间安装在带有蓝宝石窗口的密封封装内型号 #波长范围(nm)有效面积二极管封装类型b上升/(下降)時間a噪音等效功率(W/Hz1/2)暗电流接合电容aFGAP71150 - 5504.8 mm2(2.5 mm x 2.5 mm)-1 ns (140 ns)@ 5 V1.0 x 10-14@ 440 nm10 nA (最大)@ 5 V-a) 典型值 RL=50欧姆b) 详细的引脚配置请参见规格表ください。硅光电二极管-可见光波长ZoomFDS02特性:直接光纤耦合FC/PC封装系统,并且保持高速特性FDS010特性:紫外级融石英窗口,提供低至200纳米的灵敏度范围FDS100特性:TO-5型金属封装中最大的传感器FDS1010特性:安装在绝缘的陶瓷衬底上,在本系列中具有最大有效面积。型号 #波长范围(nm)有效面积二极管封装类型b上升/(下降)时间aNEP(W/Hz1/2)暗电流(典型値)结电容aFDS02 400 - 11000.25 mmTO-46FC/PC Connector47 ps (246 ps) @ -5 V9.3 x 10-1535 pAd @ 5 V0.94 pF@ 5 VFDS010200 - 11000.81 mm2(Ø 1 mm)TO-5/PIN@ 20 V5.0 x 10-14@ 900 nm2.5 nA10 pF@ 0 VFDS100350 - 110013 mm2(3.6 mm x 3.6 mm)TO-5/PIN10 ns (10 ns)@ 20 V1.2 x 10-14@ 900 nm20 nA20 pF@ 1VFDS1010400 - 1100100 mm2(9.7 mm x 9.7 mm)Ceramic Wafer45 ns (45 ns)@ 5 V5.5 x 10-13@ 900 nm0.6 µ A@ 5V375 pF @ 5Va) 典型値. RL = 50 欧姆b) 详细引脚配置请参看专门规格表d) 最大500 pA铟镓砷光电二极管&mdash 近红外到红外波长ZoomFGA04特性:直接光纤耦合FC/PC封装系统,并且保持高速特性FGA10特性:高速、有效面积大。FGA20特性:波长范围长FGA21特性:本系列中有效面积最大的产品。型号波长范围(nm)有效面积二极管封装形式b上升(下降)时间aNEP(W/Hz1/2)暗电流(典型值)结电容aFGA04c800 - 18000.008 mm2(Ø 0.1 mm)TO-46 w/ FC/PC Connector100 ps (100 ps)@ 5 V1.5 x 10-15@ 1550 nm0.5 nA@ 5 V1.0 pF @ 5 VFGA10700 - 18000.81 mm2(Ø 1 mm)TO-5/PIN10 ns (10 ns)@ 5 V2.5 x 10-14@ 900 nm100 nA @ 5 V (max)80 pF @ 0 VFGA201200 - 26000.79 mm2(Ø 1 mm)TO-18/PIN23 ns (23 ns)@ 1 V2.0 x 10-1275 µ A @ 1 V (max)200 pF @ 1 VFGA21800 - 18003.14 mm2(Ø 2 mm)TO-5/PIN66 ns (66 ns)@ 0 V3.0 x 10-14@ 2300 nm200 nA @ 1 V500 pF @ 0 Va)典型値.RL=5欧姆b) 详细的引脚配置请参见规格表。c) 探测器本身的损伤阈值为70毫瓦(连续光)然而,封装内部的电线(非导线)在光电流超过10毫安的情况下可能会熔化,将会造成装置失效。当将FGA04用于更高功率的应用时,该区域中探测器具有高的响应率,请考虑使用 光纤衰减器。t锗光电二极管-近红外波长ZoomFDG03具有大有效面积,为TO-5封装。FDG05为陶瓷衬底并具有高速特性。FDG1010为陶瓷衬底,其上具有最大的有效面积。请注意,FDG05和FDG1010上的引线是通过导电的环氧树脂连接到传感器上,因为焊接会破坏传感器。这使得连接比较脆弱。参看内附的操作说明保护连接处。型号 #波长范围(nm)有效面积二极管封装类型b上升/(下降)时间aNEP(W/Hz1/2)暗电流(典型值)结电容aFDG03800 - 18007.1 mm2(Ø 3 mm)TO-5/PIN500 ns (500 ns)@ 3 V1.0 x 10-12@ 1550 nm4.0 µ A@ 1 V4 nF @ 1 VFDG05800 - 180019.6 mm2(Ø 5 mm)Ceramic Substrate220 ns@ 3 V4.0 x 10-12@ 1550 nm40 µ A @ 3 V3 nF @ 5 VFDG1010800 - 1800100 mm2(10 mm x 10 mm)Ceramic Substrate3.5 µ s@ 1 V4.0 x 10-12@ 1550 nm50 µ A (max.)@ 0.5 V30 nF @ 0.5 Va) 典型值。 RL=50欧姆b) 详细引脚图请参看规格表 双波段探测器Zoom 双探测器芯片设计-硅在铟镓砷上-具备宽探测范围4引脚的TO-5型封装大有效面积型号 #波长范围(nm)有效面积二极管封装类型b上升/(下降)时间aNEP(W/Hz1/2)典型暗电流结电容aDSD2400 - 11001000 - 1700Ø 2.54 mmØ 1.5 mmTO-5/PIN4 µ s (典型値)(两层)1.9 x 10-142.1 x 10-13-450 pF300 pFa) 典型値 RL =50欧姆b) 详细引脚图请参看规格表
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    高功率激光二极管AKELA的高功率激光二极管生产线是行业中最完整的。AKELA致力于提供光学激光所需的组合激光组件,热管理和电子驱动的软件包,可定制特殊应用程序或客户系统。这种能力使我们能够围绕特定的要求设计——无论是性能、成本或大小。我们也有一个广泛的标准产品,下面是详细的介绍。产品范围从635nm到近2μm,有单模和多模配置。AKELA制造单发射激光二极管,激光二极管棒,激光二极管阵列和从单个发射器输出的多元化模块。每种类型的设备同时提供自由空间和光纤耦合配置。我们的各种标准产品请参阅下面的信息: 红色激光二极管(635nm to 690nm) 近红外激光二极管(795nm to 980nm) 长波长激光二极管(1030nm to 1950nm)红色激光二极管AKELA的可见的高功率激光二极管是显示、娱乐、光动力疗法(PDT)、或任何其他需要高亮度和长寿命的应用程序的理想产品。以下介绍的是代表性产品的波长、封装和配置,但不是我们所提供的全部系列的产品。如果您没有在以下信息中找到您所需要的,请联系我们获得更多信息。2 635nm 激光二极管系列作为市场领先的长波长激光二极管产品,635 nm激光二极管系列产品可用于所有相同的配置。AKELA的635 nm激光二极管系列产品线范围从单模到多模,自由空间到光纤耦合单发射器,多元化模块到单一和多通道模块,并正在继续完善着。此外,AKELA还可以为您提供定制的解决方案来满足您的特殊需求。请注意以下并不是所有的635 nm激光二极管系列产品。可以联系我们以获取更多信息。自由空间功率 (CW)组件特性零件号0.5WC-mountALC-063x-0500-CB0.4WTO-9ALC-063x-0400-T9光纤输出功率 (CW)组件特性零件号0.4W单通道模块驱动,100μm, 0.22NAALC-063x-00400-FM100.22-LDTC0.3W * N多输出模块单驱动,100μm, 0.22NAALC-063x-00300-FM100.22x4-LDTC0.4W * N多输出模块单驱动,200μm, 0.22NAALC-063x-00400-FM200.22x4-LDTC0.4W * N多通道模块驱动,100μm, 0.22NA ALC-063x-00400-FM100.22xN-LDTCI以上是具有代表性的波长、封装和配置,但不是我们所提供的全部系列的产品。如果您没有在信息中找到您所需要的,请联系我们获得更多信2 650nm 激光二极管系列作为市场领先的长波长激光二极管产品,650 nm激光二极管系列产品可用于所有相同的配置。AKELA的650 nm激光二极管系列产品线范围从单模到多模,自由空间到光纤耦合单发射器,多元化模块到单一和多通道模块,并正在继续完善着。此外,AKELA还可以为您提供定制的解决方案来满足您的特殊需求。请注意以下并不是所有的650nm激光二极管系列产品。可以联系我们以获取更多信息。 自由空间功率 (CW)组件特性零件号0.5WC-mountALC-065x-00500-CB0.4WTO-9ALC-065x-00500-T9 光纤输出功率 (CW)组件特性零件号0.4W单通道模块驱动,100μm, 0.22NAALC-065x-00400-FM100.22-LDTC0.3W * N多输出模块单驱动,100μm, 0.22NA ALC-065x-00300-FM100.22x4-LDTC0.4W * N多输出模块单驱动,200μm, 0.22NAALC-065x-00400-FM200.22x4-LDTC0.4W * N多通道模块驱动,100μm, 0.22NA ALC-065x-00400-FM100.22xN-LDTCI 以上是具有代表性的波长、封装和配置,但不是我们所提供的全部系列的产品。如果您没有在信息中找到您所需要的,请联系我们获得更多信息。2 670nm 激光二极管系列作为市场领先的长波长激光二极管产品,670 nm激光二极管系列产品可用于所有相同的配置。AKELA的670 nm激光二极管系列产品线范围从单模到多模,自由空间到光纤耦合单发射器,多元化模块到单一和多通道模块,并正在继续完善着。此外,AKELA还可以为您提供定制的解决方案来满足您的特殊需求。请注意以下并不是所有的670 nm激光二极管系列产品。可以联系我们以获取更多信息。自由空间功率 (CW)组件特性零件号0.75WC-mountALC-067x-00750-CB0.7WTO-9ALC-067x-00700-T9 光纤输出功率 (CW)组件特性零件号0.4W单通道模块驱动,100μm, 0.22NAALC-067x-00400-FM100.22-LDTC0.3W * N多输出模块单驱动,100μm, 0.22NAALC-067x-00300-FM100.22x4-LDTC 0.4W * N多输出模块单驱动,200μm, 0.22NAALC-067x-00400-FM200.22x4-LDTC0.4W * N多通道模块驱动,100μm, 0.22NAALC-067x-00400-FM100.22xN-LDTCI以上是具有代表性的波长、封装和配置,但不是我们所提供的全部系列的产品。如果您没有在信息中找到您所需要的,请联系我们获得更多信息。2 90nm 激光二极管系列作为市场领先的长波长激光二极管产品,690 nm激光二极管系列产品可用于所有相同的配置。AKELA的690 nm激光二极管系列产品线范围从单模到多模,自由空间到光纤耦合单发射器,多元化模块到单一和多通道模块,并正在继续完善着。此外,AKELA还可以为您提供定制的解决方案来满足您的特殊需求。请注意以下并不是所有的690 nm激光二极管系列产品。可以联系我们以获取更多信息。自由空间功率 (CW)组件 特性零件号0.5WC-mountALC-069x-00500-CB0.5WTO-9ALC-069x-00500-T9 光纤输出功率 (CW)组件特性零件号0.4W单通道模块驱动,100μm, 0.22NAALC-069x-00400-FM100.22-LDTC0.3W * N 多输出模块单驱动,100μm, 0.22NAALC-069x-00300-FM100.22x4-LDTC0.4W * N 多输出模块单驱动,200μm, 0.22NAALC-069x-00400-FM200.22x4-LDTC0.4W * N多通道模块驱动,100μm, 0.22NAALC-069x-00400-FM100.22xN-LDTCI以上是具有代表性的波长、封装和配置,但不是我们所提供的全部系列的产品。如果您没有在信息中找到您所需要的,请联系我们获得更多信息。近红外激光二极管AKELA的高功率近红外激光二极管产品线在钝化方面达到了工业领先,并提供您所需的所有需求,应用领域十分广泛,包括:工业应用:泵浦固体激光器(DPSSL)或光纤激光器,印刷,塑料或金属焊接、标记医疗应用:手术,脱毛,低水平激光治疗,牙科军事应用:激光雷达或其他测距使用,武器仿真(MILES)以下介绍的是代表性产品的波长、封装和配置,但不是我们所提供的全部系列的产品。如果您没有在以下信息中找到您所需要的,请联系我们获得更多信息。2 808nm 激光二极管系列作为市场领先的长波长激光二极管产品,808 nm激光二极管系列产品可用于所有相同的配置。AKELA的808 nm激光二极管系列产品线范围从单模到多模,自由空间到光纤耦合单发射器,多元化模块到单一和多通道模块,并正在继续完善着。此外,AKELA还可以为您提供定制的解决方案来满足您的特殊需求。请注意以下并不是所有的产品。可以联系我们以获取更多信息。自由空间功率 (CW)组件特性零件号2.5WC-mountALC-0808x-2500-CB2WTO-9 ALC-0808x-2500-T9 光纤输出功率 (CW)组件特性零件号2W单通道模块驱动,100μm, 0.22NAALC-0808x-02000-FM100.22-LDTC0.9W * N多输出模块单驱动,100μm, 0.22NAALC-0808x-00900-FM100.22xN-LDTC 2W* N多通道模块驱动,100μm, 0.22NAALC-0808x-02000-FM100.22xN-LDTC以上是具有代表性的波长、封装和配置,但不是我们所提供的全部系列的产品。如果您没有在信息中找到您所需要的,请联系我们获得更多信息。2 860nm 激光二极管系列作为市场领先的长波长激光二极管产品,860nm激光二极管系列产品可用于所有相同的配置。AKELA的860 nm激光二极管系列产品线由850nm和860nm的产品组成,产品线范围从单模到多模,自由空间到光纤耦合单发射器,多元化模块到单一和多通道模块,并正在继续完善着。此外,AKELA还可以为您提供定制的解决方案来满足您的特殊需求。请注意以下并不是所有的产品。可以联系我们以获取更多信息。自由空间功率 (CW)组件特性零件号5WC-mountALC-09xx-2500-CB2WTO-9ALC-09xx-2500-T9 光纤输出功率 (CW)组件特性零件号1WTO-9ALC-14xx-1000-9MM1000.4WTO-9
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