氮化钬

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  • 【讨论】氮化硅粉体 表征

    表征氮化硅微粉体个人有些地方有些迷惑，不知道选用什么方法和设备1、粒度方法：光散射法、沉降法、电导法？还有其他不清楚个人想选用 激光粒度仪，理由是检测快速，效率高，精度？2、比表面积这个不太了解，用什么方法和设备比较合适，xdjm帮忙推荐下3、元素分析主要分析金属元素Fe、Al、Ca等，氧、氮、游离硅含量、二氧化硅、氮化硅含量这个好像很复杂，选用什么方法测这些呢，我个人想法是ICP-AES（OES）测量金属元素，氧氮含量怎么测呢？红外氧氮分析仪？游离硅这么测呢，氮化硅含量怎么测量啊？4、堆积密度、堆积角？大家讨论讨论，陶瓷粉体表征有经验的xdjm给指导下

  • 【分享】科学前沿－－宽禁带氮化物面发射半导体激光器研究获重大突破

    863计划新材料领域“蓝绿色垂直腔面发射半导体激光器”课题近日取得重大突破，在我国（除台湾地区外）首次实现了室温光泵条件下氮化物面发射激光器（VCSEL）的受激发射，所得器件重要性能指标超过了国际报道的最好水平。这标志着我国氮化物面发射激光器研究已进入世界先进行列。该成果由厦门大学、中国科学院半导体研究所和厦门三安电子有限公司组成的合作研究团队，经过将近一年的艰苦研发，攻克高质量增益区材料的生长、高反射介质膜分布布拉格反射镜的制作和蓝宝石衬底剥离等关键技术难题后得以实现。所使用的增益区是研究团队自主设计的由纳米级尺寸氮化物量子阱材料构成的新型特殊结构，利用该结构容易获得光场波峰与增益区峰值高的匹配因子，使激射阈值降低了一个量级。激光剥离后氮化物材料的表面平整度小于几个纳米，可以直接沉积反射镜，免除了减薄抛光工艺，简化了制作过程。该研究得到激射峰值波长449.5纳米，激射阈值6.5毫焦/平方厘米，半高宽小于0.1纳米。以上结果在国际上处于前沿先进水平。氮化物面发射激光器在激光显示、激光照明、激光高密度存储、激光打印，水下通信等方面有着广阔的应用前景。该成果为进一步研制实用化氮化物面发射激光器奠定了重要的基础。来源：科技部

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  • 微波法合成氮化物荧光粉获突破
    近期，中科院宁波材料技术与工程研究所“结构与功能一体化陶瓷”研发团队的刘丽红和黄庆，成功实现低温常压下制备高质量氮化物荧光粉，并在8月份通过材料荧光特性测试。 　　氮化物荧光粉是LED(发光二极管)不可或缺的重要材料体系。据黄庆介绍，该项新技术将微波功率转变为热能，实现整体加热。相较传统气压合成方法的高温(1700℃～2000℃)和高压(1～10个大气压)条件，微波合成法能在常压和1600℃以下实现相同的合成结果。低温合成使荧光粉光学性能大幅提高，工业节能可达80%以上。 　　另外，在相同反应温度下获得的荧光粉量子效率，微波法与传统气压法相比提高1.6倍。在荧光粉产率上，一般气压炉一天只能生产100克左右，而微波法可以达到几十公斤量级。新技术还可实现材料大区域零梯度均匀加热，且升温速度快、合成时间短，有利于获得粒径分布均匀的粉体。
    时间： 2011-10-17
    作者： 秦丽娟
  • 快速可靠的新一代全二维面探残余应力分析仪助力氮化硅陶瓷领域获新进展
    随着科技和工业技术的快速发展，人们对材料的硬度、强度、耐磨损、热膨胀系数及绝缘性能等提出了更高的要求。而高技术陶瓷作为继钢铁、塑料之后公认的第三类主要材料，一直以来在突破现有合金和高分子材料的应用极限方向被人们寄以厚望。其中，氮化硅陶瓷因具有优异的低密度、高硬度、高强度、耐高温、耐腐蚀、耐磨损、耐氧化等诸多优点，成为了最具发展潜力与市场应用的新型工程材料之一，在高温、高速、强腐蚀介质的工作环境中具有特殊的应用价值，已被广泛应用在精密机械、电气电子、军事装备和航空航天等领域。但另一方面，工程陶瓷具有硬、脆的特性，使得其机械加工性能较差，因此磨削已成为陶瓷零件的主要加工方式。 工程陶瓷在磨削过程中，工件的表面受剪切滑移、剧烈摩擦、高温、高压等作用，很容易产生严重的塑性变形，从而在工件表面产生残余应力。残余应力将会直接影响工程陶瓷零件的断裂应力、弯曲强度、疲劳强度和耐腐蚀性能。工程陶瓷零件的断裂应力和韧性相比于金属对表面的应力更为敏感。关于残余压应力或拉应力对材料的断裂韧性的影响，特别是裂纹的产生和扩展尚需进一步的研究。零件表面/次表面的裂纹极大地影响着其性能及服役寿命。因此，探索工程陶瓷的残余应力与裂纹扩展的关系就显得尤为重要。 Huli Niu等人为了获得高磨削表面质量的工程陶瓷，以氮化硅陶瓷为研究对象，进行了一系列磨削实验。研究表明：(1)提高砂轮转速、减小磨削深度、降低进给速率有利于减小氮化硅陶瓷的纵向裂纹扩展深度。氮化硅陶瓷工件在磨削后，次表面的裂纹主要是纵向裂纹，该裂纹从多个方向逐渐向陶瓷内部延伸，最终导致次表面损伤。(2)氮化硅陶瓷表面的残余压应力随着砂轮转速的增加、磨削深度和进给速度的减小而增大。平行于磨削方向的残余压应力大于垂直于磨削方向的残余压应力。(3)砂轮转速和磨削深度的增加、进给速率增大时，磨削温度有升高的趋势。在磨削温度从300℃上升到1100℃过程中，表面残余压应力先增大后减小；裂纹扩展深度先减小后增加。在温度约为600℃时，表面残余压应力最大，裂纹扩展深度最小。适当的磨削温度可以提高氮化硅陶瓷的表面残余压应力并抑制裂纹扩展。(4)氮化硅陶瓷表面残余压应力随裂纹扩展深度和表面脆性剥落程度的增加而减小。裂纹扩展位置的残余应力为残余拉应力。它随着裂纹扩展深度的增加而增加。此外，残余应力沿进入表面的距离在压缩和拉伸之间交替分布，在一定深度处这种情况消失。(5)通过调整磨削参数、控制合适的磨削温度，可以提高氮化硅陶瓷磨削表面质量。 以上研究结果为获得高质量氮化硅陶瓷的表面加工提供了强有力的数据支撑。关于Huli Niu等人的该项研究工作，更多的内容可参考文献[1]。 Figure 1. Grinding experiment and measuring equipment: (a) Experimental principle and processing (b) SEM (c) Residual stress analyzer.Figure 6. Surface residual stress under different grinding parameters: (a) Wheel speed (b) Grinding depth (c) Feed rate.上述图片内容均引自文献[1]. 作者在该项研究工作中所使用的残余应力检测设备为日本Pulstec公司推出的小而轻的便携式X射线残余应力分析仪-μ-X360s。该设备采用了圆形全二维面探测器技术，并基于cosα残余应力分析方法可基于多达500个衍射峰进行残余应力拟合，具有探测器技术先进、测试精度高、体积迷你、重量轻、便携性高等特点，不仅可以在实验室使用，还可以方便携带至非实验室条件下的各种车间现场或户外进行原位的残余应力测量。我们期待该设备能助力更多的国内外用户做出优秀的科研工作！ 小而轻的便携式X射线残余应力分析仪-μ-X360s设备图 参考文献：[1] Yan H, Deng F, Qin Z, Zhu J, Chang H, Niu H, Effects of Grinding Parameters on the Processing Temperature, Crack Propagation and Residual Stressin Silicon Nitride Ceramics. Micromachines. 2023 14(3):666. https://doi.org/10.3390/mi14030666
    时间： 2023-04-20
    作者： QUANTUM量子科学
  • 第三代半导体专利分析——氮化镓篇
    第三代半导体材料主要是以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)等为代表的宽禁带半导体材料。与第一、二代半导体材料相比，第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力，更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件，通常又被称为宽禁带半导体材料(禁带宽度大于2.3eV)，亦被称为高温半导体材料。从目前第三代半导体材料及器件的研究来看，较为成熟的第三代半导体材料是碳化硅和氮化镓，而氧化锌、金刚石、氮化铝等第三代半导体材料的研究尚属起步阶段。碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)，被行业称为第三代半导体材料的双雄。专利一般是由政府机关或者代表若干国家的区域性组织根据申请而颁发的一种文件，这种文件记载了发明创造的内容，并且在一定时期内产生这样一种法律状态，即获得专利的发明创造在一般情况下他人只有经专利权人许可才能予以实施。在我国，专利分为发明、实用新型和外观设计三种类型。专利文献作为技术信息最有效的载体，囊括了全球90%以上的最新技术情报，相比一般技术刊物所提供的信息早5～6年，而且70%～80%发明创造只通过专利文献公开，并不见诸于其他科技文献，相对于其他文献形式，专利更具有新颖、实用的特征。可见，专利文献是世界上最大的技术信息源，另据实证统计分析，专利文献包含了世界科技技术信息的90%～95%。如此巨大的信息资源远未被人们充分地加以利用。事实上，对企业组织而言，专利是企业的竞争者之间惟一不得不向公众透露而在其他地方都不会透露的某些关键信息的地方。因此，通过对专利信息细致、严密、综合、相关的分析，可以从其中得到大量有用信息。基于此，仪器信息网特统计分析了第三代半导体中氮化镓的专利信息，以期为从业者提供参考。（本文搜集信息源自网络，不完全统计分析仅供读者参考，时间以专利申请日为准）专利申请趋势分析（1994-2020）申请人数量趋势分析（1994-2020）发明人数量趋势分析（1994-2020）本次统计，以“氮化镓”为关键词进行检索，共涉及专利总数量为9740条（含世界知识产权组织254条专利），其中发明专利8270条、实用新型专利1169条和外观专利47条。从统计结果可以看出可以看出，从1994年开始，氮化镓专利数量和专利申请人数量整体呈增长趋势，只在2012-2014年之间和2020年呈下降趋势。这表明氮化镓的研发投入不断增加，相关企业和科研院所数量也在不断增加。从专利发明人数量趋势可以看出，从事氮化镓相关研究的人数也在逐年增加，氮化镓已成为研究热点。申请人专利排行发明人专利量排行那么从事相关研发工作的主要有哪些单位呢？从申请人专利量排行可以看出，在专利申请人申请量排名中，中国科学院半导体研究所的表现最为突出共申请专利314件，三菱电机株式会社（排名第二）与电子科技大学（排名第三）也不甘示弱，分列第二与第三位。具体来看，半导体所的专利主要集中于材料生长、加工工艺等方面；三菱电机的专利主要集中于功率器件制造、半导体装置等方面。在发明人专利量排行中，李鹏的专利量最多，其次为胡加辉、李晋闽等人。李鹏发明的专利主要归华灿光电所属，专利集中于氮化镓发光二极管领域的研究。据了解，华灿光电成立于2005年的华灿光电股份有限公司，是我国领先的半导体技术型企业。目前有张家港、义乌、玉溪三大生产基地。历经十几年的发展，华灿光电已成为国内第二大LED芯片供应商，国内第一大显示屏用LED芯片供应商。2015年收购云南蓝晶，整合LED上游产业资源。专利申请区域统计通过对专利申请区域进行统计能够了解到目前专利技术的布局范围以及技术创新的活跃度，进而分析各区域的竞争激烈程度。从专利申请区域可以看出，氮化镓专利申请主要集中于广东省、江苏省等，这些地区都是半导体产业发达的地区，其在第三代半导体方面的布局也快人一步。值得注意的是，日本企业在国内也有很多专利布局。专利技术分类统计从专利技术分类来看，大部分氮化镓的专利都集中于电学领域。这主要是因为氮化镓是功率器件和射频器件的重要半导体材料，在电力电子、射频芯片等领域都要重要的应用。具体来看，相关研究主要集中于光发射的半导体器件、半导体装置或设备、半导体材料在基片上的沉积等方面。
    时间： 2021-10-27
    作者： KPC
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  • Agilent 8255 氮化学发光检测器 (NCD) 400-629-8889
    氮化学发光检测器Agilent 8255 氮化学发光检测器 (NCD) 是氮选择性检测器，对氮化合物呈等摩尔线性响应。检测原理是：采用不锈钢燃烧器使含氮化合物在高温下燃烧生成氮氧化物 (NO)。光电倍增管检测到由 NO 和臭氧发生连续化学发光反应而产生的光。因为反应的专属性，分析复杂样品基质也几乎没有干扰。● 用于气相色谱 (GC) 的氮特异性检测器● 皮克级检出限● 没有烃的淬灭● 对有机氮化物呈等摩尔线性响应● 对氨、肼、氰化氢和 NOX 有响应● 重新设计的燃烧头和检测器，NCD 也具有亚硝胺特定配置选项● 安捷伦还提供 8355 硫化学发光检测器 (SCD)
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    厂商： 安捷伦科技(中国)有限公司
    品牌： 安捷伦/Agilent Technologies
    型号： 8255
    价格： 面议
  • 高温离子氮化炉 400-860-5168转4967
    脉冲等离子PulsPlasma系统包括真空炉室，辅助加热系统，保温系统，温度测量系统，钟罩提升系统，工艺气体循环系统，冷却系统，工艺控制系统以及离子发生器系统。这其中的离子发生器系统是普发拓普公司的设计，可以完全避免打弧现象的发生而且节能效果明显。炉体可以是钟罩式设计，也可以是井式炉或卧式设计。根据设备的大小，加热控制区至少配有三组独立控制升温和降温的加热器，通过这些独立控制的加热器获得较好的均温性。工艺特点：通过热壁技术实现良好的均温性工艺气体消耗少，没有污染气体灵活的渗氮温度，温度范围 300 ℃ - 800 ℃白亮层可控可处理不锈钢可处理烧结钢可以在同一炉工艺集成脉冲离子氮化-氧化工艺 设备特点：不产生打弧，工件表面无破坏加热和控制系统，至少3区独立的加热和冷却区域控制区温度均匀分布PulsPlasma电源，电压和电流近乎方波，几微妙内获得设定的全部脉冲电流，主动抑制打弧监测（开关时间 0.1 μs）电源可升级至5年质保可在低温下对工件表面进行等离子清洗设备布局紧凑，节省空间，所有部件集成在一个基础框架内模块化设计，提供单室型、交替型和双室型设备特殊航天保温材料，热容量低，功率损耗低，节省重量
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    厂商： 深圳市科时达电子科技有限公司
    品牌： PVA Tepla
    型号： 脉冲等离子PulsPlasma
    价格： 500万 - 600万元
  • 氮化硅薄膜窗口 400-860-5168转1679
    联系我们：X射线透射显微成像/能谱(同步辐射)用氮化硅薄膜窗口 产品概述： X-射线薄膜窗能够实现软X-射线(如真空紫外线)的最大透射率。主要用于同步辐射X射线透射显微成像时承载样品。 X-射线越软(能量越低)，穿透能力越差，所需氮化硅薄膜窗越薄。特别在“离轴”状态工作(即薄膜与光束成一定角度)时，也需要较薄的薄膜窗口，便于X射线更好地穿透。 氮化硅薄膜窗口是利用现代MEMS技术制备而成，由于此种氮化硅窗口选用低应力氮化硅(0-250MP)薄膜，因此比计量式和ST氮化硅薄膜更坚固耐用。提供的氮化硅薄膜窗口非常适合应用于透射成像和透射能谱等广泛的科学研究领域，例如，X-射线(上海光源透射成像/能谱线站)、TEM、SEM、IR、UV等。 现在提供X-射线显微成像/能谱(同步辐射)用氮化硅薄膜窗系列产品，规格如下： 外框尺寸 (4种标准规格): 5 mm x 5 mm (窗口尺寸：1.0 mm或和 1.5 mm 方形) 7.5 mm x 7.5 mm (窗口尺寸：2.0 mm或 2.5 mm) 10 mm x 10 mm (窗口尺寸：3.0 mm或 5 mm 方形) 边框厚度： 200µ m、381µ m、525µ m。 Si3N4薄膜厚度：50、100、150和200nm 我们也可以为用户定制产品(30-500nm)，但要100片起订。 本产品为一次性产品，不建议用户重复使用，本产品不能进行超声清洗，适合化学清洗、辉光放电和等离子体清洗。 技术指标： 透光度： 对于X射线用窗口，500nm厚的氮化硅薄膜有很好的X光穿透效果，对于软X射线(例如碳边吸收谱)，100-200nm厚的氮化硅薄膜窗口是用户首选。 真空适用性： 真空适用性数据如下：　 薄膜厚度 窗口面积 压力差 ≥50 nm ≤1.0 x 1.0 mm 1 atm ≥100 nm ≤1.5 x 1.5 mm 1 atm ≥200 nm ≤2.5 x 2.5 mm 1 atm 表面平整度： 氮化硅薄膜窗口产品的表面平整性很稳定(粗糙度小于1nm)，对于X射线应用没有任何影响。 温度特性： 氮化硅薄膜窗口产品是耐高温产品，能够承受1000度高温，非常适合在其表面利用CVD方法生长各种纳米材料。 化学特性： 氮化硅薄膜窗口是惰性衬底。 应用简介和优点： 1、同步辐射X射线(紫外或极紫外)透射成像或透射能谱应用中是不可或缺的样品承载体。 2、耐高温、惰性衬底，适应各种聚合物、纳米材料、半导体材料、光学晶体材料和功能薄膜材料的制备环境，利于制备理想的用于X射线表征用的自组装单层薄膜或薄膜(薄膜直接沉积在窗口上)。 3、生物和湿细胞样本的理想承载体。特别是在等离子体处理后，窗口具有很好的亲水性。 4、耐高温、惰性衬底，也可以用于化学反应和退火效应的原位表征。 5、适合做为胶体、气凝胶、有机材料和纳米颗粒等的表征实验承载体。 氮化硅薄膜窗口系列 SN-LDE-505-15 氮化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：50nm SN-LDE-510-15 氮化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：100nm SN-LDE-515-15 氮化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：150nm SN-LDE-520-15 氮化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：200nm SN-LDE-705-25 氮化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：2.5×2.5mm，膜厚：50nm SN-LDE-710-25 氮化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：2.5×2.5mm，膜厚：100nm SN-LDE-715-25 氮化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：2.5×2.5mm，膜厚：150nm SN-LDE-720-25 氮化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：2.5×2.5mm，膜厚：200nm SN-LDE-105-30 氮化硅薄膜窗口，框架：10×10mm，窗口：3×3mm，膜厚：50nm SN-LDE-110-30 氮化硅薄膜窗口，框架：10×10mm，窗口：3×3mm，膜厚：100nm SN-LDE-115-30 氮化硅薄膜窗口，框架：10×10mm，窗口：3×3mm，膜厚：150nm SN-LDE-120-30 氮化硅薄膜窗口，框架：10×10mm，窗口：3×3mm，膜厚：200nm 氮化硅薄膜窗口阵列系列 SN-AR-522-15 氮化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，2×2阵列，膜厚：50nm SN-AR-733-15 氮化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：1.5×1.5mm，3×3阵列；膜厚：50nm SN-AR-1044-15 氮化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：100nm 氧化硅薄膜窗口系列 SO-505-15 氧化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：50nm SO-510-15 氧化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：100nm SO-520-15 氧化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：150nm SO-705-25 氧化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：1.5×1.5mm，3×3阵列，膜厚：50nm SO-710-25 氧化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：1.5×1.5mm，3×3阵列，膜厚：100nm SO-720-25 氧化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：1.5×1.5mm，3×3阵列，膜厚：200nm 氮化硅薄膜窗口系列 SN-1010-2-AU10 氮化硅基底框架：10×10mm，窗口：2×2mm，膜厚：100nm，金膜厚度：10nm SN-1020-2-AU10 氮化硅基底框架：10×10mm，窗口：2×2mm，膜厚：200nm，金膜厚度：10nm SN-710-2-AU10 氮化硅基底框架：7.5×7.5mm，窗口：2×2mm，膜厚：100nm，金膜厚度：10nm SN-720-2-AU10 氮化硅基底框架：7.5×7.5mm，窗口：2×2mm，膜厚：200nm，金膜厚度：10nm 特殊定制产品 SN-5H5-15 氮化硅基底框架：5×5mm，硅片厚度：200um，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：500nm SN-5H10-15 氮化硅基底框架：5×5mm，硅片厚度：200um，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：1000nm SN-LDE-4-10 氮化硅片100nm-4英寸整张，10×10mm切片 衬底厚度：200um 温度范围：1000℃ 真空适应：1个大气压 厚度可以选择：200um，381um，525um，需要提前说明。联系我们：
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    厂商： 上海纳腾仪器有限公司
    品牌： 上海纳腾仪器/SHNTI
    型号： SN-LDE
    价格： 面议
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氮化钬相关的耗材

  • 立方氮化硼锯片
    立方氮化硼锯片中立方结构的氮化硼晶体结构类似金刚石，其硬度略低于金刚石，为HV72000-98000兆帕，应用于高速切削或磨削，可提高产品质量、加工效率，同时缩短加工周期和降低加工成本。主要特点具有优于金刚石的热稳定性和对铁族金属的化学惰性，适于加工既硬又韧的材料，如高速钢、工具钢、模具钢、轴承钢、镍和钴基合金、冷硬铸铁等，且磨削钢材时，大多可获得高的磨削比和加工表面质量。 技术参数Φ101.6mm×Φ12.7mm×0.35mm、Φ127mm×Φ12.7mm×0.60mm、Φ152.4mm×Φ12.7mm×1.0mm、Φ203.2mm×Φ25.4mm×1.3mm
    供应商： 沈阳科晶自动化设备有限公司
    品牌： 合肥科晶
    价格： 面议
  • 多孔氮化硅石墨烯支持膜
    基于PELCO® 多孔氮化硅上的石墨烯支持膜这种石墨烯产品是由多孔氮化硅支撑，在0.5x0.5mm的窗口上铺了一层Si3N4，网格的孔径为2.5um，孔间距为4.5um。石墨烯的使用率为75%，可提供单层、2层、3-5层和6-8层石墨烯。适合UHR成像，或者作为一种实验平台。Example of nanopatterning of an atomically thin matter-wave beam splitter from a single-layer Graphene on Holey Silicon Nitride product. Ref: C. Brand, et. al. Nature Nanotechnology, Vol. 10, Oct. 2015 货号产品描述包装21712-5基于多孔氮化硅的单层石墨烯支持膜，孔径2.5um，窗口0.5x0.5mm pkg/521712-10基于多孔氮化硅的单层石墨烯支持膜，孔径2.5um，窗口0.5x0.5mmpkg/1021712-25基于多孔氮化硅的单层石墨烯支持膜，孔径2.5um，窗口0.5x0.5mmpkg/25 货号产品描述包装21722-5基于多孔氮化硅的2层石墨烯支持膜，孔径2.5um，窗口0.5x0.5mmpkg/521722-10基于多孔氮化硅的2层石墨烯支持膜，孔径2.5um，窗口0.5x0.5mmpkg/1021722-25基于多孔氮化硅的2层石墨烯支持膜，孔径2.5um，窗口0.5x0.5mmpkg/25 货号产品描述包装21742-5基于多孔氮化硅的3-5层石墨烯支持膜，孔径2.5um，窗口0.5x0.5mmpkg/521742-10基于多孔氮化硅的3-5层石墨烯支持膜，孔径2.5um，窗口0.5x0.5mmpkg/1021742-25基于多孔氮化硅的3-5层石墨烯支持膜，孔径2.5um，窗口0.5x0.5mmpkg/25 货号产品描述包装21772-5基于多孔氮化硅的6-8层石墨烯支持膜，孔径2.5um，窗口0.5x0.5mmpkg/521772-10基于多孔氮化硅的6-8层石墨烯支持膜，孔径2.5um，窗口0.5x0.5mmpkg/1021772-25基于多孔氮化硅的6-8层石墨烯支持膜，孔径2.5um，窗口0.5x0.5mmpkg/25
    供应商： 广州竞赢科学仪器有限公司
    品牌： Ted Pella
    价格： 面议
  • 氮化硅膜
    氮化硅膜主要用于纳米技术研究；支撑强度高，TEM与原子力电镜都可以使用。氮化硅膜极其稳定可以抵抗温度变化上升至1000摄氏度；但是，疏水性，如果需要亲水，建议用刻蚀法：等离子刻蚀，增加电荷。膜厚：100nm、50nm、30nm；孔：1mm×mm 膜粗糙度2nm。型号名称硅框架厚度（μm）窗口尺寸（mm）膜厚（nm）孔厚包装/个产地21505-10氮化硅膜2000.25 x 0.25mm50110美国21500-10氮化硅膜2000.5 x 0.550110美国21502-10氮化硅膜2001.0 x 1.0mm50110美国21525-10氮化硅膜2000.25 x 0.25mm200110美国21522-10氮化硅膜2001.0 x 1.0mm200110美国21524-10氮化硅膜2000.1 x 1.5200210美国21528-10氮化硅膜2000.1 x 1.5200210美国4112SN-BA氮化硅膜2001.0 x 1.0200110SPI4120SN-BA氮化硅膜2000.5 x 0.5200110SPI
    供应商： 北京新兴百瑞技术有限公司
    品牌： 新兴百瑞
    价格： 面议
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